等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内，包含偏压电极。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏压电源构成为与偏压电极电连接，能够生成施加到偏压电极的多个电压脉冲的序列。多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从脉冲电压电平转变为基准电压电平的后沿期间，前沿期间的时间长度和后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。且为0.5μ秒以下。且为0.5μ秒以下。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理方法


[0001]本专利技术的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]等离子体处理装置用于对基片进行等离子体处理。等离子体处理装置包括腔室和基片保持电极。基片保持电极设置在腔室内。基片保持电极用于保持被载置在其主面上的基片。这样的等离子体处理装置的一种在日本特开2009
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187975号公报(以下，称为“专利文献1”)中有记载。
[0003]专利文献1中记载的等离子体处理装置进一步包括高频发生装置和DC负脉冲发生装置。高频发生装置对基片保持电极施加高频电压。在专利文献1中记载的等离子体处理装置中，交替地切换高频电压的接通和断开。此外，在专利文献1中记载的等离子体处理装置中，与高频电压的接通和断开的时序相应地从DC负脉冲发生装置向基片保持电极施加DC负脉冲电压。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2009
‑
187975号公报。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；基片支承器，其设置在所述腔室内，包含偏压电极；等离子体生成部，其构成为能够在所述腔室内从气体生成等离子体；和偏压电源，其构成为与所述偏压电极电连接，能够生成施加到所述偏压电极的多个电压脉冲的序列，所述多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从所述脉冲电压电平转变为所述基准电压电平的后沿期间，所述前沿期间的时间长度和所述后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述前沿期间的时间长度和所述后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.25μ秒以下。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述前沿期间的时间长度和所述后沿期间的时间长度中的至少一者为0.05μ秒以上。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个电压脉冲分别在所述前沿期间和所述后沿期间中的至少一个期间转变为与所述基准电压电平和所述脉冲电压电平中的至少一者不同的电压电平。5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个电压脉冲分别为负的电压脉冲。6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述脉冲电压电平为－20kV以上且－0.5kV以下。7.如权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述基准电压电平为0V。8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述偏压电源构成为能够周期性地对所述偏压电极施加所述多个电压脉冲。9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述偏压电源包括：直流电源；和设置在所述直流电源与所述偏压电极之间的脉冲单元，所述脉冲单元包括：在所述直流电源的正极与负极之间串联连接的第一开关元件和第二开关元件；以及连接于所述偏压电极与节点之间的阻抗电路，其中，该节点是所述第一开关元件与所述第二开关元件之间的节点。10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：还包括构成为能够控制所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大下辰郎，永海幸一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：