一种应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置，涉及碳化硅成膜装置技术领域，包括与排气口连接的排气管，排气管上依次设置有用于冷却气体的冷却机构、比例阀、真空泵和废气处理机构，排气管上在比例阀安装位置处还设置有加热组件，比例阀的排气端通过竖直管段连接收集器，竖直管段的侧壁设置开口与真空泵连通；本实用新型专利技术通过在排气口与排气管的连接位置设置冷却机构，不仅能够避免高温气体直接进入影响管道密封，还能够避免残余的未反应气体和尾气可能在高温环境下加速反应生成沉积物堵塞管路或者侵蚀管壁的问题出现；比例阀的安装位置设置加热组件，能够使易附着物升温至液态保持流动，避免堵塞。避免堵塞。避免堵塞。

【技术实现步骤摘要】
一种应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置


[0001]本技术涉及碳化硅成膜装置
，特别是涉及一种应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置。

技术介绍

[0002]以往，在如绝缘栅双极型晶体管等功率器件那样的需要膜厚比较大的结晶膜的半导体元件的制造中，应用了外延生长技术。
[0003]在外延生长技术所使用的气相生长方法中，在将基板载放到成膜室内的状态下，使成膜室内的压力为常压或减压。然后，在对基板进行加热的同时，向成膜室内供给反应性气体。于是，在基板的表面上气体产生热解反应或氢还原反应而形成气相生长膜。
[0004]为了制造膜厚较大的气相生长膜，需要将基板均匀地加热并且使从外部供给的反应性气体与基板表面不断接触。所以，采用了在使基板高速旋转的同时进行成膜处理的技术。
[0005]成膜装置制备碳化硅薄膜，碳源和硅源气体从成膜装置顶部进气室向下通入，在高温环境下与晶片衬底接触形成碳化硅薄膜，反应副产物和残余气体从排气口进入真空管道，如申请号为“201310093006.3”，名称为“碳化硅的成膜装置及成膜方法”的专利技术专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置，所述碳化硅成膜装置的底部设置有排气口，其特征在于，所述硅烷收集装置包括与所述排气口连接的排气管，沿排出气体的流通方向，所述排气管上依次设置有用于冷却气体的冷却机构、比例阀、真空泵和废气处理机构，所述冷却机构设置在所述排气管与所述排气口的连接处，所述排气管上在所述比例阀安装位置处还设置有加热组件；所述比例阀的排气端通过竖直管段连接收集器，所述竖直管段的侧壁设置开口与所述真空泵连通。2.根据权利要求1所述的应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置，其特征在于，所述冷却机构包括与所述排气口连接的冷却夹套法兰和设置在所述排气管外壁上的冷却盘管，所述冷却盘管与冷水循环系统连接。3.根据权利要求2所述的应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置，其特征在于，所述加热组件包括缠绕在所述排气管外壁上的加热丝和包裹在所述加热丝外部的保温棉。4.根据权利要求1所述的应用在碳化硅成膜装置中的硅烷收集装置，其特征在于，所述硅烷收集装置还包括用于测量所述排气管内压力的压力传感器和控制器，所述压力传感器设置在所述比例阀的前端，所述控制器与所述压力传感器、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：