一种等离子体蚀刻方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体器件加工技术领域，提供了一种等离子体蚀刻方法及系统，在蚀刻过程中，实时监测蚀刻腔体中光谱的变化，并且根据该光谱变化识别不同的蚀刻阶段，根据识别结果，在当前蚀刻阶段完成时自动切换至下一蚀刻阶段，由此可以灵活控制蚀刻时间并根据蚀刻阶段调整相关参数，实现蚀刻过程的精确控制。本发明专利技术的上述方法能够提高蚀刻产出的产品一致性。产品的反射率、及收敛性明显改善，并且衬底的靶心命中率也明显提升。等离子体蚀刻装置将光谱检测装置与等离子体蚀刻装置结合，通过终端实现二者的通信连接，操作简单，无额外的装置成本，易于实现。易于实现。易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体蚀刻方法及系统


[0001]本专利技术涉及半导体器件加工
，特别涉及一种等离子体蚀刻方法及系统。

技术介绍

[0002]半导体器件加工中，蚀刻是必不可少的处理过程。其中干法蚀刻。例如ICP(Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体)蚀刻是一种重要的蚀刻手段。尤其对衬底的蚀刻，ICP蚀刻显得尤为重要。例如对蓝宝石衬底的蚀刻过程，通常包括ME(mainetch，主蚀刻)和OE(Over Etch，过蚀刻)，整个蚀刻过程为：设置好整体ICP蚀刻程序，包括时间，功率(ME+OE)；作业中，按照设置的固定程序进行蚀刻，完成蚀刻作业。
[0003]上述蚀刻过程整体上执行一线设定好的蚀刻程序，例如蚀刻时间、蚀刻功率都是预先设定好的，但是在蚀刻过程中无法识别不同的蚀刻阶段，难以精确地更换不同的蚀刻程度，这就导致不同蚀刻过程产出的产品的一致性较差。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术中蚀刻过程存在的不足及缺陷，本专利技术提供一种等离子体蚀刻方法及系统。本专利技术采用光谱检测装置与蚀刻装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：将待蚀刻的衬底置于蚀刻腔体中进行蚀刻；在蚀刻过程中，探测所述蚀刻腔体中的光谱；根据所述光谱的变化判断不同的蚀刻阶段；根据蚀刻阶段的判断结果调整蚀刻过程。2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，将待蚀刻的衬底置于蚀刻腔体中进行蚀刻之前还包括：预先设定好不同的蚀刻程序，不同蚀刻程序对应不同的蚀刻阶段。3.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，待蚀刻的所述衬底为单一衬底或复合衬底。4.根据权利要求3所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，当所述衬底为单一衬底时，根据蚀刻阶段的判断结果调整蚀刻过程包括：根据所述光谱判断当前蚀刻阶段结束后，自动切换至下一蚀刻程序。5.根据权利要求3所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，当所述衬底为复合衬底时，根据蚀刻阶段的判断结果调整蚀刻过程包括：根据所述光谱判断当前材料层蚀刻完成，自动切换至下一材料层的蚀刻。6.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，根据蚀刻阶段的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅晓阳，李彬彬，霍曜，李瑞评，刘聪毅，林明顺，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：