蚀刻方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制形成于含硅膜的凹部的形状异常，并且使凹部的底部的蚀刻进展。公开的蚀刻方法包括准备具有含硅膜的基板的工序(a)，所述含硅膜包括氧化硅膜。将基板载置在设置于腔室内的基板支承器上。蚀刻方法还包括向腔室内供给处理气体的工序(b)。处理气体包含六氟化钨气体、含碳及氟的气体以及含氧气体。蚀刻方法还包括由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序(c)。工序(c)包括对基板支承器周期性地施加负的直流电压。施加负的直流电压。施加负的直流电压。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和等离子体处理装置


[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻方法和等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]进行等离子体蚀刻以在基板的含硅膜形成凹部。在等离子体蚀刻中，提出一种一边在基板的表面上形成导电层一边蚀刻含硅膜以抑制凹部的形状异常的技术。专利文献1公开了这样的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平9
‑
50984号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种抑制形成于含硅膜的凹部的形状异常并且使凹部的底部的蚀刻进展的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]在一个例示性的实施方式中提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括准备具有含硅膜的基板的工序(a)，所述含硅膜包括氧化硅膜。将基板载置在设置于腔室内的基板支承器上。蚀刻方法还包括向腔室内供给处理气体的工序(b)。处理气体包含六氟化钨气体、含碳及氟的气体以及含氧气体。蚀刻方法还包括由处理气体生成等离子体来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻方法，包括以下工序：(a)准备具有含硅膜的基板，并将该基板载置在设置于腔室内的基板支承器上，所述含硅膜包括氧化硅膜；(b)向所述腔室内供给包含六氟化钨气体、含碳及氟的气体以及含氧气体的处理气体；以及(c)由所述处理气体生成等离子体来对所述含硅膜进行蚀刻，其中，所述工序(c)包括以下处理：对所述基板支承器周期性地施加负的直流电压。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述工序(c)还包括以下处理：在通过所述蚀刻形成于所述含硅膜的凹部的底面处，将所述含硅膜中的一部分硅原子置换为钨原子；以及对一部分所述硅原子被所述钨原子置换后的所述含硅膜进行蚀刻。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述工序(c)还包括以下处理：在未对所述基板支承器施加所述负的直流电压时对设置于所述基板支承器的上方的上部电极施加负的直流电压。4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(c)中对所述基板支承器施加所述负的直流电压时，不对所述上部电极施加所述负的直流电压、或者对所述上部电极施加的所述负的直流电压的绝对值比未对所述基板支承器施加所述负的直流电压时对所述上部电极施加的所述负的直流电压的绝对值小。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述工序(c)中的所述腔室内的压力被设定为小于1.333Pa。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体中的所述六氟化钨气体的流量相对于所述处理气体的流量的比例为5体积％以下。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体还包含三氟化氮气体。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体中的所述三氟化氮气体的流量相对于所述处理气体的流量的比例比所述处理气体中的六氟化钨气体的流量相对于所述处理气体的流量的比例多。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述处理气体包含碳氟化合物气体来作为所述含碳及氟的气体。10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含硅膜还包括氮化硅膜。11.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含硅膜还包括多晶硅膜。12.根据权利要求1至8中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述含硅膜还包括氮化硅膜，所述处理气体包含氢氟碳化合物气体来作为所述含碳及氟的气体。
13.根据权利要求10所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(c)中，在通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：千野光贵，佐佐木彦一郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：