混合键合晶圆的分离方法技术

本申请公开了一种混合键合晶圆的分离方法，包括：提供晶圆组件，所述晶圆组件包括采用混合键合方式连接的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间具有混合键合界面，所述晶圆组件包括多个芯片组，每个所述芯片组包括相对设置的两个芯片，且所述两个芯片分别来自所述第一晶圆和所述第二晶圆；沿第一方向对所述晶圆组件进行干法刻蚀，使相邻所述芯片组分离，所述第一方向与所述混合键合界面相交。本申请提供的混合键合晶圆的分离方法，能够使相邻的芯片组分离，且不破坏混合键合界面，避免混合键合界面在外力作用下分层。避免混合键合界面在外力作用下分层。避免混合键合界面在外力作用下分层。

【技术实现步骤摘要】
混合键合晶圆的分离方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，特别是涉及一种混合键合晶圆的分离方法。

技术介绍

[0002]本部分的描述仅提供与本说明书公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
[0003]随着电子产业的发展，芯片的功能越来越复杂，尺寸越来越小，适应该需求的新的半导体技术不断涌现，如晶圆级封装、3D芯片堆叠、3D器件、绝缘体上硅晶圆等等，这些技术的发展驱动了晶圆键合技术的发展。
[0004]晶圆键合是通过晶圆界面处的原子在外界能量的作用下，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶圆键合成为一体的技术。混合键合(例如同时包括绝缘体
‑
绝缘体键合、半导体
‑
半导体键合、金属
‑
金属键合)是一种比较常用的晶圆键合方式，其广泛应用于3D芯片领域，例如CMOS图像传感器、DRAM、3D
‑
NAND闪存与逻辑器件的键合过程中。
[0005]具体的，混合键合是将两片晶圆的氧化层磨至极平，通过氢键、分子间作用力等作用，将其压合在一起，实现芯片间的超短距离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合键合晶圆的分离方法，其特征在于，包括：提供晶圆组件，所述晶圆组件包括采用混合键合方式连接的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间具有混合键合界面，所述晶圆组件包括多个芯片组，每个所述芯片组包括相对设置的两个芯片，且所述两个芯片分别来自所述第一晶圆和所述第二晶圆；沿第一方向对所述晶圆组件进行干法刻蚀，使相邻所述芯片组分离，所述第一方向与所述混合键合界面相交。2.根据权利要求1所述的混合键合晶圆的分离方法，其特征在于，所述沿第一方向对所述晶圆组件进行干法刻蚀的步骤，包括：沿所述第一方向对所述第二晶圆进行干法刻蚀以形成第一刻蚀槽，所述第一刻蚀槽的底面与所述混合键合界面具有预定距离；沿所述第一方向的反向对所述第一晶圆进行干法刻蚀以形成第二刻蚀槽，所述第二刻蚀槽与所述第一刻蚀槽相连通，使相邻所述芯片组分离。3.根据权利要求1所述的混合键合晶圆的分离方法，其特征在于，所述沿第一方向对所述晶圆组件进行干法刻蚀的步骤，包括：沿所述第一方向对所述第二晶圆进行干法刻蚀以形成第一刻蚀槽，所述第一刻蚀槽的底面与所述混合键合界面齐平；沿所述第一方向的反向对所述第一晶圆进行干法刻蚀以形成第二刻蚀槽，所述第二刻蚀槽与所述第一刻蚀槽相连通，使相邻所述芯片组分离。4.根据权利要求2或3所述的混合键合晶圆的分离方法，其特征在于，所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽的宽度相等，且所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽在所述第一方向上对齐设置。5.根据权利要求2或3所述的混合键合晶圆的分离方法，其特征在于，所述形成第一刻蚀槽的步骤和所述形成第二刻蚀槽的步骤之间，包括：在所述第二晶圆背对所述第一晶圆的一侧设置载板；所述形成第二刻蚀槽的步骤之后，包括：去除所述载板。6.根据权利要求5所述的混合键合晶圆的分离方法，其特征在于，所述设置载板的步骤包括：在所述第二晶圆背对所述第一晶圆的一侧涂布临时键合胶，所述临时键合胶填充所述第一刻蚀槽并覆盖所述第二晶圆背对所述第一晶圆的一面；在所述临时键合胶背对所述第二晶圆的一侧设置所述载板。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：马力，项敏，季蓉，郑子企，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：