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本申请提供一种晶圆承载盘及其制备方法。该晶圆承载盘的制备方法包括：提供承载主体；在所述承载主体的表面形成第一缓冲层；所述第一缓冲层被配置为第一α相碳化硅；在所述第一缓冲层背离所述承载主体的一侧表面形成第二缓冲层，所述第二缓冲层被配置为第二α...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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