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本发明公开了半导体设备及其气体管路、工艺气体的加热方法，所述气体管路包括：由气体供应源到半导体处理设备的反应腔的方向上依次连接的第一区段、第二区段和第三区段，所述第二区段上设置有流量控制器件；所述第一区段与第三区段上分别设置有可独立控温的第...
该专利属于江苏天芯微半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏天芯微半导体设备有限公司授权不得商用。

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