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本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法,涉及含元素金属或半金属的层,涉及半导体结构和器件,以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底,以气相向反应室提供金...该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法,涉及含元素金属或半金属的层,涉及半导体结构和器件,以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底,以气相向反应室提供金...