单片式模块化高频等离子体源制造技术

本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单片式模块化高频等离子体源
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年9月27日递交的美国非临时申请No.16/586,462的优先权，通过引用的方式将所述申请的全部内容结合在此。


[0003]实施方式与半导体制造的领域相关，且详细而言与用于高频等离子体源的单片式(monolithic)源阵列相关。
[0004]现有技术的描述
[0005]一些高频等离子体源包括穿过介电板中的开口的施加器。通过介电板的开口允许施加器(例如介电腔谐振器)暴露于等离子体环境。然而，已经显示，等离子体也产生在环绕施加器的空间中的介电板中的开口中。这有可能在处理腔室内产生等离子体不均匀性。并且，将施加器暴露于等离子体环境可能导致施加器更快速地劣化。
[0006]在一些实施方式中，将施加器定位在介电板之上或定位在进入(但不通过)介电板的空腔内。此类配置减少了与腔室的内部的耦合，且因此并不提供最佳的等离子体产生。高频电磁辐射与腔室的内部的耦合部分地由于介电板与施加器之间的额外界面而减少，高频电磁辐射需要跨所述界面传播。此外，每个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单片式源阵列，包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；及多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。2.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中每个凸部均包括侧壁表面及第三表面，其中所述第三表面与所述第一表面平行。3.如权利要求2所述的单片式源阵列，其中每个凸部均更包括进入所述第三表面的孔。4.如权利要求3所述的单片式源阵列，其中所述孔的深度小于所述凸部在所述第三表面与所述第一表面之间的厚度。5.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述多个凸部中的每个凸部均围绕与所述第一表面垂直的轴线而中心对称。6.如权利要求5所述的单片式源阵列，其中每个凸部沿着与所述第一表面平行的平面的横截面均是圆形。7.如权利要求5所述的单片式源阵列，其中每个凸部沿着与所述第一表面平行的平面的横截面均是多边形。8.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述介电板具有所述第一表面与所述第二表面之间的厚度，所述厚度为约30mm或更小。9.如权利要求8所述的单片式源阵列，其中所述第一表面与所述第二表面之间的所述厚度为约10mm或更小。10.如权利要求1所述的单片式源阵列，其中所述介电板包括所述第二表面之上的惰性介电层。11.如权利要求10所述的单片式源阵列，其中所述惰性介电层包括以下项目中的一或多个：AlN、SiN、SiO2、Al2O3、过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、包括Al、O、及N的组成、包括Al、Hf、O、及F的组成、包括Y、O、F、及...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡泰正，菲利普，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：