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本发明提供一种半导体的沟槽填充方法，包括：S1、根据工艺气体不同的压力和对应的生长速率的关系曲线，获取关系曲线的斜率小于零所对应的工艺参数；S2、在衬底上形成沟槽；S3、通入第一工艺气体和第二工艺气体，根据所述工艺参数进行化学气相沉积工艺形...
该专利属于江苏天芯微半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏天芯微半导体设备有限公司授权不得商用。

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