基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置和基板处理方法。更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。基板处理装置使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其包括：处理容器，其容纳基板；基板保持部，其在处理容器内将基板以表面朝向上的方式保持为水平；第1供给管线，其与设于处理容器的第1流体供给部连接，向处理容器内供给处理流体；排出管线，其与设于处理容器的排出部连接，排出处理流体；旁路管线，其在设定于第1供给管线的第1分支点处从第1供给管线分支且在设定于排出管线的连接点处与排出管线连接，能够使在第1供给管线流动的处理流体的至少一部分不经由处理容器而是向排出管线排出；以及旁路开闭阀，其使旁路管线开闭。管线开闭。管线开闭。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法


[0001]本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体晶圆(以下，称为晶圆)等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造中，进行化学溶液清洗或湿蚀刻等液处理。为了更可靠地防止近年来越来越微细化的图案的倒塌，近年来，在作为液处理的最终工序的干燥工序中，正在采用使用了超临界状态的处理流体的干燥方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
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074103号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供能够更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基板处理装置的一技术方案使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其中，该基板处理装置包括：处理容器，其容纳所述基板；基板保持部，其在所述处理容器内将所述基板以所述表面朝向上的方式保持为水平；第1供给管线，其与设于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其中，该基板处理装置包括：处理容器，其容纳所述基板；基板保持部，其在所述处理容器内将所述基板以所述表面朝向上的方式保持为水平；第1供给管线，其与设于所述处理容器的第1流体供给部连接，向所述处理容器内供给处理流体；排出管线，其与设于所述处理容器的排出部连接，从所述处理容器排出处理流体；旁路管线，其在设定于所述第1供给管线的第1分支点处从所述第1供给管线分支并且在设定于所述排出管线的连接点处与所述排出管线连接，能够使在所述第1供给管线流动的处理流体的至少一部分不经由所述处理容器而是向所述排出管线排出；以及旁路开闭阀，其使所述旁路管线开闭。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括压力调整阀，该压力调整阀设于所述排出管线，用于调整所述处理容器内的压力，所述旁路管线与所述排出管线连接的所述连接点设定于所述处理容器与所述压力调整阀之间。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，设于所述处理容器的第1流体供给部设置为朝向用于保持所述基板的所述基板保持部的下表面向所述处理容器内喷出处理流体，在所述处理容器还设有第2流体供给部，该第2流体供给部构成为朝向在所述基板保持部保持着的所述基板的上方的区域向大致沿着所述基板的表面的方向喷出处理流体，所述基板处理装置还包括主供给管线，该主供给管线与用于供给超临界状态的处理流体的处理流体供给源连接，所述主供给管线在设定于所述主供给管线的第2分支点处分支为所述第1供给管线和第2供给管线，所述第2供给管线与所述第2流体供给部连接，所述基板处理装置还包括：第1开闭阀，其设于所述第2分支点与所述第1分支点之间；第2开闭阀，其设于所述第2分支点与所述第2流体供给部之间；以及第3开闭阀，其设于所述排出部与所述连接点之间。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括控制所述基板处理装置的动作的控制部，所述控制部在第1期间设为将所述第1开闭阀和所述旁路开闭阀打开且将所述第2开闭阀和所述第3开闭阀关闭的第1状态，利用从所述第1供给管线向所述处理容器供给的处理流体，使所述处理容器内的压力上升至所述处理流体的临界压力以上的压力，所述控制部在紧接着所述第1期间的第2期间设为将所述第2开闭阀和所述第3开闭阀打开且将所述第1开闭阀和所述旁路开闭阀关闭的第2状态，一边使所述处理容器内的压力维持在所述处理流体的临界压力以上的压力，一边从所述第2供给管线向所述处理容器供给处理流体并且从所述排出部排出所述处理流体。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括一个以上的第4开闭阀，该一个以上的第4开闭阀在所述压力调
整阀的下游侧设于所述排出管线，所述控制部使所述一个以上的第4开闭阀在所述第1期间的至少末期关闭，由此，使所述排出管线的至少从所述第3开闭阀至所述第4开闭阀的区间被从所述旁路管线向该区间流入的处理流体填充，使该区间内的压力升高。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述控制部使所述一个以上的第4开闭阀在所述第1期间的至少初期打开，由此，能够使从所述旁路管线流入到所述排出管线的处理流体向所述排出管线的比所述一个以上的第4开闭阀靠下游侧的部分流动。7.根据权利要求4～6中任一项所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括压力传感器，该压力传感器直接地或间接地对所述处理容器内的压力进行检测，所述控制部构成为，在所述第2期间，基于所述处理容器内的压力的设定值与所述压力传感器对压力的测量值之间的偏差，对所述压力调整阀的开度进行反馈控制，以使所述处理容器内的压力成为所述设定值。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述压力调整阀的开度的反馈控制如下述这样实施：基于所述偏差，利用致动器调节所述压力调整阀的阀芯的位置，以使所述处理容器内的压力成为所述设定值，所述控制部将所述反馈控制开始时的所述压力调整阀的阀芯的初始位置设定为，之前执行的基板处理的所述第2期间中所述压力调整阀的开度处于稳定状态时的所述压力调整阀的...

【专利技术属性】
技术研发人员：井原亨，田中晓，五师源太郎，山下刚秀，山中励二郎，神代英明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：