蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统制造方法及图纸

公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。

Etching method, plasma processing device and substrate processing system

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统


[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统。

技术介绍

[0002]在电子器件的制造中对基板进行蚀刻。对蚀刻要求选择性。即，要求在保护基板的第一区域的同时选择性地蚀刻第二区域。下述的专利文献1和2公开了一种相对于由氮化硅形成的第一区域选择性地蚀刻由氧化硅形成的第二区域的技术。这些文献中公开的技术使碳氟化合物沉积于基板的第一区域和第二区域上。沉积于第一区域上的碳氟化合物用于保护第一区域，沉积于第二区域上的碳氟化合物用于蚀刻第二区域。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
173240号公报
[0006]专利文献2：日本特开2016
‑
111177号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种在相对于第二区域选择性地保护基板的第一区域的同时对第二区域进行蚀刻的技术。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，包括以下工序：工序(a)，提供基板，该基板具有第一区域和第二区域，所述第二区域包含氧化硅，所述第一区域由与所述第二区域不同的材料形成；工序(b)，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在所述第一区域上优先地形成沉积物；以及工序(c)，对所述第二区域进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二区域由氮化硅形成，所述工序(c)包括以下工序：工序(c1)，通过从包含碳氟化合物气体的第二处理气体生成等离子体，来在所述基板上形成包含碳氟化合物的其它沉积物；以及工序(c2)，通过向在其上形成有所述其它沉积物的所述基板供给来自从稀有气体生成的等离子体的离子，来对所述第二区域进行蚀刻。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，交替地重复进行所述工序(b)和所述工序(c)。4.根据权利要求2或3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二区域被所述第一区域包围，在所述工序(c)中，所述第二区域被自对准地蚀刻。5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一区域是形成于所述第二区域上的光致抗蚀剂掩模。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在同一腔室中执行所述工序(b)和所述工序(c)。7.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在第一腔室中执行所述工序(b)，在第二腔室中执行所述工序(c)。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(b)与所述工序(c)之间还包括在真空环境下从所述第一腔室向所述第二腔室搬送所述基板的工序。9.一种等离子体处理装置，具备：腔室；基板支承器，其设置于所述腔室内；等离子体生成部，其构成为在所述腔室内生成等离子体；以及控制部，其中，所述控制部构成为实现以下工序：工序(a)，利用从包含碳且不包含氟的第一处理气体生成的第一等离子体，在基板的第一区域上优先地形成沉积物；以及工序(b)，对所述基板的第二区域进行蚀刻。10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述控制部构成为还实现工序(c)，在所述工序(c)中交替地重复进行所述工序(a)和
所述工序(b)。11.根据权利要求9或10所述的等离子体处理装置，其特征在于，通过多个循环来执行所述工序(b)，所述多个循环的各循环包括以下工序：工序(b1)，通过从包含碳氟化合物气体的第二处理气体生成等离子体，来在所述基板上形成包含碳氟化合物的其它沉积物；以及工序(b2)，通过向在...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤琢磨，吉村正太，森北信也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：