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一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法，所述电感耦合等离子处理装置包括一反应腔，反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置，其中绝缘窗中心包括一进气喷头，反应腔内还包括一基座，待处理基片位于所述基座上，所述进气喷头用于将处理气体...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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