蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统制造方法及图纸

公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。

Etching method, plasma processing device and substrate processing system

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统


[0001]本公开的例示性的实施方式涉及一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统。

技术介绍

[0002]在电子器件的制造中对基板进行蚀刻。对蚀刻要求选择性。即，要求在保护基板的第一区域的同时选择性地蚀刻第二区域。下述的专利文献1和2公开了一种相对于由氮化硅形成的第一区域选择性地蚀刻由氧化硅形成的第二区域的技术。这些文献中公开的技术使碳氟化合物沉积于基板的第一区域和第二区域上。沉积于第一区域上的碳氟化合物用于保护第一区域，沉积于第二区域上的碳氟化合物用于蚀刻第二区域。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015
‑
173240号公报
[0006]专利文献2：日本特开2016
‑
111177号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种在相对于第二区域选择性地保护基板的第一区域的同时对第二区域进行蚀刻的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]在一个例示性的实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。<br/>[0011]专利技术的效果
[0012]根据一个例示性的实施方式，能够在相对于第二区域选择性地保护基板的第一区域的同时对第二区域进行蚀刻。
附图说明
[0013]图1是一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。
[0014]图2是能够应用图1所示的蚀刻方法的一例的基板的局部放大截面图。
[0015]图3是能够应用图1所示的蚀刻方法的其它例的基板的局部放大截面图。
[0016]图4的(a)～图4的(f)分别是应用了图1所示的蚀刻方法的对应的工序的状态的一例的基板的局部放大截面图。
[0017]图5是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
[0018]图6是概要性地表示其它例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
[0019]图7是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理系统的图。
[0020]图8的(a)和图8的(b)是表示第一实验的结果的图，图8的(c)和图8的(d)是表示第一比较实验的结果的图。
[0021]图9的(a)和图9的(b)是表示第二实验的结果的图，图9的(c)和图9的(d)是表示第二比较实验的结果的图。
[0022]图10是表示在第三实验中得到的离子能与开口的宽度之间的关系的曲线图。
[0023]图11是说明在第四实验～第六实验中测定出的尺寸的图。
[0024]图12的(a)～(f)分别是第七实验～第十二实验中的形成沉积物DP后的样本基板的透射电子显微镜(TEM)图像。
[0025]图13是在图1所示的蚀刻方法中能够采用的例示性的实施方式所涉及的工序STc的流程图。
[0026]图14的(a)～图14的(e)分别是应用了图1所示的蚀刻方法的对应的工序的状态的一例的基板的局部放大截面图。
[0027]图15是其它例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。
[0028]图16是概要性地表示其它例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
[0029]图17的(a)～图17的(d)分别是应用了图15所示的蚀刻方法的对应的工序的状态的一例的基板的局部放大截面图。
[0030]图18是能够应用各种例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法的另一其它例的基板的局部放大截面图。
[0031]图19的(a)和图19的(b)分别是应用了例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法的对应的工序的状态的一例的基板的局部放大截面图。
具体实施方式
[0032]下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
[0033]在一个例示性的实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。
[0034]在上述实施方式中从第一处理气体形成的碳化学种优先地沉积于第一区域上。在包含氧的第二区域上，从第一处理气体形成的碳化学种的沉积被抑制。因而，在上述实施方式中，在沉积物优先地形成于第一区域上的状态下进行第二区域的蚀刻。因此，根据上述实施方式，能够在相对于第二区域选择性地保护基板的第一区域的同时对第二区域进行蚀刻。
[0035]在一个例示性的实施方式中，第二区域可以由氮化硅形成。工序(c)可以包括工序(c1)，在工序(c1)中，通过从包含碳氟化合物气体的第二处理气体生成等离子体，来在基板上形成包含碳氟化合物的其它沉积物。工序(c)还可以包括工序(c2)，在工序(c2)中，通过向在其上形成有其它沉积物的基板供给来自从稀有气体生成的等离子体的离子，来对第二
区域进行蚀刻。
[0036]在一个例示性的实施方式中，可以交替地重复进行工序(b)和工序(c)。
[0037]在一个例示性的实施方式中，第二区域可以被第一区域包围。在工序(c)中，第二区域可以被自对准地蚀刻。
[0038]在一个例示性的实施方式中，第一区域可以是形成于第二区域上的光致抗蚀剂掩模。
[0039]在一个例示性的实施方式中，可以在同一腔室中执行工序(b)和工序(c)。
[0040]在一个例示性的实施方式中，可以在第一腔室中执行工序(b)，可以在第二腔室中执行工序(c)。
[0041]在一个例示性的实施方式中，蚀刻方法可以在工序(b)与工序(c)之间还包括在真空环境下从第一腔室向第二腔室搬送基板的工序。
[0042]在其它例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、等离子体生成部以及控制部。基板支承器设置于腔室内。等离子体生成部构成为在腔室内生成等离子体。控制部构成为实现工序(a)，在工序(a)中，利用从包含碳且不包含氟的第一处理气体生成的第一等离子体，在基板的第一区域上优先地形成沉积物。控制部构成为还实现对基板的第二区域进行蚀刻的工序(b)。
[0043]在一个例示性的实施方式中，控制部可以构成为还实现交替地重复进行工序(a)和工序(b)的工序(c)。
[0044]在一个例示性的实施方式中，可以通过多个循环来执行工序(b)。多个循环的各循环包括工序(b1)，在工序(b1)中，通过从包含碳氟化合物气体的第二处理气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，包括以下工序：工序(a)，提供基板，该基板具有第一区域和第二区域，所述第二区域包含氧化硅，所述第一区域由与所述第二区域不同的材料形成；工序(b)，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在所述第一区域上优先地形成沉积物；以及工序(c)，对所述第二区域进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二区域由氮化硅形成，所述工序(c)包括以下工序：工序(c1)，通过从包含碳氟化合物气体的第二处理气体生成等离子体，来在所述基板上形成包含碳氟化合物的其它沉积物；以及工序(c2)，通过向在其上形成有所述其它沉积物的所述基板供给来自从稀有气体生成的等离子体的离子，来对所述第二区域进行蚀刻。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，交替地重复进行所述工序(b)和所述工序(c)。4.根据权利要求2或3所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二区域被所述第一区域包围，在所述工序(c)中，所述第二区域被自对准地蚀刻。5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一区域是形成于所述第二区域上的光致抗蚀剂掩模。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在同一腔室中执行所述工序(b)和所述工序(c)。7.根据权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，在第一腔室中执行所述工序(b)，在第二腔室中执行所述工序(c)。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述工序(b)与所述工序(c)之间还包括在真空环境下从所述第一腔室向所述第二腔室搬送所述基板的工序。9.一种等离子体处理装置，具备：腔室；基板支承器，其设置于所述腔室内；等离子体生成部，其构成为在所述腔室内生成等离子体；以及控制部，其中，所述控制部构成为实现以下工序：工序(a)，利用从包含碳且不包含氟的第一处理气体生成的第一等离子体，在基板的第一区域上优先地形成沉积物；以及工序(b)，对所述基板的第二区域进行蚀刻。10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述控制部构成为还实现工序(c)，在所述工序(c)中交替地重复进行所述工序(a)和
所述工序(b)。11.根据权利要求9或10所述的等离子体处理装置，其特征在于，通过多个循环来执行所述工序(b)，所述多个循环的各循环包括以下工序：工序(b1)，通过从包含碳氟化合物气体的第二处理气体生成等离子体，来在所述基板上形成包含碳氟化合物的其它沉积物；以及工序(b2)，通过向在...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤琢磨，吉村正太，森北信也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：