【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
[0002]专利文献1中公开了，在光致抗蚀剂涂敷装置中，对包含过滤器单元的供给用配管设置循环用配管，在涂敷停止时使光致抗蚀剂循环的结构。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平10
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172881号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]本专利技术提供用于减少向基片排出的处理液中的异物的技术。
[0008]用于解决课题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部；将所述处理液向所述排出部输送的送液部；和将用于向所述排出部输送的所述处理液供给到所述送液部的供给源，所述送液部具有：供所述处理液流动的管路；和设置在所述管路上的彼此不同的位置，对于设想所述处理液中会包含的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本专利技术，能够提供对于减于向基片排出的处理液中的异物有用的技术。
附图说明
[0012]图1是表示基片处理系统的概略结构的一例的示意图。
[0013]图2是表示涂敷显影装置的内部结构的一例的示意图。
[0014]图3是表示液体处理单元的结构的一例的示意图。
[0015]图4是表示处理液供给部的一例的示意图。>[0016]图5是表示控制装置的功能上的结构的块图。
[0017]图6是表示控制装置的硬件上的结构的一例的块图。
[0018]图7是表示液体处理顺序的一例的流程图。
[0019]图8的(a)、图8的(b)、图8的(c)是用于说明各液体处理顺序中的各部分的动作的一例的示意图。
[0020]图9是表示根据异物检测结果变更指令内容时的顺序的一例的流程图。
[0021]图10的(a)、图10的(b)、图10的(c)是用于说明变更各送液部中的处理液的流动时的一例的示意图。
[0022]图11的(a)、图11的(b)是用于说明变更各过滤器的配置时的一例的示意图。
具体实施方式
[0023]以下，说明各个例示的实施方式。
[0024]在一个例示的实施方式中，提供基片处理装置。基片处理装置包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部；将所述处理液向所述排出部送出的送液部；和将用于向所述排出部送出的所述处理液向所述送液部供给的供给源，所述送液部具有：供所述处理液流动的管路；和多个过滤器，其设置在所述管路上的彼此不同的位置，对设想的在所述处理液中含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同。
[0025]上述基片处理装置中，在供处理液流动的管路上的彼此不同的位置设置有多个过滤器，因此来自供给源的处理液通过多个过滤器向喷嘴供给。此外，这些过滤器对设想在处理液中含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同，因此，处理液中包含的多个种类的异物能够由多个过滤器捕集。于是，能够进一步减少向基片排出的处理液中的异物。
[0026]也可以采用下述方式，所述多个过滤器包含在所述多个种类的异物中对于对所述基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器。
[0027]如上所述，通过采用使处理液通过对基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器的结构，能够从处理液中除去缺陷的发生频率高的异物。因此，能够抑制基片的缺陷的发生。
[0028]也可以采用下述方式，所述多个过滤器的捕集部的与所述处理液的接触面积彼此不同。
[0029]如上所述，通过使用具有与处理液的接触面积彼此不同的捕集部的过滤器，能够使对每个种类的异物的捕集特性彼此不同。通过使用这样的过滤器，能够考虑处理液中含有的异物的种类地选择使用的过滤器。
[0030]也可以采用下述方式，所述多个过滤器中，对于对所述基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器，位于所述管路的最下游的位置。
[0031]如上所述，通过采用将对于对基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器配置在最下游的结构，能够利用最下游的过滤器适当地除去缺陷的发生频率高的异物。因此，能够抑制基片中的缺陷的发生。
[0032]也可以采用下述方式，所述管路包括：将所述供给源和所述喷嘴连接的主管路；和以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路，所述送液部还具有设置于所述旁通管路的送液用泵，所述多个过滤器中，第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间，设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置，所述第1过滤器对于对所述基片进行后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高，不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器，设置于所述旁通管路。
[0033]如上所述，管路包含主管路和旁通管路的结构中，采用对于缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的第1过滤器设置于主管路的结构，则能够适当地进行使用第1过滤器的适当异物的除去。
[0034]也可以采用下述方式，设置于所述旁通管路的过滤器设置在所述旁通管路中比所述送液用泵靠上游侧的位置。
[0035]如上所述，通过设置在旁通管路中比送液用泵靠上游侧的位置，能够在利用送液用泵从喷嘴排出处理液时，最后通过第1过滤器。即，能够将第1过滤器配置在实质上最下游的位置，因此缺陷的发生频率高的异物能够被最下游的过滤器适当地除去。
[0036]也可以采用下述方式，还具有控制所述送液部的控制部，所述送液部在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部，所述控制部根据所述异物检测部的检测结果，进行变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动的控制。
[0037]如上所述，通过采用控制部根据异物检测部的检测结果，变更主管路和旁通管路中的处理液的流动的结构，例如，能够考虑处理液中的异物的残留程度等地变更处理液对于过滤器的通过次数。像这样，能够选择能够更好地除去处理液中的异物的控制。
[0038]也可以采用下述方式，还具有控制所述送液部的控制部，所述控制部根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况，以变更所述处理液到达所述喷嘴前最后通过的过滤器的方式，进行变更所述主管路和所述旁通管路中的所述处理液的流动的控制。
[0039]如上所述，通过采用控制部根据处理后的所述基片中的缺陷的发生状况变更到达喷嘴前最后通过的过滤器的结构，例如，能够根据处理后的基片上的缺陷的发生状况以更适合的顺序使处理液通过过滤器。因此，能够决定用于使得在处理后的基片不发生缺陷的适当的控制内容。
[0040]在一个例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法将来自供给源的处理液经由管路从喷嘴向基片排出本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部；将所述处理液向所述排出部送出的送液部；和将用于向所述排出部送出的所述处理液向所述送液部供给的供给源，所述送液部具有：供所述处理液流动的管路；和多个过滤器，其设置在所述管路上的彼此不同的位置，对设想的在所述处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述多个过滤器包含所述多个种类的异物中、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器。3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述多个过滤器的捕集部的与所述处理液的接触面积彼此不同。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述多个过滤器中，对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器，位于所述管路的最下游的位置。5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述管路包括：将所述供给源和所述喷嘴连接的主管路；和以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路，所述送液部还具有设置于所述旁通管路的送液用泵，所述多个过滤器中，第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间，设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置，所述第1过滤器对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高，不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器，设置于所述旁通管路。6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：设置于所述旁通管路的过滤器设置在所述旁通管路中比所述送液用泵靠上游侧的位置。7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：还具有控制所述送液部的控制部，所述送液部在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部，所述控制部根据所述异物检测...
【专利技术属性】
技术研发人员：矢野英嗣，一野克宪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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