一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法制造方法及图纸

一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法，所述电感耦合等离子处理装置包括一反应腔，反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置，其中绝缘窗中心包括一进气喷头，反应腔内还包括一基座，待处理基片位于所述基座上，所述进气喷头用于将处理气体输入反应腔中，其特征在于：所述经过进气喷头输入反应腔的处理气体包括刻蚀气体和惰性气体，其中刻蚀气体用于与待处理基片上的材料反应进行刻蚀，所述惰性气体的流量大于刻蚀气体流量的2/3。2/3。2/3。

【技术实现步骤摘要】
一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种应用于电感耦合等离子处置装置的等离子体处理方法。

技术介绍

[0002]等离子体处理装置广泛应用于集成电路的制造工艺中，如沉积、刻蚀等。其中，电感耦合型等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)装置是等离子体处理装置中的主流技术之一，其原理主要是使用射频功率驱动电感耦合线圈产生较强的高频交变磁场，使得低压的反应气体被电离产生等离子体。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，所述活性粒子可以和待处理晶圆的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理基片的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。
[0003]图1示出一种电感耦合型等离子体反应装置(ICP)结构示意图，ICP刻蚀设备是一种将射频电源的能量经由电感线圈，以磁场耦合的形式进入反应腔内部，从而产生等离子体并用于刻蚀的设备。电感耦合型等离子体反应装置包括真空反应腔200，真空反应腔包括由金属材料制成的大致为圆柱形的反应腔侧壁201，反应腔侧壁上设置一开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法，所述电感耦合等离子处理装置包括一反应腔，反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置，其中绝缘窗中心包括一进气喷头，反应腔内还包括一基座，待处理基片位于所述基座上，所述进气喷头用于将处理气体输入反应腔中，其特征在于：通过进气喷头提供所述处理气体到反应腔，点燃等离子体对待处理基片进行等离子处理，输入反应腔的处理气体包括刻蚀气体和惰性气体，其中刻蚀气体用于与待处理基片上的材料反应进行刻蚀，所述惰性气体的流量大于刻蚀气体流量的2/3。2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述电感线圈装置包括第一和第二电感线圈，其中第一电感线圈位于绝缘窗中心区域，第二电感线圈围绕所述第一电感线圈。3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述基片上的材料为晶体硅，所述刻蚀气体包括含氟气体和含氯气体。4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述基片上的材料为硅氧化合物，所述刻蚀气体包括氟碳化合物或者氟碳氢化合物。5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体的流量大于所述刻蚀气体的流量。6.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体的流量大于等于刻蚀气体流量的2倍，且输入到第一电感线圈的功率大于输入到第二电感线圈的功率。7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述进气喷头包括位于中心的第一进气喷口，围绕所述第一进气喷口的多...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋平，许颂临，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：