半导体设备及其气体管路、工艺气体的加热方法技术

本发明专利技术公开了半导体设备及其气体管路、工艺气体的加热方法，所述气体管路包括：由气体供应源到半导体处理设备的反应腔的方向上依次连接的第一区段、第二区段和第三区段，所述第二区段上设置有流量控制器件；所述第一区段与第三区段上分别设置有可独立控温的第一加热单元、第二加热单元，用于分别加热第一区段及第三区段，从而分区加热气体管路内工艺气体。本发明专利技术通过分区加热气体管路进而分区加热气体管路内的工艺气体，一方面可以提高工艺气体温度，以避免其凝结在气体管路中造成气体管路压力变化以及薄膜沉积质量低问题，另一方面可以避免流入到流量控制器件内的工艺气体的温度过高而损坏所述流量控制器件。温度过高而损坏所述流量控制器件。温度过高而损坏所述流量控制器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备及其气体管路、工艺气体的加热方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种本导体设备及其气体管路、工艺气体的加热方法。

技术介绍

[0002]在半导体芯片生产过程中，需要进行大量的微观加工，其中常用的方式为采用气相沉积或等离子体处理工艺利用真空反应腔对半导体衬底进行处理加工。根据沉积过程是否含有化学反应，气相沉积可分为物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，简称PVD)和化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)。其中，CVD目前是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在衬底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，通常来说其原理为将工艺气体通入到承载有衬底的反应腔中，然后通过加热将工艺气体沉积在衬底表面，从而在衬底表面生长出薄膜。
[0003]有些工艺气体，在进入反应腔之前是固体状态，需要加热将固体状态的工艺气体加热到一定温度，使工艺气体在进入反应腔之前气化成气体，然而气化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理设备的气体管路，所述气体管路用于将工艺气体从气体供应源传输至半导体处理设备的反应腔内，其特征在于，所述气体管路包括：第一区段、第二区段和第三区段，所述第一区段、第二区段和第三区段由气体供应源到半导体处理设备的反应腔的方向上依次连接；其中，所述第二区段上设置有流量控制器件；所述第一区段与第三区段上分别设置有可独立控温的第一加热单元、第二加热单元，用于分别加热第一区段及第三区段，从而分区加热气体管路内工艺气体。2.如权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述第一加热单元和第二加热单元分别为缠绕在所述第一区段和第三区段上的加热带，且第一加热单元的缠绕密度小于第二加热单元的缠绕密度。3.如权利要求2所述的气体管路，其特征在于，所述加热带包括电阻丝。4.如权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述第一区段具有第一加热温度，所述第一加热温度低于所述流量控制器件的安全温度。5.如权利要求4所述的气体管路，其特征在于，所述流量控制器件的安全温度范围为50
°‑
60
°
。6.如权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述第一区段和第三区段不包括流量控制器件。7.如权利要求1所述的气体管路，其特征在于，还包括：加热电源，其用于为所述第一加热单元和第二加热单元提供加热功率；第一温度控制装置，其与所述第一加热单元连接，用于控制第一加热单元的加热功率以控制第一区段内工艺气体的温度；第二温度控制装置，其与所述第二加热单元连接，用于控制第二加热单元的加热功率以控制第三区段内工艺气体的温度。8.如权利要求7所述的气体管路，其特征在于，还包括：第一温度传感器和第二温度传感器；其中，所述第一温度传感器设置于所述第一区段与所述第二区段之间，用于监测第一区段内工艺气体的温度；所述第二温度传感器设置于所述第三区段与所述反应腔之间，用于监测第三区段内工艺气体的温度。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹宁，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：