一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，包括加热系统和反应系统，所述加热系统的外表面设置有存储盒，所述反应系统安装于加热系统的右侧，所述反应系统的右侧设置有支撑柱，且支撑柱的前方设置有固定杆，所述固定杆的右侧设置有滑槽二，且滑槽二的内部设置有滑块。该用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，与现有的普通化学气相沉积设备相比，通过反应系统右侧的支撑柱表面设置的滑槽二，使保护壳上固定的滑块进行移动个，从而使盖板通过转轴二打开，并且使用固定杆和伸缩杆对保护壳，进行固定和支撑，从而对输气管道进行保护，避免了在使用过程中造成的损坏，且便于对输气管道的检测和维修。且便于对输气管道的检测和维修。且便于对输气管道的检测和维修。

【技术实现步骤摘要】
一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备


[0001]本技术涉及超薄晶体薄膜生产
，具体为一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备。

技术介绍

[0002]超薄晶体薄膜的生产需要使用到化学气相沉积设备，化学气相沉积设备是利用气态或蒸汽态的物质在设备上的工艺腔体内发生化学反应，从而在晶圆表面形成一层 沉淀薄膜，此层薄膜在集成电路制备中有着重要的作用。化学气相沉积设备另有气柜机构，为每个工艺腔提供工艺气体的输出，其内部有气体流量控制器，保证通过管路输出到工艺腔的气体的比例和流量，以实现正确的化学反应。
[0003]现有的化学气相沉积设备，大多数都是有独立的气柜机构，在设备的使用时，需要把设备与独立的气柜连接，然而在设备的输气管道裸露在外，容易导致在加工的过程中，或者工人的操作不当，从而导致输气管道的损坏，导致有害气体的泄露，从而造成更严重的危害。
[0004]于是，有鉴于此，针对现有的结构不足予以研究改良，提出一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，包括加热系统和反应系统，所述加热系统的外表面设置有存储盒，且存储盒的内部设置有转轴一，所述转轴一的表面设置有遮光薄膜，且遮光薄膜的另一端安装有拉杆，所述遮光薄膜的后方设置有观察屏，所述拉杆的右侧设置有滑槽一，且滑槽一的下方设置有固定槽，所述反应系统安装于加热系统的右侧，所述反应系统的右侧设置有支撑柱，且支撑柱的前方设置有固定杆一，所述固定杆一的右侧设置有滑槽二，且滑槽二的内部设置有滑块，所述支撑柱的右侧安装有保护壳，且保护壳的上方设置有转轴二，所述转轴二的后方设置有盖板，所述保护壳的下方设置有伸缩杆，所述保护壳的内部设置有输气管道，且输气管道的右侧设置有第一套筒。
[0007]进一步的，所述第一套筒的下方设置有顶杆，所述输气管道的下方设置有进气管，且进气管的右侧设置有顶托。
[0008]进一步的，所述顶托的右侧设置有固定杆二，且固定杆二的右侧设置有第三套筒，所述第三套筒的内部设置有弹簧一，且弹簧一的内部设置有液压杆。
[0009]进一步的，所述液压杆的右侧设置有活动轴，且活动轴的右侧设置有弹簧二，所述第三套筒的上方设置有第二套筒。
[0010]进一步的，所述滑块与保护壳固定连接，且滑块为长方体。
[0011]进一步的，所述固定杆二与第三套筒贯穿，且固定杆二的中轴线与第三套筒的中轴线相重合。
[0012]进一步的，所述第一套筒与第二套筒滑动连接，且第一套筒的中轴线与第二套筒的中轴线相重合。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]1.本技术通过加热系统、存储盒、转轴一、遮光薄膜、滑槽一、拉杆、固定槽和观察屏的设置，通过加热系统安装的观察屏，对加工的过程进行观察，并且通过拉动拉杆经过滑槽一，抽出遮光薄膜，带动存储盒内部的转轴一转动，从而把拉杆固定到固定槽，从而便于对加工过程的观察，并且对观测员的眼睛进行保护；
[0015]2.本技术通过反应系统、支撑柱、固定杆一、滑槽二、滑块、保护壳、转轴二、盖板、伸缩杆的设置，通过反应系统右侧的支撑柱表面设置的滑槽二，使保护壳上固定的滑块进行移动个，从而使盖板通过转轴二打开，并且使用固定杆一和伸缩杆对保护壳，进行固定和支撑，从而对输气管道进行保护，避免了在使用过程中造成的损坏，且便于对输气管道的检测和维修；
[0016]3.本技术通过输气管道、第一套筒、顶杆、进气管、顶托、固定杆二、第三套筒、弹簧一、液压杆、活动轴和第二套筒的设置，通过把进气管与输气管道连接使，拉动第二套筒使第一套筒下方固定的顶杆，使固定杆二和第三套筒通过活动轴打开，，安装结束后，再次拉动第二套筒，使顶托经过弹簧一和液压杆对进气管进行固定，从而达到了对进气管的固定，避免了接口的松动，从而防止气体的泄露。
附图说明
[0017]图1为本技术整体立体结构示意图；
[0018]图2为本技术保护壳主视剖视结构示意图；
[0019]图3为本技术观察屏主视剖视结构示意图；
[0020]图4为本技术图2中A处放大结构示意图。
[0021]图中：1、加热系统；2、存储盒；3、转轴一；4、遮光薄膜；5、滑槽一；6、拉杆；7、固定槽；8、观察屏；9、反应系统；10、支撑柱；11、固定杆一；12、滑槽二；13、滑块；14、保护壳；15、转轴二；16、盖板；17、伸缩杆；18、输气管道；19、第一套筒；20、顶杆；21、进气管；22、顶托；23、固定杆二；24、第三套筒；25、弹簧一；26、液压杆；27、活动轴；28、第二套筒；29、弹簧二。
具体实施方式
[0022]如图1
‑
图2所示，一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，包括加热系统1和反应系统9，加热系统1的外表面设置有存储盒2，且存储盒2的内部设置有转轴一3，转轴一3的表面设置有遮光薄膜4，且遮光薄膜4的另一端安装有拉杆6，遮光薄膜4的后方设置有观察屏8，通过加热系统1安装的观察屏8，对加工的过程进行观察，并且通过拉动拉杆6经过滑槽一5，抽出遮光薄膜4，带动存储盒2内部的转轴一3转动，从而把拉杆6固定到固定槽7，从而便于对加工过程的观察，并且对观测员的眼睛进行保护，拉杆6的右侧设置有滑槽一5，且滑槽一5的下方设置有固定槽7，反应系统9安装于加热系统1的右侧，反应系统9的右侧设置有支撑柱10，且支撑柱10的前方设置有固定杆一11，固定杆一11的右侧设置有滑槽二12，
且滑槽二12的内部设置有滑块13，支撑柱10的右侧安装有保护壳14，且保护壳14的上方设置有转轴二15，滑块13与保护壳14固定连接，且滑块13为长方体，转轴二15的后方设置有盖板16，保护壳14的下方设置有伸缩杆17，保护壳14的内部设置有输气管道18，通过反应系统9右侧的支撑柱10表面设置的滑槽二12，使保护壳14上固定的滑块13进行移动个，从而使盖板16通过转轴二15打开，并且使用固定杆一11和伸缩杆17对保护壳14，进行固定和支撑，从而对输气管道18进行保护，避免了在使用过程中造成的损坏，且便于对输气管道18的检测和维修。
[0023]如图3
‑
图4所示，输气管道18的右侧设置有第一套筒19，第一套筒19的下方设置有顶杆20，输气管道18的下方设置有进气管21，且进气管21的右侧设置有顶托22，顶托22的右侧设置有固定杆二23，且固定杆二23的右侧设置有第三套筒24，固定杆二23与第三套筒24贯穿，且固定杆二23的中轴线与第三套筒24的中轴线相重合，第三套筒24的内部设置有弹簧一25，且弹簧一25的内部设置有液压杆26，液压杆26的右侧设置有活动轴27，且活动轴27的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，包括加热系统（1）和反应系统（9），其特征在于，所述加热系统（1）的外表面设置有存储盒（2），且存储盒（2）的内部设置有转轴一（3），所述转轴一（3）的表面设置有遮光薄膜（4），且遮光薄膜（4）的另一端安装有拉杆（6），所述遮光薄膜（4）的后方设置有观察屏（8），所述拉杆（6）的右侧设置有滑槽一（5），且滑槽一（5）的下方设置有固定槽（7），所述反应系统（9）安装于加热系统（1）的右侧，所述反应系统（9）的右侧设置有支撑柱（10），且支撑柱（10）的前方设置有固定杆一（11），所述固定杆一（11）的右侧设置有滑槽二（12），且滑槽二（12）的内部设置有滑块（13），所述支撑柱（10）的右侧安装有保护壳（14），且保护壳（14）的上方设置有转轴二（15），所述转轴二（15）的后方设置有盖板（16），所述保护壳（14）的下方设置有伸缩杆（17），所述保护壳（14）的内部设置有输气管道（18），且输气管道（18）的右侧设置有第一套筒（19）。2.根据权利要求1所述的一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一套筒（19）的下方设置有顶杆（20），所述输气管道（18）的下方设置有进气管（2...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾泉，
申请(专利权)人：江苏旭宇腾半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：