本实用新型专利技术提供了一种一种晶圆冷却平台、一种前端模组以及一种半导体器件的加工装置。上述晶圆冷却平台包括支撑架，其中，支撑架围绕待冷却晶圆的多个冷却侧，并伸入晶圆的底部以支撑晶圆，支撑架为中空结构，其内部通有冷却循环水；气体管道，嵌于支撑架的中空结构，其进气口连接气源，而其出气口连接喷气头；以及喷气头，经由支撑架安装于晶圆的至少一个冷却侧，用于向晶圆喷洒冷却气体，以冷却晶圆。以冷却晶圆。以冷却晶圆。
【技术实现步骤摘要】
晶圆冷却平台、前端模组以及半导体器件的加工装置
[0001]本技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆冷却平台、一种前端模组以及一种半导体器件的加工装置。
技术介绍
[0002]在半导体加工领域中，工艺完成的晶圆(Wafer)从腔体出来温度会高于150摄氏度。如果将晶圆直接传送回晶舟盒(Foup)，晶圆会因为温度过高而粘着在晶舟盒里，从而造成粘片的现象并导致晶圆损坏。
[0003]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种晶圆冷却平台，用于使用冷却气体吹扫工艺完成的晶圆作冷却，以改善空气冷却效率慢、洁净度不佳的问题，并提高晶圆产能。
技术实现思路
[0004]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
[0005]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种晶圆冷却平台、一种前端模组(Equipment Front End Module，EFEM)，以及一种半导体器件的加工设备，能够使用冷却气体吹扫工艺完成的晶圆作冷却，以改善空气冷却效率慢、洁净度不佳的问题，并提高晶圆产能。
[0006]具体来说，根据本技术的第一方面提供的上述晶圆冷却平台包括：支撑架，其中，所述支撑架围绕待冷却晶圆的多个冷却侧，并伸入所述晶圆的底部以支撑所述晶圆，所述支撑架为中空结构，其内部通有冷却循环水；气体管道，嵌于所述支撑架的中空结构，其进气口连接气源，而其出气口连接喷气头；以及所述喷气头，经由所述支撑架安装于所述晶圆的至少一个所述冷却侧，用于向所述晶圆喷洒冷却气体，以冷却所述晶圆。
[0007]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述晶圆冷却平台包括多个所述喷气头，其中，各所述喷气头经由所述支撑架安装于所述晶圆的多个所述冷却侧，并分别连接所述气体管道的多个所述出气口，用于向所述晶圆喷洒交叉的冷却气体。
[0008]进一步地，在本技术的一些实施例中，多个所述喷气头经由所述支撑架分别安装于所述晶圆的各所述冷却侧的多个位置，用于向所述晶圆喷洒均匀的冷却气体。
[0009]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述气体管道由导热材料制成，用于在其内部的气体及所述冷却循环水之间传导热量，以冷却所述气体。
[0010]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述支撑架包括多根支撑立柱、多根支撑横梁，以及多个支撑托，其中，所述多根支撑横梁水平连接所述多根支撑立柱，并围绕所述晶圆的多个所述冷却侧，所述多个支撑托连接所述多根支撑横梁，并伸入所述晶圆的底
部以支撑所述晶圆。
[0011]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述支撑横梁包括位于所述支撑架底部的支撑底梁，所述晶圆冷却平台包括多根所述气体管道及冷却气体连接头，其中，所述冷却气体连接头设于所述支撑底梁，各所述气体管道的进气口分别连接所述冷却气体连接头，并经由所述冷却气体连接头连接所述气源，以获取冷却气体。
[0012]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述晶圆冷却平台包括多个阶层，用于冷却多个所述晶圆，其中，每一所述阶层配置有多根水平连接的所述支撑横梁，以及多个所述支撑托，以支撑并冷却对应的晶圆。
[0013]进一步地，在本技术的一些实施例中，每一所述阶层还配置有至少一个所述喷气头，以独立冷却对应的晶圆。
[0014]此外，根据本技术的第二方面提供的一种前端模组设置于半导体加工装置的装载腔的前端，包括：晶圆寻边器；晶舟盒；以及上述的晶圆冷却平台，其中，所述晶圆冷却平台被设置于所述晶圆寻边器的上方，用于在经由所述晶圆寻边器将所述装载腔输出的晶圆传输到所述晶舟盒之前，预冷却所述晶圆。
[0015]此外，根据本技术的第三方面提供的一种半导体器件的加工装置，包括上述的前端模组、装载腔、传输腔，以及反应腔。
附图说明
[0016]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0017]图1示出了根据本技术的一些实施例提供的半导体器件的加工设备的示意图。
[0018]图2示出了根据本技术的一些实施例提供的前端模组的前视示意图。
[0019]图3示出了根据本技术的一些实施例提供的冷却平台的侧视示意图。
[0020]图4示出了根据本技术的一些实施例提供的冷却平台的俯视示意图。
具体实施方式
[0021]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。虽然本技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此技术的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作技术介绍的目的是为了覆盖基于本技术的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本技术的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本技术也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本技术的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
[0022]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术
语在本技术中的具体含义。
[0023]另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的平台需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本技术的限制。
[0024]能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本技术一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。
[0025]如上所述，在半导体加工领域中，工艺完成的晶圆从腔体出来温度会高于150摄氏度。如果将晶圆直接传送回晶舟盒，晶圆会因为温度过高而粘着在晶舟盒里，从而造成粘片的现象并导致晶圆损坏。
[0026]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种晶圆冷却平台、一种前端模块以及一种半导体器件的加工设备，能够使用冷却气体吹扫工艺完成的晶圆作冷却，以改善空气冷却本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆冷却平台，其特征在于，包括：支撑架，其中，所述支撑架围绕待冷却晶圆的多个冷却侧，并伸入所述晶圆的底部以支撑所述晶圆，所述支撑架为中空结构，其内部通有冷却循环水；气体管道，嵌于所述支撑架的中空结构，其进气口连接气源，而其出气口连接喷气头；以及所述喷气头，经由所述支撑架安装于所述晶圆的至少一个所述冷却侧，用于向所述晶圆喷洒冷却气体，以冷却所述晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆冷却平台，其特征在于，所述晶圆冷却平台包括多个所述喷气头，其中，各所述喷气头经由所述支撑架安装于所述晶圆的多个所述冷却侧，并分别连接所述气体管道的多个所述出气口，用于向所述晶圆喷洒交叉的冷却气体。3.如权利要求2所述的晶圆冷却平台，其特征在于，多个所述喷气头经由所述支撑架分别安装于所述晶圆的各所述冷却侧的多个位置，用于向所述晶圆喷洒均匀的冷却气体。4.如权利要求1所述的晶圆冷却平台，其特征在于，所述气体管道由导热材料制成，用于在其内部的气体及所述冷却循环水之间传导热量，以冷却所述气体。5.如权利要求1所述的晶圆冷却平台，其特征在于，所述支撑架包括多根支撑立柱、多根支撑横梁，以及多个支撑托，其中，所述多根支撑横梁水平连接所述多根支撑立柱，并围绕所述晶圆的多个所述冷却侧，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：许福男，邱大益，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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