【技术实现步骤摘要】
改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置、反应腔室及蚀刻机
[0001]本技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置、反应腔室及蚀刻机。
技术介绍
[0002]近年来，ICP干法刻蚀技术作为一种新兴的高密度等离子体干法刻蚀技术，在对硅、二氧化硅、III
‑
V族化合物等材料的刻蚀方面获得了很好的发展，已被广泛应用到了各种光电子器件的制作工艺中。目前，人们已经采用这一技术制作了基于InP材料的半导体激光器谐振腔端面、激光器与探测器集成器件之间的端面、分光镜面、衍射光栅等。在以上应用中，要求蚀刻端面具有良好的平整度和垂直度，以及高的刻蚀速率和选择比。
[0003]目前现有的干法蚀刻ICP机台存在蚀刻均匀性差的缺点，这是由于反应腔室内载盘注入口、中心处及闸板门处的蚀刻气体分布不均匀，会导致干法刻蚀过程中晶片的刻蚀速率极差较大；此现象影响晶片的质量。为了改善这一问题，目前一般是通过开启或遮挡气体分散板上的部分气孔来增加腔室中蚀刻气体的均匀性，从而增加蚀刻速率均匀性；在现有技术中，为了...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置，其特征在于，所述装置包括：分散板本体，所述分散板本体上具有多个气孔；多个盖板，所述多个盖板分别盖封在所述多个气孔的进气口或出气口位置处；旋转驱动部件，其固定在所述分散板本体上，且所述旋转驱动部件的输出轴与所述盖板固定连接，所述旋转驱动部件用于驱动所述盖板旋转运动以开启或关闭所述气孔。2.根据权利要求1所述的改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置，其特征在于，所述多个气孔在所述分散板本体上呈多圈周向排布，且相邻的两圈气孔之间间隔有预定距离。3.根据权利要求2所述的改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置，其特征在于，所述气孔的圈数为5，且各圈均具有多个气孔。4.根据权利要求3所述的改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置，其特征在于，各圈的多个气孔均匀且间隔设置。5.根据权利要求4所述的改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞评，乔新宇，李彬彬，霍曜，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。