基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给...

本实用新型涉及信息获取系统。防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。构成一种信息获取系统，其用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息，其中，该信息获取系统构成为包括：...

本发明涉及信息获取系统和信息获取方法。防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。构成一种信息获取系统，其用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息，其中，该信息获取系统构...

本发明涉及信息获取系统和信息获取方法。防止位于在基板处理装置处理的基板附近的构件被配置在不适当的位置而产生处理不良的情况。构成一种信息获取系统，其用于获取与对保持于基板保持部的基板进行处理的基板处理装置相关的信息，其中，该信息获取系统构...

一种热处理装置以及热处理方法,其在低温下的温度控制性提高。本发明的一个方式的热处理装置包括:纵长的处理容器；加热部,其用于加热上述处理容器；以及冷却部,其用于冷却上述处理容器,上述冷却部具有：喷出孔，其在上述处理容器的长度方向上隔开间隔...

本申请提供一种蚀刻方法和蚀刻处理装置。在蚀刻处理时，适当地形成高深宽比的蚀刻形状。一种基板的蚀刻方法，其具备如下工序：(a)向腔室内的基板支承体上供应基板的工序，所述基板包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替层叠有硅氧化物膜和硅氮...

磨削装置具有旋转台、卡盘、旋转驱动部、磨削位置罩、清洗部和装卸位置罩。所述旋转台是以铅垂的旋转中心线为中心旋转的水平的旋转台。所述卡盘绕所述旋转台的旋转中心线以等间隔配置有多个。所述旋转驱动部使所述卡盘在装卸位置与磨削位置之间移动。所述...

本发明提供一种基片处理装置的信息取得系统和信息取得方法、运算装置，在对基片进行液体处理的基片处理装置中，防止因喷嘴或杯状体相对于基片配置于不合适的位置而导致发生处理不良。信息取得系统用于取得关于基片处理装置的信息，基片处理装置包括：保持...

本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。基板处理装置具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，载置台设置于腔室的内部且具有第一载置面和第二载置面，边缘环载置于第二载置面；测定部，其测定基板的蚀刻速率；以及控制部，控制部进行控制以在...

本发明提供一种测量装置、测量系统、基板处理装置以及测量方法，能够缩短测量时间。测量装置具有输入部、测量部以及输出部。输入部被输入与测量对象的状态相应的信号。测量部根据输入至输入部的信号来对测量对象的状态进行测量。当测量完成时，测量部生成...

本发明提供等离子体处理系统、输送臂和环状部件的输送方法，能够输送设置在处理基片的周边的环状部件。本发明的等离子体处理系统包括：处理腔室；配置于上述处理腔室内的基片支承台；环状部件，其配置在上述基片支承台的外缘部，具有与上述基片支承台接触...

本发明的液滴释放装置和液滴释放方法能够稳定地进行液滴的释放状态的检查。液滴释放装置包括输送机构、多个释放头、检查台、介质输送部和拍摄部。输送机构沿着输送方向输送工件。多个释放头对工件释放功能液的液滴。检查台吸附检查用介质，该检查用介质接...

本实用新型涉及基板处理装置，其提高基板处理装置的生产率。装置构成为包括：载体模块；第1处理模块，其由互相层叠的第1下侧处理模块、第1上侧处理模块构成；第2处理模块，其由互相层叠的第2下侧处理模块、第2上侧处理模块构成；中继模块，其包括升...

本实用新型涉及调整用喷嘴和液处理装置。其目的在于，使用低分辨率的摄像图像，准确地调整喷出喷嘴相对于旋转保持部的位置。本实用新型的一技术方案为一种调整用喷嘴，其用于在具有能够在基板的上部移动的臂和与所述臂连接并向基板喷出处理液的喷出喷嘴的...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。例示性的实施方式所涉及的基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在蚀刻对象膜上并具有开口。该方法包括以下工序：工序(a)，使用第...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制用于清洗基板的清洗液的消耗量。基板处理装置具备：第一清洗部，其构成为利用清洗液对被处理液进行了处理的基板进行清洗；贮存部，其构成为贮存排出液，所述排出液是从第一清洗...

本公开提供一种在使用凸缘将配管彼此连接时能够容许凸缘彼此之间的偏移的凸缘构造和真空排气系统。一种凸缘构造，其将第1配管和第2配管连接，其中，该凸缘构造具有：第1固定凸缘，其设于所述第1配管的前端；第2固定凸缘，其设于所述第2配管的前端；...

本公开提供一种能够将多个配管的传导性设为一定并且改善占地面积效率性的配管构造和处理装置。一种配管构造，其将在第1室相邻配置的多个处理组件和在位于所述第1室的下层的第2室配置、并与所述多个处理组件对应地设置的多个真空泵连接，其中，该配管构...

本发明提供基片输送装置、状态判断方法和计算机存储介质，能够不依赖于干扰物的周围的气氛的湿度、温度，而正确地进行关于构成基片处理装置的一部分的功能部与干扰物之间的距离的状态之判断。处理基片的基片处理装置包括：构成上述基片处理装置的一部分的...

本发明提供能够提高对控制对象的温度控制性的温度控制装置、基片处理装置和压力控制方法。温度控制装置包括：对控制对象供给热介质的供给配管；供热介质从控制对象返回的返回配管；对供给配管送出热介质的泵；传感器，其检测连接在紧靠泵之后处的供给配管...