一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置，所述方法包括：通过一个射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率，点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体；发送射频功率源的输出功率信号和反射功率信号到一个控制器，控制器根据所述输出功率信号的和反射功率信号的比值确定是否进入射频功率稳定输出区间；在射频功率稳定输出区间内，通过控制器计算获取反射功率信号的平均值、反射功率信号的最大值；并将反射功率信号的平均值和反射功率信号的最大值进行比较获得一个比值，比值小于一个预设阈值时判定发生弧光放电。本发明专利技术实现了快速检测到有真空反应腔内电弧中的微弧，以便及时得知对应的晶圆的缺陷状态的目的。缺陷状态的目的。缺陷状态的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置
，特别涉及一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置。

技术介绍

[0002]目前的等离子体处理装置例如等离子体增强化学汽相沉积(PE-CVD)系统、等离子体蚀刻系统和溅射系统的半导体生产设备广泛用于在现代电子设备的生产的整个过程中。等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。由于等离子体具有比真空反应室的侧壁更高的电势，或者基片表面电荷发生积累均可导致介电材料的击穿，从而在真空反应室内引起微弧。真空反应室中高等离子电位产生的微弧通常会持续几微秒，当发生微弧时，等离子体处理装置中必然发生大电流的放电，相应的会在输入等离子反应腔的各种电路中产生电流/功率的尖峰。如图1所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理腔内的电弧的检测方法，其特征在于，包括：通过至少一个射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率，点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体；发送至少一个射频功率源的输出功率信号和反射功率信号到一个控制器，所述控制器根据所述输出功率信号的和反射功率信号的比值确定是否进入射频功率稳定输出区间；在所述射频功率稳定输出区间内，通过所述控制器计算获取反射功率信号的平均值、反射功率信号的最大值；并将所述反射功率信号的平均值和所述反射功率信号的最大值进行比较获得一个比值，所述比值小于一个预设阈值时判定发生放电。2.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，两个或多个射频功率源输出高频和低频射频功率输出到反应腔，至少一个射频功率源发送射频功率信号到所述控制器。3.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，还包括：所述射频功率稳定输出区间内所述射频功率源的输出功率大于500W。4.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，所述反射功率信号的平均值和反射功率信号的最大值的比值小于1/2。5.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，所述反射功率信号的平均值和反射功率信号的最大值的比值小于1/4。6.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，所述反射功率信号的平均值和反射功率信号的最大值的比值小于1/10。7.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，还包括：计算所述反射功率信号的平均值的取样时间段长度t，200ms＜t≤400ms。8.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，还包括：在脉冲式处理工艺中，所述射频功率源输出脉冲式功率，脉冲频率100-100KHz，所述控制器接收射频功率信号，以获得每个脉冲步骤中阻抗稳定匹配阶段的微弧信号。9.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，还包括：当所述比值小于或等于警告的预设检测阈值时，发布警告信息。10.如权利要求1所述的等离子体腔室内的电弧的检测方法，其特征在于，当所述比值小于或等于警报的预设检测阈值时，则发布检测器警报信息，且立即中止晶圆制备制程。11.一种等离子体腔室内的电弧的检测装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘依，徐蕾，饭塚浩，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：