等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，能够抑制由贯通孔引起的异常放电的发生。等离子体处理装置具有：静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，在该第一通孔和第二通孔内具有嵌入构件，其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第一通孔和所述基台的所述第二通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。部分对应的部分至少由弹性构件形成。部分对应的部分至少由弹性构件形成。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
[0001]本申请是申请日为2017年12月5日、申请号为201711270773.1、专利技术名称为“等离子体处理装置”的申请的分案申请。


[0002]本专利技术的各种方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

[0003]以往以来，已知一种使用等离子体来对晶圆等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。这种等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内具有兼作电极的用于保持被处理体的载置台。等离子体处理装置通过对载置台施加规定高频电力来对配置于载置台的被处理体进行等离子体处理。在载置台形成有收纳了升降销的贯通孔。在等离子体处理装置中，在搬送被处理体的情况下，使升降销从贯通孔突出，利用升降销从背面支承被处理体来使该被处理体从载置台脱离。为了抑制由于升降销暴露于等离子体而发生异常放电，升降销由绝缘性构件形成，下部由导电材料形成。
[0004]专利文献1：日本特开2000
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195935号公报

技术实现思路

[0005]专利技术要解决的问题
[0006]然而，近年来，等离子体处理装置将施加于载置台的高频电力高电压化以进行等离子体处理。在施加于载置台的高频电力被高电压化的情况下，有时由于收纳有升降销的贯通孔而发生异常放电。在等离子体处理装置中，当由于贯通孔发生异常放电时，有可能使被处理体的质量恶化而成为成品率降低的主要原因。
[0007]用于解决问题的方案
[0008]公开的等离子体处理装置在一个实施方式中具有静电卡盘和升降销。静电卡盘具有载置被处理体的载置面和与载置面相对的背面，在静电卡盘形成有贯通载置面和背面的通孔。升降销的至少一部分由绝缘性构件形成，升降销的前端收纳于通孔，该升降销通过相对于载置面沿上下方向移动来沿上下方向搬送被处理体。等离子体处理装置在升降销的与通孔对应的前端部分和通孔的与升降销相向的壁面中的至少一方具有导电性构件。
[0009]公开的等离子体处理装置在另一个实施方式中具有：静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，在该第一通孔和第二通孔内具有嵌入构件，其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第一通孔和所述基台的所述第二通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据公开的等离子体处理装置的一个方式，起到能够抑制由贯通孔引起的异常放
电的发生的效果。
附图说明
[0012]图1是示出本实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概要截面图。
[0013]图2是示出图1的等离子体处理装置中的载置台的概要截面图。
[0014]图3是示出图1的等离子体处理装置中的载置台的概要截面图。
[0015]图4是示意性地示出静电卡盘的销用贯通孔附近的电位的状态的图。
[0016]图5是示意性地示出收纳于销用贯通孔的升降销的前端部分的图。
[0017]图6是示意性地示出收纳于销用贯通孔的升降销的前端部分的图。
[0018]图7是示出计算出集肤效应的结果的一例的图。
[0019]图8是示出在升降销的前端部分形成有导电膜的一例的图。
[0020]图9是示出利用导电性构件形成升降销的前端部分的一例的图。
[0021]图10是示出在升降销的前端部分的内部嵌入有导电部的一例的图。
[0022]图11是示出在升降销的前端部分的内部嵌入有导电部的其它一例的图。
[0023]图12是使用等效电路来模拟销用贯通孔内的电位的变化的图。
[0024]图13是示出在销用贯通孔的与升降销相向的壁面具有导电性构件的一例的图。
[0025]图14是示意性地示出静电卡盘的销用贯通孔附近的立体图。
[0026]图15A是示出载置台的概要截面图。
[0027]图15B是说明嵌入构件的破损的图。
[0028]图16A是说明第三实施方式所涉及的嵌入构件的图。
[0029]图16B是说明第三实施方式所涉及的嵌入构件的图。
[0030]附图标记说明
[0031]W：晶圆；6：静电卡盘；6c：导电膜；6d：筒状构件；21：载置面；22：背面；61：升降销；61a：销主体部；61b：销上端部；61c：导电膜；61d：凹部；61e：导电部；100：等离子体处理装置；200：销用贯通孔；210：气体供给用贯通孔；210a：贯通孔；210b：贯通孔；220：嵌入构件。
具体实施方式
[0032]下面，参照附图来详细地说明本申请公开的等离子体处理装置的实施方式。此外，设为在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，并不限定于通过本实施方式公开的专利技术。各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当地进行组合。设为在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，“上”“下”的用语是基于图示的状态且为了便于理解而使用的。
[0033](第一实施方式)
[0034][等离子体处理装置的结构][0035]图1是示出本实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的概要截面图。等离子体处理装置100气密地构成，具有被设为在电气上为接地电位的处理容器1。该处理容器1设为圆筒状，例如由铝等构成。在处理容器1划出用于生成等离子体的处理空间。在处理容器1内设置有水平地支承作为被处理体(work
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piece)的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)W的载置台2。载置台2构成为包括基材(基部)2a和静电卡盘(ESC：Electrostatic chuck)6。基
材2a由导电性的金属、例如铝等构成，具有作为下部电极的功能。静电卡盘6具有用于静电吸附晶圆W的功能。载置台2被支承于支承台4。支承台4被支承于例如由石英等构成的支承构件3。另外，在载置台2的上方的外周设置有例如由单晶硅形成的聚焦环5。并且，在处理容器1内以包围载置台2和支承台4的周围的方式设置有例如由石英等构成的圆筒状的内壁构件3a。
[0036]第一RF(Radio Frequency：射频)电源10a经由第一匹配器11a来与基材2a连接，另外，第二RF电源10b经由第二匹配器11b来与基材2a连接。第一RF电源10a用于产生等离子体，构成为从该第一RF电源10a向载置台2的基材2a供给规定频率的高频电力。另外，第二RF电源10b用于拉入离子(偏置用)，构成为从该第二RF电源10b向载置台2的基材2a供给频率比第一RF电源10a的频率低的规定频率的高频电力。像这样，载置台2构成为能够被施加电压。另一方面，在载置台2的上方以与载置台2平行且相向的方式设置具有作为上部电极的功能的喷头16。喷头16和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥功能。
[0037]静电卡盘6构成为电极6a介于该绝缘体6b之间，直流电源12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：静电卡盘，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，在该静电卡盘形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；以及基台，其具有支承所述静电卡盘的支承面，在该基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，在该第一通孔和第二通孔内具有嵌入构件，其中，所述嵌入构件的与所述静电卡盘的所述第一通孔和所述基台的所述第二通孔的连通部分对应的部分至少由弹性构件形成。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述弹性构件由杨氏模量为20GPa以下的构件形成。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述嵌入构件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，石川聪，千叶谅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：