气相沉积过程制造技术

本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法，涉及含元素金属或半金属的层，涉及半导体结构和器件，以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供金属或半金属前体，以及以气相向反应室中提供还原剂，以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料。根据该方法的还原剂包括选自包含含锗取代基的化合物的环己二烯化合物。基的化合物的环己二烯化合物。基的化合物的环己二烯化合物。

【技术实现步骤摘要】
气相沉积过程


[0001]本公开涉及用于制造半导体器件的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于在衬底上沉积金属或半金属的方法和设备，以及包含金属或半金属的层。

技术介绍

[0002]先进技术节点的半导体器件制造需要在大面积和复杂的3D结构上均匀沉积高质量的薄膜。循环沉积过程可用于金属和半金属材料的沉积。然而，适用于这种材料的循环沉积的还原剂，尤其是在低沉积温度下，是不常见的，并且成本过高。
[0003]在气相沉积技术中，寻求热处理，因为等离子体可能损坏下面的衬底材料或损害过程的保形性。然而，由于缺乏有效的还原剂与合适的前体结合，ALD沉积金属和半金属受到阻碍。最常用的还原剂比如H2和NH3通常需要超过200℃的沉积温度以达到足够的反应性。其他还原剂可能具有与腐蚀性或沉积材料中包含不需要的元素相关的缺点。
[0004]因此，本领域需要用于在低温下沉积金属和半金属材料的新型还原剂。
[0005]该部分中阐述的任何讨论(包括对问题和解决方案的讨论)已被包括在本公开中仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法，该方法包括：在反应室中提供衬底；以气相向反应室提供金属或半金属前体；以及以气相向反应室中提供还原剂，以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料；其中还原剂包含选自式(I)化合物的环己二烯化合物，其中，Z1和Z2中的每个独立地选自CR
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和N，R1至R
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中的每个独立地是H、C1至C7直链或支链烷基、C6至C10芳基或者C6至C14杂芳基。2.根据权利要求1所述的方法，其中，R
11
是H。3.根据权利要求1所述的方法，其中，Z1和Z2是N。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，R7至R
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中的每个独立地选自由H、C1至C4直链和支链烷基和苯基构成的组。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所有R7至R
10
是H。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，R1至R6中的每个独立地选自由H、甲基、乙基、正丙基和异丙基构成的组。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所有R1至R6是甲基或乙基。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所有R1至R6是甲基。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述环己二烯化合物是1,4
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双(三甲基锗烷基)
‑
1,4
‑
二氢吡嗪。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属或半金属前体是金属前体，并且元素金属沉积在衬底上。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属或半金属前体是过渡金属前体，并且元素过渡金属沉积在衬底上。12.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：T哈坦帕，A维赫尔瓦亚拉，M瑞塔拉，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：