一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法制造方法及图纸

本公开实施例公开了一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法，所述等离子体处理装置包括：反应腔；静电吸盘，位于所述反应腔的底部，用于承载晶片；电压供给模块，连接所述静电吸盘，所述电压供给模块用于给所述静电吸盘提供电压；其中，所述电压供给模块的升压过程和/或降压过程是线性缓变的，所述线性缓变的时长范围在1秒至5秒之间。在升压过程和/或降压过程中，为所述静电吸盘提供时长范围在1秒至5秒之间的线性缓变电压，能够有效减少或消除因电压急剧变化所引发的电弧放电，极大地降低了所述等离子体处理装置或所述晶片被电弧放电损伤的可能性。伤的可能性。伤的可能性。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法


[0001]本公开涉及等离子体处理装置领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法。

技术介绍

[0002]等离子体处理装置，例如，等离子体蚀刻装置，通常包括反应腔以及位于所述反应腔底部的静电吸盘，所述静电吸盘用于承载并吸附晶片。该等离子体处理装置在对晶片执行蚀刻工艺时，会在反应腔内通入气体，该气体在射频电场的激发下形成等离子体，所述等离子体会对所述晶片的表面进行刻蚀。
[0003]然而，在上述刻蚀过程中，反应腔内容易产生电弧放电，对等离子体处理装置和晶片表面造成损伤。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种等离子体处理装置，包括：
[0005]反应腔；
[0006]静电吸盘，位于所述反应腔的底部，用于承载晶片；
[0007]电压供给模块，连接所述静电吸盘，所述电压供给模块用于给所述静电吸盘提供电压；其中，所述电压供给模块的升压过程和/或降压过程是线性缓变的，所述线性缓变的时长范围在1秒至5秒之间。
[0008]在一些实施例中，所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔；静电吸盘，位于所述反应腔的底部，用于承载晶片；电压供给模块，连接所述静电吸盘，所述电压供给模块用于给所述静电吸盘提供电压；其中，所述电压供给模块的升压过程和/或降压过程是线性缓变的，所述线性缓变的时长范围在1秒至5秒之间。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电压供给模块的升压过程和/或降压过程的线性缓变的时长范围在3秒至4秒之间。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：环绕所述静电吸盘的边缘环；所述边缘环的上表面与所述静电吸盘的上表面之间具有高度差，所述高度差的范围在0.6毫米至0.8毫米之间。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：接地环组件，所述接地环组件环绕所述边缘环，且所述接地环组件内具有贯通气孔。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地环组件包括接地环以及位于所述接地环上的接地环盖。6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述贯通气孔包括位于所述接地环盖内的第一贯通气孔，以及位于所述接地环内的第二贯通气孔，所述第一贯通气孔和所述第二贯通气孔沿垂直于所述静电吸盘的方向上的投影重合。7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：限制环组件，所述限制环组件环绕所述反应腔，所述限制环组件包括多个沿垂直方向分布的子环。8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：限制环驱动组件，所述限制环驱动组件与所述限制环组件连接；所述限制环驱动组件包括至少一个步进马达及至少一个柱塞，所述柱塞与多个子环连接，所述步进马达通过所述柱塞驱动所述子环移动。9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述静电吸盘包括内...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚新，鲍锡飞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：