真空处理装置的异物测定方法制造方法及图纸

一种真空处理装置的异物测定方法，该真空处理装置具备：处理单元，其具有在内部具有处理晶片的处理室的真空容器、及将所述处理室内排气的排气泵；真空搬运单元，其具有搬运所述晶片的搬运室；和连接管，其具有在所述处理室与所述搬运室之间能够搬运所述晶片的通路，所述异物测定方法具有：异物收集工序，相比于所述处理室的内压，提高所述搬运室的内压，由此从所述搬运室向所述处理室在所述通路内使气体的流动产生，向横跨所述搬运室、所述通路与所述处理室的位置搬运晶片，并保持给定时间；以及异物测定工序，对附着在所述晶片的表面的异物进行测定。异物进行测定。异物进行测定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空处理装置的异物测定方法


[0001]本专利技术涉及真空处理装置的异物测定方法。

技术介绍

[0002]已知以下真空处理装置：具备真空处理单元，该真空处理单元具有在真空容器内部被减压的处理室，在该处理室内搬运半导体晶片等的基板状的试样，使用导入处理用气体而形成的等离子体进行处理。在真空处理装置中，真空处理单元的真空容器内部的处理室和其他真空容器即真空搬运容器连结。在处理室内被处理过的试样，经过已被减压的真空容器内部的真空搬运室内，向真空搬运容器移送并被搬运至后工序，此外处理前的试样从真空搬运容器经过真空搬运室并被移送至真空容器内部的处理室。
[0003]在这样的真空处理装置中，因为在处理室及真空搬运室和它们之间的通路内移送试样，所以会存在以下问题：附着于这些内侧表面的粒子、其堆积物在试样的移送中从表面游离而附着于试样表面，从而产生异物。若异物附着于试样的表面，则从包括所附着的位置的部位制造出的半导体器件会产生次品，担忧半导体器件的制造上的成品率会恶化。
[0004]因此，为了抑制这样的异物的产生，以往一直进行以下操作：收集从真本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种真空处理装置的异物测定方法，所述真空处理装置具备：处理单元，其具有在内部具有处理晶片的处理室的真空容器、及将所述处理室内排气的排气泵；真空搬运单元，其具有搬运所述晶片的搬运室；和连接管，其具有在所述处理室与所述搬运室之间能够搬运所述晶片的通路，其特征在于，所述真空处理装置的异物测定方法具有：异物收集工序，相比于所述处理室的内压，提高所述搬运室的内压，由此从所述搬运室向所述处理室在所述通路内使气体的流动产生，向横跨所述搬运室、所述通路与所述处理室的位置搬运晶片，并保持给定时间；以及异物测定工序，对附着在所述晶片的表面的异物进行测定。2.根据权利要求1所述的真空处理装置的异物测定方法，其中，在所述异物收集工序中，向所述搬运室内部供给气体，在所述晶片横跨所述搬运室、所述通路与所述处理室的位置，调节所述气体向该搬运室内部的供给或...

【专利技术属性】
技术研发人员：木下能开，早野寿典，渡边智行，尾崎训史，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：