一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，包括进气机构、初分散机构、孔板组件；所述进气机构的出气端开设有第一通气孔；所述初分散机构固定安装在所述进气机构的出气端；所述初分散机构内开设有若干与所述第一通气孔连通的导气孔组件；所述孔板组件固定安装在所述初分散机构远离所述第一通气孔的一端；所述孔板组件用于将所述导气孔组件内的气流分散后排出；其中，所述第一通气孔、所述导气孔组件、所述孔板组件的导流方向均与所述进气机构内气流方向垂直设置。本发明专利技术可将水平气流转换为均匀的垂直气流，解决现有水平外延炉的水平气流导致流场不均匀的缺陷，提高碳化硅外延片的成型质量。延片的成型质量。延片的成型质量。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置


[0001]本专利技术涉及半导体材料生长设备领域，特别是涉及一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置。

技术介绍

[0002]相对传统硅材料而言，碳化硅材料由于具有更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带，使得碳化硅功率器件具有高电压、低损耗、高效率等特点，逐步在智能电网及电力输运、轨道交通及机车牵引、电动/混合动力汽车、光伏逆变及风能变流等领域取代传统硅基功率器件。碳化硅功率器件整个制备流程中，碳化硅外延片的质量很大程度上影响最终器件的性能。
[0003]目前碳化硅外延主流的方法是化学气相沉积，使用的设备是水平外延炉，比如LPE公司的PE1O6。碳化硅水平外延炉的气流沿水平方向进入设备内部，流经碳化硅衬底表面，气体在衬底表面上会发生化学反应而沉积，造成的消耗使得反应气体和掺杂气体浓度变化，碳化硅衬底片先接触气流的地方气体浓度高，而后接触气流的地方浓度低，从而导致膜厚和掺杂浓度不稳定。碳化硅外延片的质量会直接影响器件的性能。
[0004]为此，提出一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，其特征在于，包括：进气机构(1)，所述进气机构(1)的出气端开设有第一通气孔(101)；初分散机构，所述初分散机构固定安装在所述进气机构(1)的出气端；所述初分散机构内开设有若干与所述第一通气孔(101)连通的导气孔组件；孔板组件，所述孔板组件固定安装在所述初分散机构远离所述第一通气孔(101)的一端；所述孔板组件用于将所述导气孔组件内的气流分散后排出；其中，所述第一通气孔(101)、所述导气孔组件、所述孔板组件的导流方向均与所述进气机构(1)内气流方向垂直设置。2.根据权利要求1所述的碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，其特征在于：所述初分散机构包括：连接板(2)，所述连接板(2)固接在所述进气机构(1)的出气端；所述连接板(2)上开设有第二通气孔(4)；导流器，所述导流器固接在所述连接板(2)远离所述第二通气孔(4)的一端；所述导流器内开设有若干所述导气孔组件，所述导气孔组件通过所述第二通气孔(4)与所述第一通气孔(101)连通；其中，所述孔板组件固定安装在所述导流器远离所述连接板(2)的一端；所述第二通气孔(4)与所述第一通气孔(101)导流方向相同。3.根据权利要求2所述的碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，其特征在于：所述导流器包括导流器本体(3)，所述导流器本体(3)固接在所述连接板(2)远离所述第一通气孔(101)的一端；所述导流器本体(3)的顶部开设有与所述第二通气孔(4)连通的中心通孔(5)；所述导流器本体(3)内开设有若干所述导气孔组件，所述导气孔组件与所述中心通孔(5)连通；所述中心通孔(5)与所述第一通气孔(101)导流方向相同；所述孔板组件固定安装在所述导流器本体(3)的底部。4.根据权利要求3所述的碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，其特征在于：所述导气孔组件包括开设在所述导流器本体(3)内的主导气孔(6)；若干所述主导气孔(6)均与所述中心通孔(5)连通；所述主导气孔(6)上连通有辅助导气孔(7)；若干所述主导气孔(6)和若干所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马宏平，郭运铎，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：