【技术实现步骤摘要】
一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置及方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置及方法。
技术介绍
[0002]在当前的等离子体蚀刻工艺过程中，晶圆被吸附在静电卡盘上，静电卡盘的边缘被聚焦环包覆，随着长时间工艺的进行，聚焦环可能会发生物理性偏移，从而出现边缘处等离子体分布不均匀，刻蚀图形发生变化。因而亟需开发出一套检测装置，来检测蚀刻过程中，聚焦环是否发生相对于晶圆的物理性偏移。
技术实现思路
[0003]鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置及方法，以解决现有技术手段中存在的上述全部或部分问题。
[0004]本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置，包括：底盘，光子型探测器和处理器；
[0006]所述底盘盛放静电卡盘和聚焦环；
[0007]所述底盘设置有检测槽；
[0008]所述光子型探测器设置在所述检测槽的底部；
[0009]所述处理器连接所述光子型探测器。
[0010]进一步地，所述检测槽的槽口位于所述静电卡盘和所述聚焦环之间；
[0011]进一步地，所述检测槽的槽口位于所述聚焦环外侧。
[0012]进一步地，所述检测槽为环形槽。
[0013]进一步地，所述检测槽的数量为多个，每一个所述检测槽设置至少一个所述光子型探测器，且各所述检测槽围绕所述静电卡盘均匀分布。>[0014]进一步地，所述装置还包括遮挡部，所述遮挡部设置在所述底盘上，所述遮挡部为全透明材质用于遮挡所述光子型探测器。
[0015]进一步地，所述遮挡部设置有安装孔；
[0016]所述静电卡盘安装在所述安装孔中，所述聚焦环设置在所述遮挡部上。
[0017]进一步地，所述遮挡部设置有安装槽，所述聚焦环设置在安装槽中。
[0018]进一步地，所述装置还包括固定部；
[0019]所述固定部套设于所述底盘外侧；
[0020]所述固定部与所述遮挡部固定连接，用于将所述遮挡部固定在底盘外侧。
[0021]进一步地，光子型探测的数量不小于3个。
[0022]第二方面，本专利技术实施例提供了一种的检测聚焦环与晶圆间隙的方法，采用第一方面所述的装置，包括：
[0023]光子型探测器采集外部的光信号，并将所述光信号转化成相应的电信号；
[0024]所述光子型探测器将所述电信号发送给处理器；
[0025]所述处理器根据所述电信号，确定所述聚焦环是否相对于所述静电卡盘发生偏移。
[0026]进一步地，所述处理器根据所述电信号，确定所述聚焦环是否相对于所述静电卡盘发生偏移，包括：
[0027]刻蚀开始时，所述处理器记录来自所述光子型探测器的第一电信号；
[0028]在预设周期内，所述处理器记录来自所述光子型探测器的第二电信号；
[0029]所述处理器记录确定所述第二电信号和所述第一电信号的差值是否超过阈值；
[0030]在所述差值超过阈值时，所述处理器确定所述聚焦环相对于所述静电卡盘发生偏移。
[0031]本专利技术技术方案的有益效果：
[0032]1、根据等离子体会发光且聚焦环通常不透光的原理，在聚焦环和静电卡盘缝隙的下方设置光子型探测器，以便于当聚焦环发生偏移时，光子型探测器在预设周期内接受到的光子数发生变化，从而确定聚焦环发生偏移，进而便于工作人员及时调整聚焦环，最终实现提高刻蚀效率。
[0033]2、在光子型探测器的上方设置透明的遮挡部，既能防止等离子气体腐蚀光子型探测器，又能保证光子型探测器正常工作。
[0034]3、通过光子型探测器和处理器，可以实现同时检测多个反应腔室的聚焦环是否发生偏移。
[0035]本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0036]附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本专利技术的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。
[0037]图1为本专利技术实施例提供的一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置的结构示意图；
[0038]图2为本专利技术实施例的聚焦环偏移方向及其偏移路径的示意图；
[0039]图3为本专利技术实施例提供的另一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置的结构示意图；
[0040]图4为本专利技术实施例提供的另一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置的结构示意图。
[0041]附图标记：1-静电卡盘、2-底盘、3-光子型探测器、4-聚焦环、5-遮挡部、6-固定部。
具体实施方式
[0042]下面结合附图来具体描述本专利技术的优选实施例，应理解，当提及元件或层在另一元件或层“之上”、“连接到”或“连结到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层之上、直接连接或连结到另一元件或层，或者其间可存在中间元件或层。相反，当提及元件“直接在另一元件或层之上”、“直接连接到”或“直接连结到”另一元件或层时，其间不存在中间元件或层。相同的数字始终指代相同的元件。如本文使用的，术语“和/或”包括列出的一个或多
个相关项目的任何和所有组合。
[0043]应理解，尽管这里术语第一、第二、第三等可用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应限于这些术语。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可称为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0044]为了便于描述，这里诸如“在...之下”、“在...下方”、“下面”、“在...之上”、“上方”等的空间相对术语可用来描述附图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。应理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同取向。例如，当附图中的装置翻转时，描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将取向为在其他元件或特征“之上”。因此，示例性术语“在...下方”可包括之上和之下两种取向。装置可以其他方式取向(旋转90度或在其他方向)，于是相应地解释在此所使用的空间相对描述符。
[0045]这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。应进一步理解，术语“包括”和/或“包含”在用于本说明书中时表明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。
[0046]除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属
的普通技术人员本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置，其特征在于，包括：底盘，光子型探测器和处理器；所述底盘盛放静电卡盘和聚焦环；所述底盘设置有检测槽；所述光子型探测器设置在所述检测槽的底部；所述处理器连接所述光子型探测器。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述检测槽的槽口位于所述静电卡盘和所述聚焦环之间；和/或，所述检测槽的槽口位于所述聚焦环外侧。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述检测槽为环形槽。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述检测槽的数量为多个，每一个所述检测槽设置至少一个所述光子型探测器，且各所述检测槽围绕所述静电卡盘均匀分布。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括遮挡部，所述遮挡部设置在所述底盘上，所述遮挡部为全透明材质用于遮挡所述光子型探测器。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述遮挡部设置有安装孔；所述静电卡盘安装在所述安装孔中，所述聚焦环设置在所述遮挡部上。7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋成雲，周娜，李俊杰，李琳，王佳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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