外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置。外延晶圆生产设备包括反应腔以及设置于所述反应腔内的气体输入管路和排气管路，其中，所述排气管路用于排出所述反应腔内的气体，所述气体输入管路包括主输入管路和辅助输入管路，所述主输入管路和所述辅助输入管路独立控制，所述主输入管路用于向所述反应腔输入掺杂气体和硅源气体，所述辅助输入管路用于向所述反应腔输入掺杂气体。本发明专利技术通过设置辅助输入管路在外延晶圆的成膜阶段输入辅助掺杂气体，能够改善成膜效果，提高外延晶圆的电阻率的均一性。晶圆的电阻率的均一性。晶圆的电阻率的均一性。

【技术实现步骤摘要】
外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置。

技术介绍

[0002]外延晶圆一般是通过化学气相沉积的方式在硅晶圆上生长一层外延薄膜得到。在外延生长装置内，将硅晶圆暴露于反应气体中，通过化学气相反应，在硅晶圆表面沉积一层硅单晶薄膜。衬底在外延过程中受热形变会引入热应力，当热应力等内应力大于外延工艺中晶格滑移的应力临界值时便会产生滑移线。外延层的电阻率均匀性通过控制外延工艺的不同区域的加热功率比进行调节，但温度变化会影响滑移的产生,为防止滑移的产生，加热功率比将会被限制在一定范围内，这导致电阻率均匀性难以优化。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置，以解决现有外延晶圆电阻率均匀性难以优化的问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术是这样实现的:
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种外延晶圆生产设备，包括反应腔以及设置于所述反应腔内的气体输入管路和排气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延晶圆生产设备，其特征在于，包括反应腔以及设置于所述反应腔内的气体输入管路和排气管路，其中，所述排气管路用于排出所述反应腔内的气体，所述气体输入管路包括主输入管路和辅助输入管路，所述主输入管路和所述辅助输入管路独立控制，所述主输入管路用于向所述反应腔输入掺杂气体和硅源气体，所述辅助输入管路用于向所述反应腔输入掺杂气体。2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述主输入管路包括对应所述反应腔中央区域的第一主管路以及对应所述反应腔边缘区域的第二主管路。所述辅助输入管路包括对应所述反应腔中央区域的第一辅助管路和/或对应所述反应腔边缘区域的第二辅助管路；其中，所述边缘区域环绕所述中央区域。3.一种外延晶圆生产方法，其特征在于，应用于权利要求1或2所述的外延晶圆生产设备，所述方法包括以下步骤:将单晶硅衬底移动至反应腔内；在外延工艺的第一阶段，通过所述主输入管路向所述反应腔通入掺杂气体和硅源气体；在外延工艺的第二阶段，通过所述主输入管路向所述反应腔通入掺杂气体和硅源气体，以及通过所述辅助输入管路向所述反应腔通入掺杂气体。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在外延工艺的第一阶段，所述方法还包括：控制所述反应腔上方的中央区域的加热功率为上加热模组总功率的65％至75％，控制所述反应腔下方的中央区域的加热功率为下加热模组总功率的15％至20％；控制所述主输入管路的气体流量为280至300sccm。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在外延工艺的第二阶段，所述方法还包括：控制所述主输入管路的气体流量为220至270sccm，控制所述辅助输入管路向所述反应腔的中央区域通入掺杂气体，且气体流量为20至50sccm。6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在外延工艺的第一阶段，所述方法还包括：控制所述反应腔上方的中央区域的加热功率为上加热模组总功...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贤斌，金柱炫，张海博，梁鹏欢，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：