气相生长方法及气相生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够降低碳化硅层中的晶体缺陷密度的气相生长方法及气相生长装置。实施方式的气相生长方法向碳化硅基板上以第1气体条件供给第1工艺气体，以第1生长速度形成具有第1掺杂浓度的第1碳化硅层，在形成第1碳化硅层之后，以第2气体条件供给第2工艺气体，以大于第1生长速度的第2生长速度形成具有第2掺杂浓度的第2碳化硅层，形成第2碳化硅层之后，以第3气体条件供给第3工艺气体，以大于第2生长速度的第3生长速度形成具有比第1掺杂浓度及第2掺杂浓度低的第3掺杂浓度的第3碳化硅层。杂浓度低的第3掺杂浓度的第3碳化硅层。杂浓度低的第3掺杂浓度的第3碳化硅层。

【技术实现步骤摘要】
气相生长方法及气相生长装置
[0001]关联申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2021
‑
182164号(申请日：2021年11月8日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术涉及供给气体而形成膜的气相生长方法及气相生长装置。

技术介绍

[0004]作为形成高品质的半导体膜的方法，有在晶圆等基板上通过气相生长使单晶膜生长的外延生长技术。就使用外延生长技术的气相生长装置而言，在保持为常压或减压的反应室内的基板保持部中载置晶圆。
[0005]然后，一边将该晶圆加热，一边将成为半导体膜的原料的源气体等工艺气体例如从反应室上部供给至反应室内的晶圆表面。在晶圆表面产生源气体的热分解和化学反应，在晶圆表面形成外延单晶膜。
[0006]在基板上使用外延生长技术来形成碳化硅层时，会在碳化硅层中生成晶体缺陷。若在碳化硅层中存在晶体缺陷，则例如形成于碳化硅层上的半导体器件的可靠性降低，成为问题。因此，期望降低碳化硅层中的晶体缺陷密度。
专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相生长方法，其向反应室中以第1气体条件供给包含载气的第1工艺气体，在碳化硅基板上以第1生长速度形成具有第1掺杂浓度的第1碳化硅层，形成所述第1碳化硅层之后，向所述反应室中以第2气体条件供给包含载气的第2工艺气体，以大于所述第1生长速度的第2生长速度形成具有第2掺杂浓度的第2碳化硅层，形成所述第2碳化硅层之后，向所述反应室中以第3气体条件供给包含载气的第3工艺气体，以大于所述第2生长速度的第3生长速度形成具有比所述第1掺杂浓度及所述第2掺杂浓度低的第3掺杂浓度的第3碳化硅层。2.根据权利要求1所述的气相生长方法，其中，所述第2碳化硅层的厚度比第1碳化硅层的厚度厚，所述第3碳化硅层的厚度比所述第2碳化硅层的厚度厚。3.根据权利要求1所述的气相生长方法，其中，在形成所述第1碳化硅层之后，在从所述第1气体条件切换至所述第2气体条件的第1过渡时间的期间，形成第1过渡层，在形成所述第2碳化硅层之后，在从所述第2气体条件切换至所述第3气体条件的第2过渡时间的期间，形成第2过渡层，形成所述第1过渡层时的所述载气在所述反应室中的平均滞留时间比所述第1过渡时间短，形成所述第2过渡层时的所述载气在所述反应室中的平均滞留时间比所述第2过渡时间短。4.根据权利要求1所述的气相生长方法，其中，所述第2工艺气体中的碳/硅原子比小于所述第1工艺气体中的碳/硅原子比，所述第3工艺气体中的碳/硅原子比大于所述第2工艺气体中的碳/硅原子比。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：醍醐佳明，森山义和，渡部亨，岩崎真宝，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：