【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
[0002]专利文献1中公开了,在光致抗蚀剂涂敷装置中,对包含过滤器单元的供给用配管设置循环用配管,在涂敷停止时使光致抗蚀剂循环的结构。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开平10
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172881号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]本专利技术提供用于减少向基片排出的处理液中的异物的技术。
[0008]用于解决课题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置包括:具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部;将所述处理液向所述排出部输送的送液部;和将用于向所述排出部输送的所述处理液供给到所述送液部的供给源,所述送液部具有:供所述处理液流动的管路;和设置在所述管路上的彼此不同的位置,对于设想所述处理液中会包含的多个种类的异物的捕集特性彼此不同的多个过滤器。
[001
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:具有向基片排出处理液的喷嘴的排出部;将所述处理液向所述排出部送出的送液部;和将用于向所述排出部送出的所述处理液向所述送液部供给的供给源,所述送液部具有:供所述处理液流动的管路;和多个过滤器,其设置在所述管路上的彼此不同的位置,对设想的在所述处理液中会含有的多个种类的异物的捕集特性彼此不同。2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:所述多个过滤器包含所述多个种类的异物中、对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能高的过滤器。3.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:所述多个过滤器的捕集部的与所述处理液的接触面积彼此不同。4.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:所述多个过滤器中,对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高的过滤器,位于所述管路的最下游的位置。5.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:所述管路包括:将所述供给源和所述喷嘴连接的主管路;和以将设置于所述主管路的2个分支点连接的方式形成的旁通管路,所述送液部还具有设置于所述旁通管路的送液用泵,所述多个过滤器中,第1过滤器在所述主管路中的所述2个分支点之间,设置在比不同于所述第1过滤器的过滤器靠下游侧的位置,所述第1过滤器对于进行了对所述基片的后级的液体处理后会产生的缺陷的发生频率高的种类的异物的捕集性能最高,不同于所述第1过滤器的过滤器中的至少1个过滤器,设置于所述旁通管路。6.如权利要求5所述的基片处理装置,其特征在于:设置于所述旁通管路的过滤器设置在所述旁通管路中比所述送液用泵靠上游侧的位置。7.如权利要求5所述的基片处理装置,其特征在于:还具有控制所述送液部的控制部,所述送液部在所述旁通管路中的所述送液用泵的下游侧还具有检测所述处理液中的异物的异物检测部,所述控制部根据所述异物检测...
【专利技术属性】
技术研发人员:矢野英嗣,一野克宪,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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