基座支撑件制造技术

本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。2mm至约20mm。2mm至约20mm。

【技术实现步骤摘要】
基座支撑件
[0001]本申请是申请日为2017年2月23日、申请号为201780018465.1、专利技术名称为“基座支撑件”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]背景


[0003]本文公开用于半导体处理的设备。更具体而言，本文中公开的实施方式涉及一种用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。

技术介绍

[0004]在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或外延工艺的沉积工艺被用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。外延是在半导体处理中广泛使用以在半导体基板上形成非常薄的材料层的工艺。这些层经常限定半导体装置的一些最小的特征，并且如果需要晶体材料的电特性，那么这些层可具有高品质的晶体结构。通常将沉积前驱物提供至设置有基板的工艺腔室，所述基板被加热到有利于具有特定性质的材料层生长的温度。
[0005]传统地，基板设置在基座上，并且基座由三个或更多个臂支撑，这些臂从轴杆延伸。诸如灯的多个能量源可设置在基板下方以加热基板的背侧。基座通常用于将来自能量源的辐射中的任何不均匀性分散出去。来自能量源的辐射被基座支撑臂阻挡，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板支撑组件，包括：轴杆，所述轴杆具有轴杆中心轴；板，所述板具有耦合到所述轴杆的第一主要表面；和基板支撑元件，所述基板支撑元件从所述板的第二主要表面延伸，其中所述第二主要表面与所述第一主要表面相对，并且所述基板支撑元件包括圆柱主体，所述圆柱主体具有与所述轴杆中心轴重合的主体中心轴。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述圆柱主体包括中空圆柱，其中所述中空圆柱具有径向横截面，所述径向横截面具有矩形形状。3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述圆柱主体包括中空圆柱，所述中空圆柱具有内径，所述内径大于要在处理期间定位在所述基板支撑组件上的基板的直径。4.如权利要求3所述的基板支撑组件，其中所述板进一步包括多个通孔，所述多个通孔从所述第一主要表面延伸到所述第二主要表面并且形成在所述中空圆柱的所述内径内的位置处。5.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述板进一步包括外边缘，所述外边缘具有从所述轴杆中心轴延伸的外边缘半径，其中所述基板支撑元件的外半径小于所述外边缘的所述外边缘半径。6.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述板包含石英、熔融石英、氧化铝、蓝宝石或氧化钇，并且所述板具有范围为约2mm至约20mm的厚度。7.如权利要求6所述的基板支撑组件，其中所述基板支撑元件包含石英、熔融石英、氧化铝、蓝宝石或氧化钇。8.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述板包含光学透明的石英。9.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括耦合到所述板的多个圆柱支柱。10.如权利要求9所述的基板支撑组件，其中所述多个圆柱支柱的圆柱支柱包括壁和连接到所述壁的渐缩部分。11.一种工艺腔室，包括：第一外壳构件；第二外壳构件；基座支撑组件，其中所述基座支撑组件的至少一部分设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：