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本发明提供能够降低碳化硅层中的晶体缺陷密度的气相生长方法及气相生长装置。实施方式的气相生长方法向碳化硅基板上以第1气体条件供给第1工艺气体，以第1生长速度形成具有第1掺杂浓度的第1碳化硅层，在形成第1碳化硅层之后，以第2气体条件供给第2工艺...
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