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本发明公开了一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置,所述方法包括:通过一个射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率,点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体;发送射频功率源的输出功率信号和反射功率信号到一个控制器,控制器根据所述输...该专利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种等离子体处理腔室的电弧的检测方法及检测装置,所述方法包括:通过一个射频功率源向等离子体处理腔内输送射频功率,点燃等离子体处理腔内的反应气体形成等离子体;发送射频功率源的输出功率信号和反射功率信号到一个控制器,控制器根据所述输...