基板处理装置和基板搬送位置调整方法制造方法及图纸

本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。基板处理装置具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，载置台设置于腔室的内部且具有第一载置面和第二载置面，边缘环载置于第二载置面；测定部，其测定基板的蚀刻速率；以及控制部，控制部进行控制以在特定的处理条件下将基板搬送到第一载置面的不同的搬送位置，并对每个搬送位置蚀刻基板；控制部针对每个搬送位置从测定部获取基板的端部附近的处于基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率，基于获取到的每个搬送位置的各蚀刻速率的来生成同心圆的周向的各个近似曲线，控制部基于所生成的每个搬送位置的近似曲线来分别计算表示基板的移动方向的线性式，对计算出的各线性式的交点坐标进行计算。交点坐标进行计算。交点坐标进行计算。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板搬送位置调整方法


[0001]本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。

技术介绍

[0002]在基板处理装置中进行蚀刻处理的情况下，载置于作为处理对象的基板的周围的边缘环因消耗而被定期地更换。众所周知，更换后的边缘环的设置位置包含误差，因此导致产生边缘环与基板之间的相对位置的错位，对基板的外周部特性带来很大的不良影响。对此，已知进行一边在视觉上确认基板的搬送位置一边使控制部存储位置坐标以校正边缘环与基板之间的相对位置的误差的所谓的示教。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2000
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127069号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够准确且容易地进行基板搬送位置的调整的基板处理装置和基板搬送位置调整方法。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基于本公开的一个方式的基板处理装置具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，载置台设置于腔室的内部，该载置台具有用于载置基板的第一载置面以及配置于第一载置面的外周的第二载置面，边缘环载置于第二载置面；测定部，其测定基板的蚀刻速率，以及控制部，控制部构成为：控制基板处理装置，以在特定的处理条件下将基板搬送到第一载置面的不同的搬送位置，并在每个搬送位置蚀刻基板；控制部构成为：控制基板处理装置，以针对每个搬送位置从测定部获取基板的端部附近的处于基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率；控制部构成为：控制基板处理装置，以基于获取到的每个搬送位置各自的蚀刻速率来生成同心圆的周向的各个近似曲线；控制部构成为：控制基板处理装置，以基于所生成的每个搬送位置的近似曲线来分别计算表示基板的移动方向的线性式，控制部构成为：控制基板处理装置，以对计算出的各个线性式的交点坐标进行计算。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够准确且容易地进行基板搬送位置的调整。
附图说明
[0012]图1是表示本公开的第一实施方式中的基板处理装置的一例的横截面俯视图。
[0013]图2是表示第一实施方式中的等离子体处理装置的一例的图。
[0014]图3是表示存在晶圆的错位的情况的一例的轮廓线图。
[0015]图4是表示蚀刻速率的近似曲线的生成的一例的图。
[0016]图5是使用近似曲线来进行示教的情况的一例的图。
[0017]图6是表示作业者进行示教的情况的一例的图。
[0018]图7是表示正弦近似方法中的参数的一例的图。
[0019]图8是表示第一实施方式中的晶圆的移动量与蚀刻速率之间的关系的一例的曲线图。
[0020]图9是表示第一实施方式中的晶圆的移动量与均匀度之间的关系的一例的曲线图。
[0021]图10是表示第一实施方式中的搬送位置调整处理的一例的流程图。
[0022]图11是表示第二实施方式中的晶圆的移动量与蚀刻速率之间的关系的一例的曲线图。
[0023]图12是表示第二实施方式中的晶圆的移动量与均匀度之间的关系的一例的曲线图。
[0024]图13是表示第二实施方式中的表示移动方向的线性式与各线性式的交点坐标的一例的图。
[0025]图14是表示第二实施方式中的搬送位置调整处理的一例的流程图。
[0026]图15是表示第二实施方式中的示教的结果的一例的图。
[0027]图16是表示第二实施方式中的示教的结果的一例的图。
具体实施方式
[0028]下面，基于附图来详细地说明公开的基板处理装置和基板搬送位置调整方法的实施方式。此外，公开技术并不受以下的实施方式限定。
[0029]作为示教，除了在视觉上进行搬送位置调整的方法以外，还有基于蚀刻速率等工艺特性来进行搬送位置调整的方法，即所谓的蚀刻速率示教。在以往的蚀刻速率示教中，作业者根据工艺特性来手动地调整搬送位置。然而，这些方法难以定量地计算适当的调整量。因此，存在调整的精度不高的情况、花费大量的调整工时的情况。因此，期待能够准确且容易地进行基板搬送位置的调整。本公开的示教与蚀刻速率示教相关，但以后简称为示教。
[0030](第一实施方式)
[0031][基板处理装置的结构][0032]图1是表示本公开的第一实施方式中的基板处理装置的一例的横截面俯视图。图1所示的基板处理装置1是能够单张地对基板(下面也称为晶圆。)实施等离子体处理等各种处理的基板处理装置。
[0033]如图1所示，基板处理装置1具备传递模块10、六个工艺模块20、加载模块30以及两个加载互锁模块40。
[0034]传递模块10在俯视时具有大致五边形的形状。传递模块10具有真空室，在真空室的内部配置有搬送机构11。搬送机构11具有导轨(未图示)、两个臂12、配置于各臂12的前端且用于支承晶圆的叉13。各臂12是选择顺应性装配机器手臂(SCARA)类型，以回转、伸缩自如的方式构成。搬送机构11沿导轨移动，来在工艺模块20、加载互锁模块40之间搬送晶圆。此外，搬送机构11能够在工艺模块20、加载互锁模块40之间搬送晶圆即可，并不限定于图1所示的结构。例如，也可以是，搬送机构11的各臂12以回转、伸缩自如的方式构成，并且以升
降自如的方式构成。
[0035]工艺模块20辐射状地配置于传递模块10的周围，工艺模块20与传递模块10连接。此外，工艺模块20是等离子体处理装置的一例。工艺模块20具有处理室，并具有配置于内部的圆柱状的基板支承部21(载置台)。基板支承部21具有从上表面突出自如的多个、例如三个细棒状的升降销22。各升降销22在俯视时配置于同一圆周上，各升降销22通过从基板支承部21的上表面突出来支承并举起被载置于基板支承部21的晶圆，通过退出到基板支承部21内来将所支承的晶圆载置于基板支承部21。当在基板支承部21载置了晶圆之后，对工艺模块20的内部进行减压并导入处理气体，并且，向工艺模块20的内部施加高频电力来生成等离子体，利用等离子体对晶圆实施等离子体处理。传递模块10与工艺模块20被开闭自如的闸阀23分隔。
[0036]加载模块30与传递模块10相向地配置。加载模块30为长方体状，是被保持为大气压气氛的大气搬送室。在加载模块30的沿着长边方向的一个侧面连接有两个加载互锁模块40。在加载模块30的沿着长边方向的另一个侧面连接有三个加载端口31。在加载端口31载置FOUP(Front
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Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)(未图示)，该FOUP是用于收容多个晶圆的容器。在加载模块30的沿着短边方向的一个侧面连接有对准器32。另外，在加载模块30内配置有搬送机构35。并且，在加载模块30的沿着短边方向的另一个侧面连接有测定部38。
[0037]对准器32用于进行晶圆的位置对准。对准器32具有通过驱动马达(未图示)而旋转的旋转台33。旋转台33例如具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具备：工艺模块，其包括载置台和边缘环，所述载置台设置于腔室的内部，所述载置台具有用于载置基板的第一载置面以及配置于所述第一载置面的外周的第二载置面，所述边缘环载置于所述第二载置面；测定部，其测定所述基板的蚀刻速率；以及控制部，其中，所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以在特定的处理条件下将所述基板搬送到所述第一载置面的不同的搬送位置，并在每个所述搬送位置蚀刻所述基板；所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以针对每个所述搬送位置从所述测定部获取所述基板的端部附近的处于所述基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率；所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以基于获取到的每个所述搬送位置各自的所述蚀刻速率来生成所述同心圆的周向的各个近似曲线；所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以基于所生成的每个所述搬送位置的所述近似曲线来分别计算表示所述基板的移动方向的线性式；所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以对计算出的各个所述线性式的交点坐标进行计算。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述近似曲线是对获取到的每个所述搬送位置处的所述蚀刻速率执行平滑化处理后生成的近似曲线。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述近似曲线是正弦近似曲线。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述同心圆的距所述基板的端部的距离为30mm以内。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以基于计算出的所述交点坐标来调整所述第一载置面上的所述基板的搬送位置。6.一种基板处理装置，具有：工艺模块，其包括载置台和边缘环，所述载置台设置于腔室的内部，所述载置台具有用于载置基板的第一载置面以及配置于所述第一载置面的外周的第二载置面，所述边缘环载置于所述第二载置面；测定部，其测定所述基板的蚀刻速率；以及控制部，其中，所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以在特定的处理条件下蚀刻所述基板；所述控制部构成为：控制所述基板处理装置，以从所述测定部获取所述基板的端部附近的处于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高良穣二，佐藤秀彦，长畑寿，木村友里，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：