【技术实现步骤摘要】
一种外延炉供气结构及供气系统
[0001]本申请涉及半导体生产
,具体而言,涉及一种外延炉供气结构及供气系统。
技术介绍
[0002]现有的外延炉采用惰性气体填充装载室、传送室、反应室等各个腔室,以确保晶片在洁净的环境下进行生产。
[0003]其中,反应室内一般采用气浮座等气浮驱动组件驱动晶片在反应室进行旋转并进行化学气相沉积反应;现有的气浮座通过包含惰性气体的混合气体作为气浮气体驱动旋转,但其惰性气体为直接基于惰性气体供应组件原始提供的,导致外延炉的惰性气体用量过大,存在气体成本高的缺点。
[0004]针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0005]本申请的目的在于提供一种外延炉供气结构及供气系统,以降低气体成本。
[0006]第一方面,本申请提供了一种外延炉供气结构,用于为外延炉供应气浮混合载气,所述外延炉包括依次连接的装载室、传送室和反应室,所述外延炉供气结构包括:第一供气管道,与所述传送室连接,用于为所述传送室供应惰性气体;第二供气管道,与所述反应 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外延炉供气结构,用于为外延炉供应气浮混合载气,所述外延炉包括依次连接的装载室、传送室和反应室,其特征在于,所述外延炉供气结构包括:第一供气管道,与所述传送室连接,用于为所述传送室供应惰性气体;第二供气管道,与所述反应室进气端连接,用于为所述反应室供应初始载气;第一回气管道,其两端分别与所述传送室和所述第二供气管道连接。2.一种外延炉供气系统,应用于外延炉中,所述外延炉包括依次连接的装载室、传送室和反应室,其特征在于,所述外延炉供气系统包括外延炉供气结构,所述外延炉供气结构包括:第一供气管道,与所述传送室连接,用于为所述传送室供应惰性气体;第二供气管道,与所述反应室进气端连接,用于为所述反应室供应初始载气;第一回气管道,其两端分别与所述传送室和所述第二供气管道连接;所述外延炉供气系统还包括:控制器,用于在所述反应室进行反应时,控制所述第一供气管道、所述第二供气管道及所述第一回气管道导通,以使所述第二供气管道为所述反应室提供气浮混合载气。3.根据权利要求2所述的外延炉供气系统,其特征在于,所述系统还包括:第二回气管道,其两端分别与所述传送室及所述反应室上下半月连接;所述控制器还用于在所述反应室进行惰性气体回填时,控制所述第一供气管道及所述第二回气管道导通,以使所述第二回气管道为所述反应室提供所述惰性气体。4.根据权利要求3所述的外延炉供气系统,其特征在于,所述第一回气管和所述第二回气管通过过渡管与所述传送室连接。5.根据权利要求4所述的外延炉供气系统,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛飞龙,郭嘉杰,孔倩茵,王鑫,徐俊,黄吉裕,
申请(专利权)人:季华实验室,
类型:发明
国别省市:
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