一种抽气环组件及气相沉积膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种抽气环组件及气相沉积膜设备。本实用新型专利技术提供的一种抽气环组件，包括第一环体、第二环体、第一密封板和第二密封板和出气口；所述第一环体和所述第二环体同轴设置，且所述第一环体的直径小于所述第二环体的直径；所述第一环体和所述第二环体之间形成有环腔；所述第一密封板密封住所述环腔的下端，所述第二密封板密封住所述环腔的上端；在所述第一密封板的下表面开设有多个第二抽气孔，所述第二抽气孔均与所述环腔相连通。死区位置的大部分气体可直接从第二抽气孔进入到环形腔内从而通过出气口抽走，能增大气体流动性，避免了晶圆薄膜在SLV口方向上的颗粒数增多的情况，保证了晶圆薄膜的质量。圆薄膜的质量。圆薄膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种抽气环组件及气相沉积膜设备


[0001]本技术涉及半导体设备
，具体涉及一种抽气环组件及气相沉积膜设备。

技术介绍

[0002]半导体设备进行沉积反应时，反应气体经过喷淋头达到腔室内，然后通过抽气环将反应后的多余气体抽离腔室。抽气的均匀性为影响反应成膜厚度均匀性的其中一关键因素。
[0003]现有的抽气环如图7所示，在抽气环的侧面均布有多个抽气孔，该种抽气环能够保证抽气时的气流保持均匀稳定。
[0004]但是在PM腔体中，SLV口方向存在气体死区，该种抽气环在实际应用时，因为死区位置远离抽气口位置，所以死区内气体流动性极差，SLV口方向的气体不易从抽气环的抽气孔中排走，导致晶圆薄膜在SLV口方向上的颗粒数多，晶圆薄膜的质量受到影响。

技术实现思路

[0005](一)本技术所要解决的问题是：因为死区位置远离抽气口位置，所以死区内气体流动性极差，SLV口方向的气体不易从抽气环的抽气孔中排走，导致晶圆薄膜在SLV口方向上的颗粒数多，晶圆薄膜的质量受到影响。
[0006](二)技术方案
[0007]一种抽气环组件，包括第一环体、第二环体、第一密封板和第二密封板和出气口；
[0008]所述第一环体和所述第二环体同轴设置，且所述第一环体的直径小于所述第二环体的直径；
[0009]所述第一环体和所述第二环体之间形成有环腔；
[0010]所述第一密封板密封住所述环腔的下端，所述第二密封板密封住所述环腔的上端；
[0011]在所述第一密封板的下表面开设有多个第二抽气孔，所述第二抽气孔均与所述环腔相连通；
[0012]所述第一环体的内侧面上开设有多个第一抽气孔，多个所述第一抽气孔均与所述环腔相连通。
[0013]根据本技术的一个实施例，多个所述第二抽气孔的轴线在所述第一密封板上的投影均落入所述第一密封板的一个同心圆上。
[0014]根据本技术的一个实施例，所述第二抽气孔的轴线在所述第一密封板下表面上的投影点依次相连接形成一段劣弧。
[0015]根据本技术的一个实施例，所述出气口由第一孔体和第二孔体组成，所述第一孔体开设于所述第一密封板上，所述第二孔体开设于所述第二环体的侧面，所述出气口与所述环腔相连通。
[0016]根据本技术的一个实施例，多个所述第一抽气孔沿着所述第一环体的内侧面上均布设置。
[0017]根据本技术的一个实施例，所述第一环体和所述第二环体的高度相同，且所述第一环体和所述第二环体的上表面位于同一水平面；
[0018]所述第一密封板的下表面与所述第一环体的下表面相齐平，所述第二密封板的上表面与所述第一环体的上表面相齐平。
[0019]根据本技术的一个实施例，所述第二抽气孔的截面为圆形、正多边形和梯形中的任意一种。
[0020]根据本技术的一个实施例，所述第一抽气孔设置有
‑
个，且所述第一抽气孔均为圆孔。
[0021]一种气相沉积膜设备，包括上述的一种抽气环组件、反应腔本体、加热盘和喷淋板；
[0022]所述加热盘设置于所述反应腔本体的腔室，所述加热盘与腔室同轴设置，所述抽气环组件安装于所述腔室内，所述抽气环组件与所述腔室同轴设置，所述抽气环组件的直径大于所述加热盘的直径，所述喷淋板安装于所述腔室的上端。
[0023]根据本技术的一个实施例，所述腔室内具有死区腔，多个所述第二抽气孔均位于所述死区腔的正上方。
[0024]本技术的有益效果：
[0025]本技术提供的一种抽气环组件，包括：第一环体、第二环体、第一密封板和第二密封板和出气口；第一环体和第二环体同轴设置，且第一环体的直径小于第二环体的直径；第一环体和第二环体之间形成有环腔；第一密封板密封住环腔的下端，第二密封板密封住环腔的上端；在第一密封板的下表面开设有多个第二抽气孔，第二抽气孔均与环腔相连通；第一环体的内侧面上开设有多个第一抽气孔，多个第一抽气孔均与环腔相连通。
[0026]死区位置的大部分气体可直接从第二抽气孔进入到环形腔内从而通过出气口抽走，能增大气体流动性，避免了晶圆薄膜在SLV口方向上的颗粒数增多的情况，保证了晶圆薄膜的质量。
[0027]一种气相沉积膜设备，由于加装了该抽气环组件，这死区处的气体既可以从第一密封板底部的第二抽气孔进入到抽气环内，也可以从抽气环的内侧面与加热盘的侧面之间的环腔进入抽气环内，其死区内的气体流动性大大增强。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本技术实施例提供的反应腔本体的俯视图；
[0030]图2为本技术实施例提供的图1中B
‑
B的剖视图；
[0031]图3为本技术实施例提供的反应腔本体的立体图；
[0032]图4为本技术实施例提供的本体的立体图；
[0033]图5为本技术实施例提供的本体的俯视图；
[0034]图6为本技术实施例提供的本体的剖视图；
[0035]图7为现有一种抽气环的结构图。
[0036]图标：1
‑
抽气环；2
‑
第二环体；3
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第一密封板；301
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第二抽气孔；4
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第二密封板；5
‑
出气口；6
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第一环体；601
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第一抽气孔；7
‑
反应腔本体；8
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加热盘；9
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喷淋板；10
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腔体盖；11
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定位孔。
具体实施方式
[0037]下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0038]如图7所示是目前常用的一种抽气环，其包括环形的陶瓷环，在陶瓷环的侧面均布多个抽气小孔，抽气小孔为圆孔。
[0039]而在PM腔体中，SLV口方向存在气体死区，SLV口方向远离腔体内的抽气口位置，因为死区位置远离抽气口位置，所以死区内气体流动性极差，SLV口方向的气体不易从抽气环的抽气孔中排走，导致晶圆薄膜在SLV口方向上的颗粒数多，晶圆薄膜的质量受到影响。
[0040]如图4
‑
图6所示，本技术的一个实施例提供了一种抽气环组件，包括第一环体6、第二环体2、第一密封板3和第二密封板4和出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抽气环组件，其特征在于，包括第一环体(6)、第二环体(2)、第一密封板(3)和第二密封板(4)和出气口(5)；所述第一环体(6)和所述第二环体(2)同轴设置，且所述第一环体(6)的直径小于所述第二环体(2)的直径；所述第一环体(6)和所述第二环体(2)之间形成有环腔；所述第一密封板(3)密封住所述环腔的下端，所述第二密封板(4)密封住所述环腔的上端；在所述第一密封板(3)的下表面开设有多个第二抽气孔(301)，所述第二抽气孔(301)均与所述环腔相连通；所述第一环体(6)的内侧面上开设有多个第一抽气孔(601)，多个所述第一抽气孔(601)均与所述环腔相连通。2.根据权利要求1所述的一种抽气环组件，其特征在于，多个所述第二抽气孔(301)的轴线在所述第一密封板(3)上的投影均落入所述第一密封板(3)的一个同心圆上。3.根据权利要求2所述的一种抽气环组件，其特征在于，所述第二抽气孔(301)的轴线在所述第一密封板(3)下表面上的投影点依次相连接形成一段劣弧。4.根据权利要求2所述的一种抽气环组件，其特征在于，所述出气口(5)由第一孔体和第二孔体组成，所述第一孔体开设于所述第一密封板(3)上，所述第二孔体开设于所述第二环体(2)的侧面，所述出气口(5)与所述环腔相连通。5.根据权利要求1所述的一种抽气环组件，其特征在于，多个所述第一抽气孔(601)沿着所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晗，张晓玉，姜崴，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：