一种立式成膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、基座、旋转室和旋转轴；进气室设置于反应室顶部；反应室内设置有基座；反应室下方设置有旋转室，旋转轴设置于旋转室内，且旋转轴的顶部伸入反应室内与基座相连接；基座内设置有提升立柱，提升立柱顶部设置有发热体，提升立柱的底部与一提升杆的顶部相连接，提升杆的底部与驱动机构相连接；旋转轴为中空轴，提升杆设置于旋转轴内。本实用新型专利技术中的立式成膜设备，成膜工艺时基座由旋转轴带动旋转，使用中空电机时可于内部安装中空主轴，电机直接带动主轴旋转，基座内部的功能部件均可从主轴中间穿过，整体结构简化同时避免侧向力的影响。整体结构简化同时避免侧向力的影响。整体结构简化同时避免侧向力的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种立式成膜设备


[0001]本技术涉及半导体生产设备
，特别是涉及一种立式成膜设备。

技术介绍

[0002]立式成膜装置制备半导体晶片，反应气体通入腔室内部与稳定高速旋转的晶片接触进行外延生长。工艺过程中基板表面晶片需加热至反应温度。工艺结束后为满足连续生产，基板具有抬升功能并与外部转运系统联动，将成膜完成的基板运出反应室。
[0003]公开号为CN101426965A的专利文献中公开了块状碳化硅单晶的生产，块状、低杂质碳化硅单晶在晶体生长界面上通过沉积含硅和含碳汽相物质生长出。硅源蒸汽由蒸发硅并输送硅蒸汽到晶体生长坩埚而提供。碳汽相物质由碳源蒸汽(例如，CN)提供或由硅源蒸汽从固相碳源上方或中间流过而得到，例如，硅蒸汽流经多孔的石墨或石墨颗粒层。
[0004]但是，其设备内部的温度均匀性不够高，影响最终的晶片质量。

技术实现思路

[0005]为解决以上技术问题，本技术提供一种立式成膜设备，以提高设备内部的温度均匀性。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0007]本技术提供一种立式成膜设备，包括进气室、反应室、基座、旋转室和旋转轴；所述进气室设置于所述反应室顶部，且所述进气室与所述反应室相连通；所述反应室内设置有所述基座，所述基座顶部用于支撑晶片；所述反应室下方设置有所述旋转室，所述旋转轴设置于所述旋转室内，且所述旋转轴的顶部伸入所述反应室内与所述基座相连接；所述旋转轴用于驱动所述基座旋转；所述基座内设置有提升立柱，所述提升立柱顶部设置有发热体，所述提升立柱的底部与一提升杆的顶部相连接，所述提升杆的底部与驱动机构相连接；所述旋转轴为中空轴，所述提升杆设置于所述旋转轴内。
[0008]可选的，所述旋转轴与一中空电机传动连接；所述中空电机的上方和下方均设置有轴承。
[0009]可选的，所述基座内设置有石英固定板，所述发热体与一石墨电极的一端相连接，所述石墨电极的另一端贯穿所述石英固定板后与电源相连接。
[0010]可选的，所述旋转轴底部设置有绝缘导向套，所述石墨电极的另一端与金属电极的一端相连接，所述金属电极的另一端贯穿所述绝缘导向套后与所述电源相连接。
[0011]可选的，所述旋转轴内设置有一石英轴，所述石英固定板设置于所述石英轴顶部。
[0012]可选的，所述金属电极沿轴向贯穿所述石英轴。
[0013]可选的，所述石英轴内设置有一进气管，所述进气管一端与气源相连通，所述进气管另一端延伸至所述提升立柱下方。
[0014]可选的，所述驱动机构包括提升气缸；所述提升气缸的驱动端与所述提升杆相连接。
[0015]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0016]本技术中的立式成膜设备，成膜工艺时基座由旋转轴带动旋转，使用中空电机时可于内部安装中空主轴，电机直接带动主轴旋转，基座内部的功能部件均可从主轴中间穿过，整体结构简化同时避免侧向力的影响。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术立式成膜设备的的结构示意图；
[0019]图2为本技术立式成膜设备中旋转电机和内部结构的的示意图；
[0020]图3为本技术立式成膜设备中A处的局部放大结构示意图；
[0021]图4为本技术立式成膜设备中B处的局部放大结构示意图。
[0022]附图标记说明：1、进气室；2、反应室；3、晶片；4、基板；5、发热体；6、石墨电极；7、基座；8、提升立柱；9、石英固定板；10、石英轴；11、旋转室；12、轴承；13、中空电机；14、旋转轴；15、绝缘导向套；16、金属电极；17、电源；18、提升杆；19、提升气缸；20、气源；21、进气管。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]如图1至4所示，本实施例提供一种立式成膜设备，包括进气室1、反应室2、基座7、旋转室11和旋转轴14；进气室1设置于反应室2顶部，且进气室1与反应室2相连通；反应室2内设置有基座7，基座7顶部用于支撑晶片3；反应室2下方设置有旋转室11，旋转轴14设置于旋转室11内，且旋转轴14的顶部伸入反应室2内与基座7相连接；旋转轴14用于驱动基座7旋转；基座7内设置有提升立柱8，提升立柱8顶部设置有发热体5，提升立柱8的底部与一提升杆18的顶部相连接，提升杆18的底部与驱动机构相连接；旋转轴14为中空轴，提升杆18设置于旋转轴14内。
[0025]于本具体实施例中，旋转轴14与一中空电机13传动连接；中空电机13的上方和下方均设置有轴承12。中空电机13用于驱动旋转轴14转动，同时为石英轴10、提升杆18、进气管21、金属电极16提供安装空间，使整体结构简化，同时避免侧向力的影响。
[0026]基座7内设置有石英固定板9，发热体5与一石墨电极6的一端相连接，石墨电极6的另一端贯穿石英固定板9后与电源17相连接。
[0027]旋转轴14底部设置有绝缘导向套15，石墨电极6的另一端与金属电极16的一端相连接，金属电极16的另一端贯穿绝缘导向套15后与电源17相连接。
[0028]旋转轴14内设置有一石英轴10，石英固定板9设置于石英轴10顶部。
[0029]石英轴10内设置有一进气管21，进气管21一端与气源20相连通，进气管21另一端
延伸至提升立柱8下方。进气管21用于将气源20提供的保护气通入基座7内，使基座7内部压强与反应室2形成正压差，基座7内保护气体朝反应室2扩散的趋势可减少反应气体侵入基座7，抑制热场表面接触沉积。
[0030]驱动机构包括提升气缸19；提升气缸19的驱动端与提升杆18相连接。
[0031]需要说明的是，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0032]本说明书中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种立式成膜设备，其特征在于，包括进气室、反应室、基座、旋转室和旋转轴；所述进气室设置于所述反应室顶部，且所述进气室与所述反应室相连通；所述反应室内设置有所述基座，所述基座顶部用于支撑晶片；所述反应室下方设置有所述旋转室，所述旋转轴设置于所述旋转室内，且所述旋转轴的顶部伸入所述反应室内与所述基座相连接；所述旋转轴用于驱动所述基座旋转；所述基座内设置有提升立柱，所述提升立柱顶部设置有发热体，所述提升立柱的底部与一提升杆的顶部相连接，所述提升杆的底部与驱动机构相连接；所述旋转轴为中空轴，所述提升杆设置于所述旋转轴内。2.根据权利要求1所述的立式成膜设备，其特征在于，所述旋转轴与一中空电机传动连接；所述中空电机的上方和下方均设置有轴承。3.根据权利要求1所述的立式成膜设备，其特征在于，所述基座内设置有石英固定板，所述发热体与一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，高炀，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：