处理系统和处理方法技术方案

本发明专利技术提供处理系统和处理方法，能够使用设置于输送叉形部件的传感器测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果适当地进行基片的处理。在减压环境下对基片进行处理的系统包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行上述基片相对于上述处理腔室的送入送出的输送机构；和控制上述处理腔室中的处理过程的控制部，上述输送机构具有：将上述基片保持于上表面地进行输送的叉形部；和测量机构，其设置于上述叉形部，能够测量上述处理腔室的内部状态，上述控制部基于由上述测量机构获取到的上述处理腔室的内部状态，控制上述处理腔室中的处理过程。制上述处理腔室中的处理过程。制上述处理腔室中的处理过程。

【技术实现步骤摘要】
处理系统和处理方法


[0001]本专利技术涉及基片的处理系统和处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种蚀刻装置，其包括能够监视在蚀刻腔室的内部沉积的反应生成物的膜厚和膜质的光线分光监视体。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2000
‑
003905号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的技术使用设置于输送叉形部件的传感器来测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果来适当地进行基片的处理。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式为在减压环境下对基片进行处理的系统，其包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行上述基片相对于上述处理腔室的送入送出的输送机构；和控制上述处理腔室中的处理过程的控制部，上述输送机构具有：将上述基片保持于上表面地进行输送的叉形部；和测量机构，其设置于上述叉形部，能够测量上述处理腔室的内部状态，上述控制部基于由上述测量机构获取到的上述处理腔室的内部状态，控制上述处理腔室中的处理过程。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，使用设置于输送叉形部件的传感器测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量来结果适当地进行基片的处理。
附图说明
[0012]图1是表示本实施方式的等离子体处理系统的结构例的俯视图。
[0013]图2是表示本实施方式的测量机构的安装例的说明图。
[0014]图3是表示本实施方式的处理模块的结构例的纵截面图。
[0015]图4是表示本实施方式的处理模块的另一结构例的纵截面图。
[0016]图5是表示由测量机构进行的腔室内部环境的测量的情形的说明图。
[0017]图6是表示本实施方式的处理模块的另一结构例的纵截面图。
[0018]图7是表示由测量机构进行的腔室内部环境的测量的情形的说明图。
[0019]图8是表示本实施方式的晶片输送机构的另一结构例的说明图。
[0020]附图标记说明
[0021]1ꢀꢀꢀ
等离子体处理系统
[0022]50
ꢀꢀ
输送模块
[0023]60
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处理模块
[0024]70
ꢀꢀ
晶片输送机构
[0025]71f 叉形部
[0026]75
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测量机构
[0027]80
ꢀꢀ
控制装置
[0028]W
ꢀꢀꢀ
晶片。
具体实施方式
[0029]在半导体器件的制造工艺中，对半导体晶片(以下简称为“晶片”)供给处理气体，对该晶片进行蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等各种等离子体处理。这些等离子体处理通常在能够将内部调整为减压气氛的处理腔室的内部进行。
[0030]在该等离子体处理中，对连续地被处理的多个晶片分别要求均匀的处理结果。但是，随着对多个晶片反复进行等离子体处理，由于处理腔室内的部件的消耗、反应副产物的附着而处理腔室内的环境发生变化，因此即使在同样的条件下进行处理，也有可能无法得到均匀的处理结果。因此，为了在等离子体处理中得到均匀的处理结果，考虑设置用于掌握处理腔室的内部状态的传感器等部件，根据处理腔室的内部环境进行处理条件的变更、内部环境的改善(清洁、部件更换)等。
[0031]在上述的专利文献1中公开了一种等离子体处理装置(蚀刻装置)，其设置有用于监视在处理腔室(蚀刻腔室)的内部沉积的反应生成物的膜厚和膜质的光线分光监视体。根据专利文献1所记载的蚀刻装置，从设置于处理腔室的外部的光线分光监视体向设置于处理腔室的内部的2个反射镜照射红外光。
[0032]然而，在如专利文献1的安装于蚀刻腔室的反射镜那样在处理腔室的内部设置有传感器等部件的情况下，有可能因该部件暴露于等离子体处理空间而导致这些部件劣化、破损。
[0033]另外，在处理腔室的内部设置传感器等的情况下，有时由于与设置于腔室的内部的构造物之间的位置关系而难以设置传感器等部件。而且，为了分别掌握处理腔室内的各种环境(例如反应副产物、电位、温度等)，需要安装多个传感器等，在该情况下，传感器等的安装有可能变得更加困难。如上所述，在现有的等离子体处理装置中，从适当地掌握处理腔室的内部环境的观点出发，存在改善的余地。
[0034]本专利技术的技术是鉴于上述情况而完成的，使用设置于输送叉形部件的传感器来测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果来适当地进行基片的处理。以下，参照附图，对本实施方式的等离子体处理系统进行说明。注意，在本说明书和附图中，用相同的附图标记表示具有实质上相同的功能结构的部件，并且省略对这些部件的重复说明。
[0035]＜等离子体处理系统＞
[0036]首先，对本实施方式的等离子体处理系统进行说明。图1是表示本实施方式的等离子体处理系统1的概要结构的俯视图。在等离子体处理系统1中，对作为基片的晶片W进行例如蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等等离子体处理。
[0037]如图1所示，等离子体处理系统1具有将大气部10和减压部11经由负载锁定模块
(loadlock module)20、21连接为一体的结构。大气部10包括在大气压气氛下对晶片W进行所希望的处理的大气模块。减压部11包括在减压气氛下对晶片W进行所希望的处理的减压模块。
[0038]负载锁定模块20、21被设置成，分别经由闸门(gate valve)22、23将大气部10的后述的装载模块30和减压部11的后述的输送模块50连结。负载锁定模块20、21构成为能够暂时保持晶片W。此外，负载锁定模块20、21构成为能够将内部切换为大气压气氛和减压气氛(真空状态)。
[0039]大气部10具有：包括后述的晶片输送机构40的装载模块30；和装载口32，其载置能够保管多个晶片W的前开式晶片传送盒(FOUP)31。此外，也可以在装载模块30相邻地设置有调节晶片W的水平方向的朝向的定向模块(未图示)、容纳多个晶片W的容纳模块(未图示)等。
[0040]装载模块30由内部为矩形的壳体构成，壳体的内部被维持为大气压气氛。在构成装载模块30的壳体的长边的一侧面并列地设置有多个例如5个装载口32。在装载模块30的构成壳体的长边的另一侧面并列地设置有负载锁定模块20、21。
[0041]在装载模块30的内部设置有输送晶片W的晶片输送机构40。晶片输送机构40具有保持晶片W并移动的输送臂41、以输送臂41可旋转的方式对其进行支承的旋转台42和搭载有旋转台42的旋转载置台43。此外，在装载模块30的内部设置有在装载模块30的长度方向上延伸的导轨44。旋转载置台43设置在导轨44上，晶片输送机构40构成为能够沿着导轨44移动。
[0042]减压部11具有在内部输送晶片W的输送本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理系统，其特征在于：所述处理系统在减压环境下对基片进行处理，并包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行所述基片相对于所述处理腔室的送入送出的输送机构；和控制所述处理腔室中的处理过程的控制部，所述输送机构具有：将所述基片保持于上表面地进行输送的叉形部；和测量机构，其设置于所述叉形部，能够测量所述处理腔室的内部状态，所述控制部基于由所述测量机构获取到的所述处理腔室的内部状态，控制所述处理腔室中的处理过程。2.如权利要求1所述的处理系统，其特征在于：在所述处理腔室设置有：在上表面吸附保持所述基片的静电吸盘；和对所述静电吸盘施加直流电压的直流电源，所述测量机构具有测量所述静电吸盘的表面电位的电位传感器，所述控制部基于由所述测量机构获取到的所述静电吸盘的表面电位，控制来自所述直流电源的所述直流电压的施加量。3.如权利要求2所述的处理系统，其特征在于：还包括对所述静电吸盘的表面进行除电的离子发生器。4.如权利要求1～3中任一项所述的处理系统，其特征在于：在所述处理腔室设置有：在上表面吸附保持所述基片的静电吸盘；对所述静电吸盘的表面温度进行调节的加热器；和对所述加热器的动作进行控制的加热器电源，所述测量机构具有对所述静电吸盘的表面温度进行测量的温度传感器，所述控制部基于由所述测量机构获取到的所述静电吸盘的表面温度，控制从所述加热器电源对所述加热器的电压的施加量。5.如权利要求4所述的处理系统，其特征在于：所述加热器以将所述静电吸盘的所述基片的保持面划分为多个温度调节区域的方式设置有多个，所述测量机构按多个所述温度调节区域的每个区域测量所述静电吸盘的表面温度。6.如权利要求1～5中任一项所述的处理系统，其特征在于：在所述处理腔室设置有：在上表面吸附保持所述基片的静电吸盘；以俯视时包围所述静电吸盘的所述基片的保持面的方式配置的边缘环；和构成为能够使所述边缘环升降的升降销，所述测量机构具有测量所述边缘环的上表面高度位置的距离传感器，所述控制部基于由所述测量机构获取到的所述边缘环的上表面高度位置，通过所述升降销的动作来控制所述边缘环的升降动作。
7.如权利要求1～6中任一项所述的处理系统，其特征在于：在所述处理腔室设置有：在上表面吸附保持所述基片的静电吸盘；以在俯视时包围所述静电吸盘的所述基片的保持面的方式配置的边缘环；和对所述边缘环施加直流电压的边缘环用电源，所述测量机构具有测量所述边缘环的上表面高度位置的距离传感器，所述控制部基于由所述测量机构获取到的所述边缘环的上表面高度位置，控制来自所述边缘环用电源的所述直流电压的施加量。8.如权利要求6或7所述的处理系统，其特征在于：所述控制部基于由所述测量机构获取到的所述边缘环的上表面高度位置来记录该边缘环的消耗量，并基于该消耗量来通知所述边缘环的更换时机。9.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：网仓纪彦，三枝慎，广瀬润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：