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西安奕斯伟硅片技术有限公司专利技术
西安奕斯伟硅片技术有限公司共有644项专利
硅片缺陷检测设备和硅片缺陷检测方法技术
本发明提供了一种硅片缺陷检测设备和硅片缺陷检测方法,涉及半导体技术领域,所述硅片缺陷检测设备,包括:水平检测装置和
外延生长设备及其温度控制方法技术
本发明提供了一种外延生长设备及其温度控制方法,属于半导体制造技术领域
晶圆搬运机械手及晶圆传输设备制造技术
本发明提供了一种晶圆搬运机械手及晶圆传输设备,属于半导体制造技术领域
硅片边缘抛光装置制造方法及图纸
本发明提供了一种硅片边缘抛光装置,属于半导体技术领域
标签传送系统和标签打印设备技术方案
本公开涉及标签传送系统和包括该标签传送系统的标签打印设备
一种外延生长方法技术
本发明实施例公开了一种外延生长方法
研磨液供给方法及装置制造方法及图纸
本发明提供了一种研磨液供给方法及装置,属于半导体制造技术领域
一种硅片清洗设备制造技术
本发明提供了一种硅片清洗设备
硅片厚度测量装置和硅片厚度测量方法制造方法及图纸
本发明提供了一种硅片厚度测量装置和硅片厚度测量方法,属于半导体技术领域
外延反应腔室的监测装置及方法制造方法及图纸
本发明提供了一种外延反应腔室的监测装置及方法,属于半导体制造技术领域
一种用于背封晶圆的装置及方法制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种用于背封晶圆的装置及方法,所述装置包括:供应单元,所述供应单元用于将反应气体供应至所述晶圆以在所述晶圆上生长背封膜;调节单元,所述调节单元用于对被供应的反应气体的温度进行调节,使得供应至所述晶圆的径向中心区域的反应...
一种抛光固定装置及系统制造方法及图纸
本发明提供了一种抛光固定装置及系统
石英钟罩的处理方法及装置制造方法及图纸
本发明提供了一种石英钟罩的处理方法及装置,属于半导体制造技术领域
一种硅片表面离子采集装置及方法制造方法及图纸
本公开提供一种硅片表面离子采集装置及方法,该装置包括:承载台,承载台用于承载硅片,硅片表面包括第一区域和第二区域;扫描单元,包括位于承载台上方的扫描头,扫描头与承载台之间可相对运动,以向第一区域涂布扫描液;吹扫单元,包括位于承载台上方的...
硅片表面金属离子的采集装置及方法制造方法及图纸
本发明提供了一种硅片表面金属离子的采集装置及方法,属于半导体制造技术领域
一种用于对不合格晶棒节段进行破碎的系统及方法技术方案
本发明实施例公开了一种用于对不合格晶棒节段进行破碎的系统及方法,该系统可以包括:容纳单元;切割单元,所述切割单元用于从所述不合格晶棒节段中切割出片状的板材;铺设单元,所述铺设单元用于将所述板材以面接触的方式铺满所述容纳单元的内壁;装填单...
外延生长装置及外延生长方法制造方法及图纸
本公开提供一种外延生长装置及外延生长方法,包括:反应腔;基座;加热模组,包括上灯组单元和下灯组单元,上灯组单元和下灯组单元包括内灯组和外灯组;控制单元,用于基于预设参数设定规则,控制加热模组的工作状态;预设参数设定规则被配置为:上灯组单...
外延生长装置及预热环与基座相对位置校正方法制造方法及图纸
本公开提供一种外延生长装置及预热环与基座相对位置校正方法,装置包括:反应腔室,侧壁上设通孔;基座,绕垂直承载面方向的中心轴可转动;预热环,活动安装至反应腔室内且位于基座的径向外侧,预热环与基座之间具有间隙,预热环的周向外侧面上在第一水平...
一种角度规及硅片研磨装置制造方法及图纸
本发明提供了一种角度规及硅片研磨装置,涉及半导体制造技术领域
检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法制造方法及图纸
本发明实施例公开了一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法;该检测晶圆缺陷类型的方法包括:接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像;所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域;根据所述过渡区域图像的图像特...
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