晶圆承载盘及其制备方法技术

本申请提供一种晶圆承载盘及其制备方法。该晶圆承载盘的制备方法包括：提供承载主体；在所述承载主体的表面形成第一缓冲层；所述第一缓冲层被配置为第一α相碳化硅；在所述第一缓冲层背离所述承载主体的一侧表面形成第二缓冲层，所述第二缓冲层被配置为第二α相碳化硅。该方法所制得的晶圆承载板极大缓解了外延晶圆背面粗糙化程度；进而可以有效提高后期蒸镀至外延晶圆背面的金属层的粘附性，降低了金属层从外延晶圆背面脱落的风险；同时，改善了外延晶圆的翘曲程度；外延晶圆与晶圆承载盘的接触也会更加均匀和紧密。接触也会更加均匀和紧密。接触也会更加均匀和紧密。

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载盘及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆承载盘及其制备方法。

技术介绍

[0002]在高温碳化硅(SiC)外延生长中，用以承托晶圆的载盘是外延热场中的一个关键部件，载盘用以直接与下方的加热基座接触，并被基座加热且将热量传导给放置于其上的晶圆。
[0003]其中，作为支撑和传热介质的SiC外延载盘通常为纯石墨或者钽碳化(TaC)涂层的石墨材质。石墨具有较好的高温机械性能、化学稳定性和高热导率，而TaC涂层则可以保护石墨并阻挡石墨中放出的气体影响SiC外延层中的杂质浓度。但是，这两种载盘都会不可避免的导致SiC外延过程中或者外延后的晶圆背面粗糙化，从而影响外延晶圆片的质量。因此，进一步优化SiC外延载盘结构来延长载盘的使用寿命、改善晶圆表面的温场均匀性、降低SiC外延晶圆表面形貌缺陷和拓展缺陷数量一直是SiC外延技术中一项难题。

技术实现思路

[0004]本申请提供的晶圆承载盘及其制备方法，旨在解决现有载盘都会不可避免的导致SiC外延过程或者外延后的中晶圆背面粗糙化，从而影响外延晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载盘的制备方法，其特征在于，包括：提供承载主体；所述承载主体的材料为石墨；在所述承载主体的表面形成第一缓冲层；所述第一缓冲层被配置为第一α相碳化硅；在所述第一缓冲层背离所述承载主体的一侧表面形成第二缓冲层，所述第二缓冲层被配置为第二α相碳化硅。2.根据权利要求1所述的晶圆承载盘的制备方法，其特征在于，所述在所述承载主体的表面形成第一缓冲层的步骤，包括：在所述承载主体的表面沉积β相碳化硅；对所述β相碳化硅进行退火处理，以使所述β相碳化硅转变为α相碳化硅，并形成第一缓冲层。3.根据权利要求2所述的晶圆承载盘的制备方法，其特征在于，所述在所述承载主体的表面沉积β相碳化硅的步骤，包括：在130011500℃的温度范围内，以硅源和碳源作为反应物在所述承载主体的表面沉积厚度为10120um的β相碳化硅；所述对所述β相碳化硅进行退火处理的步骤，包括：在不小于1900℃的温度范围内、富碳还原气氛下对所述β相碳化硅进行退火处理。4.根据权利要求1所述的晶圆承载盘的制备方法，其特征在于，所述在所述第一缓冲层背离所述承载主体的一侧表面沉积α相碳化硅，以形成第二缓冲层的步骤之后，还包括：对所述第二缓冲层背离所述第一缓冲层的一侧表面进行石墨化处理，以形成保护层。5.根据权利要求4所述的晶圆承载盘的制备方法，其特征在于，所述对所述第二缓冲层背离所述第一缓冲层的一侧表面进行石墨化处理的步骤，包括：在140011500℃的温度和惰性气氛中，对所述第二缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾为，杜伟华，张洁，李毕庆，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：