一种半导体装置及半导体设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体加工技术领域，具体提供了一种半导体装置及半导体设备，所述半导体装置包括：反应腔室，所述反应腔室内设有加热盘；真空夹持组件，与所述反应腔室内的所述加热盘连接；其中，所述真空夹持组件的数量与所述反应腔室数量相对应，在所述真空夹持组件为偶数个的情况下，偶数个所述真空夹持组件对称设置。这样，每一个反应腔室配备一个独立的真空夹持组件，各自工作、互不影响，还可以减小工艺副产物抽出速度，减小副产物积累造成的管路堵塞、阀门内漏的现象，进而提高晶圆吸附效果、减少异常工艺表现。减少异常工艺表现。减少异常工艺表现。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体装置及半导体设备


[0001]本申请涉及半导体加工
，尤其是涉及一种半导体装置及半导体设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，晶圆放置在传送机构上，并通过传送机构运送到半导体设备处，将晶圆置于反应腔室的加热盘上，通过真空吸附将晶圆稳定夹持后对晶圆在加工。半导体加工装置中一般为两个反应腔室。
[0003]在相关技术中，两个反应腔室共用一组真空吸附管路，两个反应腔室同时进行晶圆解吸或吸附作用。
[0004]但由于两个反应腔室共用一组真空吸附管路，使得管路间气体分布不均匀且相互影响，若其中一个反应腔室连接的管路、阀门异常也会影响到另一个反应腔室，从而影响晶圆的夹持效果，导致工艺表现异常。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种半导体装置及半导体设备，以减少各反应腔室之间的互相干扰影响真空夹持效果的现象。
[0006]第一方面，本技术实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：
[0007]反应腔室，所述反应腔室内设有加热盘；
[0008]真空夹持组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室内设有加热盘；真空夹持组件，与所述反应腔室内的所述加热盘连接；其中，所述真空夹持组件的数量与所述反应腔室数量相对应，在所述真空夹持组件为偶数个的情况下，偶数个所述真空夹持组件对称设置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述真空夹持组件包括：第一连接管路，与所述加热盘连接；第二连接管路，与前级管路的顶端连接，所述前级管路的顶端还与所述反应腔室连通；第三连接管路，与所述前级管路的底端连接，所述前级管路的底端还与真空泵连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第一阀门，设于所述第一连接管路上，受控转动以导通或阻断第一连接管路；第二阀门，设于所述第二连接管路上，受控转动以导通或阻断第二连接管路；第三阀门，设于所述第三连接管路上，受控转动以导通或阻断第三连接管路。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述真空夹持组件还包括：真空硅，与所述第一连接管路、所述第二连接管路和...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮大鹏，阚金卓，柳雪，魏佳楠，殷皓，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：