【技术实现步骤摘要】
一种具有均匀气氛场的气相沉积装置
[0001]本技术属于二维材料气相沉积
，具体涉及一种具有均匀气氛场的气相沉积装置。
技术介绍
[0002]二维材料因其物理和化学性质而受到极大关注，使其在电子和光电子领域具有广阔的应用前景。由于固体前驱体的浓度的难以控制和空间不均匀的生长动力学，如何大面积生长具有良好的均匀性和再现性的二维材料是具有挑战性的。
[0003]基于上述挑战，现有技术进行了相关研究，如探讨了不同气流流向对基底生长材料的分布、材料形貌和材料尺寸的影响；又如探寻了垂直化学气相沉积(VCVD)方法，设计以气体前驱体生长单层TMDCs，成功地在衬底上生长厘米大小的高均匀性和高质量的单层TMDCs，包括MoS2和WS2。
[0004]然而现有的气相沉积装置，其布置形式通常如图1所示，前驱体气流的流动方向或反应管的轴向(左右方向)与沉积方向(竖向)垂直，前驱体气流先到达样品台的左侧，再依次流向样品台的右侧，导致前驱体到达基底各个区域时产生浓度梯度；再结合气氛的不均匀分布和扩散，使基底沉积样品随位置不同而...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有均匀气氛场的气相沉积装置，包括反应管、包裹反应管并对反应管内形成的反应腔室进行控温的炉膛以及用于密封反应管两端的密封装置A和密封装置B，所述密封装置A上带有向反应管供气的进气管，所述密封装置B上带有输出反应管中气体的排气管；其特征在于：所述反应腔室内布置有与反应管的轴向垂直的石英片，所述石英片上均匀开设有多个气流均化通孔以及至少一个原料放置凹槽；所述排气管的内侧端通过支撑件支撑连接有与石英片间隔平行布置的样品台，所述样品台上装配有沉积基底。2.根据权利要求1所述的具有均匀气氛场的气相沉积装置，其特征在于：所述反应管垂直布置，所述石英片通过悬挂件悬挂在反应腔室...
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