一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备制造技术

技术编号:36998051 阅读:34 留言:0更新日期:2023-03-25 18:20
本实用新型专利技术公开了一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备,包括加热系统和反应系统,所述加热系统的外表面设置有存储盒,所述反应系统安装于加热系统的右侧,所述反应系统的右侧设置有支撑柱,且支撑柱的前方设置有固定杆,所述固定杆的右侧设置有滑槽二,且滑槽二的内部设置有滑块。该用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备,与现有的普通化学气相沉积设备相比,通过反应系统右侧的支撑柱表面设置的滑槽二,使保护壳上固定的滑块进行移动个,从而使盖板通过转轴二打开,并且使用固定杆和伸缩杆对保护壳,进行固定和支撑,从而对输气管道进行保护,避免了在使用过程中造成的损坏,且便于对输气管道的检测和维修。且便于对输气管道的检测和维修。且便于对输气管道的检测和维修。

【技术实现步骤摘要】
一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备


[0001]本技术涉及超薄晶体薄膜生产
,具体为一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备。

技术介绍

[0002]超薄晶体薄膜的生产需要使用到化学气相沉积设备,化学气相沉积设备是利用气态或蒸汽态的物质在设备上的工艺腔体内发生化学反应,从而在晶圆表面形成一层 沉淀薄膜,此层薄膜在集成电路制备中有着重要的作用。化学气相沉积设备另有气柜机构,为每个工艺腔提供工艺气体的输出,其内部有气体流量控制器,保证通过管路输出到工艺腔的气体的比例和流量,以实现正确的化学反应。
[0003]现有的化学气相沉积设备,大多数都是有独立的气柜机构,在设备的使用时,需要把设备与独立的气柜连接,然而在设备的输气管道裸露在外,容易导致在加工的过程中,或者工人的操作不当,从而导致输气管道的损坏,导致有害气体的泄露,从而造成更严重的危害。
[0004]于是,有鉴于此,针对现有的结构不足予以研究改良,提出一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种用于超本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备,包括加热系统(1)和反应系统(9),其特征在于,所述加热系统(1)的外表面设置有存储盒(2),且存储盒(2)的内部设置有转轴一(3),所述转轴一(3)的表面设置有遮光薄膜(4),且遮光薄膜(4)的另一端安装有拉杆(6),所述遮光薄膜(4)的后方设置有观察屏(8),所述拉杆(6)的右侧设置有滑槽一(5),且滑槽一(5)的下方设置有固定槽(7),所述反应系统(9)安装于加热系统(1)的右侧,所述反应系统(9)的右侧设置有支撑柱(10),且支撑柱(10)的前方设置有固定杆一(11),所述固定杆一(11)的右侧设置有滑槽二(12),且滑槽二(12)的内部设置有滑块(13),所述支撑柱(10)的右侧安装有保护壳(14),且保护壳(14)的上方设置有转轴二(15),所述转轴二(15)的后方设置有盖板(16),所述保护壳(14)的下方设置有伸缩杆(17),所述保护壳(14)的内部设置有输气管道(18),且输气管道(18)的右侧设置有第一套筒(19)。2.根据权利要求1所述的一种用于超薄晶体薄膜生产的化学气相沉积设备,其特征在于,所述第一套筒(19)的下方设置有顶杆(20),所述输气管道(18)的下方设置有进气管(2...

【专利技术属性】
技术研发人员:顾泉
申请(专利权)人:江苏旭宇腾半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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