基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制在液处理中使基板被污染。基于本公开的一个方式的基板处理方法包括处理液喷出工序和混合流体喷出工序。在处理液喷出工序中，向基板喷出将硫酸和过氧化氢水溶液混合生成的处理液。在混合流体喷出工序中，向被喷出有处理液的基板喷出将处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。状的纯水混合生成的混合流体。状的纯水混合生成的混合流体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置


[0001]公开的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]以往，已知一种通过SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)处理来去除形成于半导体晶圆(下面也称为晶圆。)等基板上的抗蚀剂膜的技术。通过向基板上的抗蚀剂膜供给将硫酸与过氧化氢水溶液混合生成的SPM液来进行该SPM处理(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
27245号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够抑制在液处理中使基板被污染的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基于本公开的一个方式的基板处理方法包括处理液喷出工序和混合流体喷出工序。在处理液喷出工序中，向基板喷出处理液。在混合流体喷出工序中，向被喷出有所述处理液的所述基板喷出将所述处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够抑制在液处理中使基板被污染。
附图说明
[0012]图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。
[0013]图2是表示实施方式所涉及的处理单元的结构例的示意图。
[0014]图3是表示实施方式所涉及的喷嘴的结构例的截面图。
>[0015]图4是表示实施方式所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0016]图5是表示实施方式所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0017]图6是表示实施方式所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0018]图7是表示实施方式所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0019]图8是表示实施方式所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0020]图9是表示实施方式所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0021]图10是表示实施方式的变形例1所涉及的处理单元的结构例的示意图。
[0022]图11是表示实施方式的变形例2所涉及的处理单元的结构例的示意图。
[0023]图12是表示实施方式的变形例2所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0024]图13是表示实施方式的变形例2所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0025]图14是表示实施方式的变形例3所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0026]图15是表示实施方式的变形例3所涉及的基板处理的一个工序的示意图。
[0027]图16是表示实施方式所涉及的基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。
[0028]图17是表示实施方式的变形例1所涉及的基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。
[0029]图18是表示实施方式的变形例2所涉及的基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。
[0030]附图标记说明
[0031]W：晶圆(基板的一例)；Wc：中心部；We：周缘部；Wm：中间部；1：基板处理系统(基板处理装置的一例)；16：处理单元；18：控制部；31：保持部；41a：喷嘴(液喷出部的一例)；41b，41c：喷嘴；44：SPM液供给部(第一供给部的一例)；45：水蒸气供给部(第二供给部的一例)；45A：水雾供给部(第二供给部的另一例)；46：冲洗液供给部；47：SPM液供给路径；48：水蒸气供给路径；48A：水雾供给路径；49：过氧化氢供给部。
具体实施方式
[0032]下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理方法和基板处理装置的实施方式。此外，并不通过下面示出的各实施方式来限定本公开。另外，需要留意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸关系、各要素的比率等有时与现实不同。并且，有时在附图的彼此间也包含彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
[0033]以往，已知一种通过SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)处理来去除形成于半导体晶圆(下面也称为晶圆。)等基板上的抗蚀剂膜的技术。通过向基板上的抗蚀剂膜供给将硫酸与过氧化氢水溶液混合生成的SPM液来进行所述SPM处理。
[0034]另外，在现有技术中公开有以下一种技术：在向基板喷出SPM液之前向基板喷出高温的水蒸气，在高温环境下进行SPM处理，由此高效地进行SPM处理。
[0035]另一方面，在上述的现有技术中，在水蒸气中混入有杂质的情况下，存在混入的杂质附着于基板而使基板被污染的风险。
[0036]因此，期待一种能够克服上述的问题点而能够抑制在SPM处理等液处理中使基板被污染的技术。
[0037]<基板处理系统的概要>
[0038]首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。此外，基板处理系统1是基板处理装置的一例。下面，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将铅垂向上的方向设为Z轴正方向。
[0039]如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
[0040]搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置以水平状态收容多张基板、在实施方式中收容半导体晶圆W(下面称为晶圆W。)的多个承载件C。
[0041]搬送部12与承载件载置部11邻接地设置，搬送部12在内部具备基板搬送装置13和
交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向及铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心回转，基板搬送装置13使用晶圆保持机构来在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
[0042]处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。处理单元16是基板处理部的一例。多个处理单元16并列地设置于搬送部15的两侧。
[0043]搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向及铅垂方向移动，并且能够以铅直轴为中心回转，基板搬送装置17使用晶圆保持机构来在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的搬送。
[0044]处理单元16对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。后面叙述所述处理单元16的详情。
[0045]另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，控制装置4具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存有用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中存储的程序，来控制基板处理系统1的动作。
[0046]此外，所述的程序也可以是记录在计算本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：处理液喷出工序，向基板喷出处理液；混合流体喷出工序，向被喷出有所述处理液的所述基板喷出将所述处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：液膜形成工序，向所述基板喷出冲洗液来在所述基板的表面形成冲洗液的液膜；以及纯水喷出工序，向形成于所述基板的表面的冲洗液的液膜喷出蒸汽状或雾状的纯水，所述处理液喷出工序在所述纯水喷出工序之后进行。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，对形成有冲洗液的液膜的所述基板的表面进行所述处理液喷出工序。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，冲洗液是过氧化氢水溶液。5.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：过氧化氢喷出工序，所述过氧化氢喷出工序在所述混合流体喷出工序之后，向所述基板喷出过氧化氢水溶液；冲洗工序，在所述过氧化氢喷出工序之后，向所述基板喷出作为纯水的冲洗液。6.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述处理液喷出工序中，所述基板以第一转速旋转，在所述混合流体喷出工序中，所述基板以比所述第一转速小的第二转速旋转。7.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在结束所述混合流体喷出工序时，相比于所述处理液，先停止供给蒸汽状或雾状...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井宏纪，后藤大辅，绪方信博，桥本佑介，水口将辉，许彦瑞，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：