一种半导体的沟槽填充方法技术

本发明专利技术提供一种半导体的沟槽填充方法，包括：S1、根据工艺气体不同的压力和对应的生长速率的关系曲线，获取关系曲线的斜率小于零所对应的工艺参数；S2、在衬底上形成沟槽；S3、通入第一工艺气体和第二工艺气体，根据所述工艺参数进行化学气相沉积工艺形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜填充所述沟槽；其中，所述工艺参数在化学气相沉积工艺过程中保持不变；所述第一工艺气体为DCS，第二工艺气体为HCL。本发明专利技术提供的方法填充沟槽内的多晶硅薄膜，不会产生缝隙。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜生长，特别涉及一种半导体的沟槽薄膜填充的。

技术介绍

1、在半导体芯片制造过程中，有许多沟槽或深孔需要填充，现有的薄膜工艺填充沟槽或深孔后，容易导致缝隙，特别是深槽，这种现象更加明显。如图1的(a)所示，由于深槽或深孔结构从开口201、中部202到下部203区域，反应物逐渐被消耗，反应物浓度会逐渐降低，因此，薄膜的生长速率从开口201到下部203会逐渐降低，最终的填充效果会如图1的(a)所示，在薄膜中形成了缝隙。该缝隙缺陷通常会对微电子芯片功能造成影响。

2、现有技术中，为了解决上述问题，通常会使用沉积-刻蚀-沉积的多步骤工艺方式，或者将深槽或深孔结构做成开口201宽度大于下部203宽度的形状，如图1的(b)所示。但上述的几种解决方案一方面增加了工艺步骤，徒增成本，一方面对深沟槽或深孔的形状有了严格的限制和要求，对芯片的设计造成影响。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种半导体的沟槽填充方法，以解决上述问题。

2、为了实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体的沟槽填充方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述工艺参数包括温度、腔室压力及第一工艺气体和第二工艺气体的分压比。

3.如权利要求2所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述温度的范围为850-1000℃。

4.如权利要求2所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述压力的范围为10-200torr。

5.如权利要求2所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述分压比的范围为0.6-0.9。

6.如权利要求1-5任一所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述多晶硅薄...

【技术特征摘要】

1.一种半导体的沟槽填充方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述工艺参数包括温度、腔室压力及第一工艺气体和第二工艺气体的分压比。

3.如权利要求2所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述温度的范围为850-1000℃。

4.如权利要求2所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述压力的范围为10-200torr。

5.如权利要求2所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述分压比的范围为0.6-0.9。

6.如权利要求1-5任一所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜为多晶硅。

7.如权利要求1-5任一所述的半导体的沟槽填充方法，其特征在于，所述沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯虹全，吕培春，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：