基板处理装置和基板温度校正方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和基板温度校正方法，能够抑制由温度调整介质的温度变化的影响引起的基板的温度变化。基板处理装置的载置台形成有用于载置基板的载置面，在载置台的内部形成有用于流通温度调整介质的流路，在载置面形成有用于喷出传热气体的喷出口。气体供给部供给从喷出口喷出的传热气体。测量部测量在流路中流通的温度调整介质的温度。在由测量部测量的温度调整介质的温度变化了规定温度以上的情况下，在从该变化的定时起经过规定时间后，控制部控制从气体供给部供给的传热气体的压力，以消除由温度调整介质的温度变化引起的基板的温度变化，所述规定时间是载置于载置面的基板由于温度调整介质的温度变化而发生温度变化的时间。生温度变化的时间。生温度变化的时间。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板温度校正方法


[0001]本公开涉及一种基板处理装置和基板温度校正方法。

技术介绍

[0002]专利文献1中提出以下一种技术：通过向用于载置基板的载置台的流路切换地供给第一温度的温度调整介质以及第二温度的温度调整介质，来切换基板的温度。专利文献2中提出以下一种技术：调整通过低温温度调整单元被调整为第一温度的温度调整介质和通过高温温度调整单元被调整为比第一温度高的第二温度的温度调整介质的混合比并向载置台的流路进行供给，由此调整基板的温度。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
120045号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013
‑
105359号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够抑制由温度调整介质的温度变化的影响引起的基板的温度变化的温度调整介质的控制方法和温度调整介质控制装置。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]基于本公开的一个方式的基板处理装置具有载置台、气体供给部、测量部以及控制部。载置台形成有用于载置基板的载置面，在载置台的内部形成有用于流通温度调整介质的流路，在载置面形成有用于喷出传热气体的喷出口。气体供给部供给从喷出口喷出的传热气体。测量部测量在流路中流通的温度调整介质的温度。在由测量部测量的温度调整介质的温度变化了规定温度以上的情况下，在从发生了该变化的定时起经过规定时间后，控制部控制从气体供给部供给的传热气体的压力，以消除由温度调整介质的温度变化引起的基板的温度变化，所述规定时间是载置于载置面的基板由于温度调整介质的温度变化而发生温度变化的时间。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开的各种侧面以及实施方式，能够抑制由温度调整介质的温度变化的影响引起的基板的温度变化。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的一例的概要截面图。
[0014]图2是表示实施方式所涉及的温度控制装置的概要结构的一例的图。
[0015]图3A是用于说明由实施方式所涉及的温度控制装置进行的温度调整介质的切换动作的图。
[0016]图3B是用于说明由实施方式所涉及的温度控制装置进行的温度调整介质的切换动作的图。
[0017]图4是表示实施方式所涉及的温度调整介质的温度和基板的温度的变化的一例的曲线图。
[0018]图5是表示实施方式所涉及的温度调整介质的温度和基板的温度的变化的一例的曲线图。
[0019]图6是用于说明实施方式所涉及的规定时间的求法的一例的图。
[0020]图7是表示实施方式所涉及的传热气体的压力与基板的温度之间的关系的一例的图。
[0021]图8是表示实施方式所涉及的由从等离子体向基板W的热输入量引起的PT曲线的变化的一例的图。
[0022]图9是将图7的纵轴、横轴进行对数化所得到的图。
[0023]图10是用于说明实施方式所涉及的基板的温度校正的一例的图。
[0024]图11是用于说明实施方式所涉及的传热气体的压力控制的图。
[0025]图12是表示实施方式所涉及的基板温度校正方法的一例的流程图。
[0026]图13是用于说明实施方式所涉及的基板的温度校正的其它例的图。
具体实施方式
[0027]下面，基于附图来详细地说明公开的基板处理装置和基板温度校正方法的实施方式。此外，公开的基板处理装置和基板温度校正方法并不受下面的实施方式限定。
[0028]另外，在想要通过改变在载置台的流路中流通的温度调整介质的温度来改变载置台的温度从而变更基板的温度的情况下，有时基板由于温度调整介质的温度变化的影响而发生温度变化。例如，有时用于贮存温度调整介质的罐中贮存的温度调整介质的温度由于切换时的返回温度调整介质的影响而发生变化，基板的温度由于从罐供给的温度调整介质的温度变化的影响而发生变化。另外，在调整温度调整介质的混合比来调整温度调整介质的温度的情况下，有时无法以温度固定的方式调整混合比，温度调整介质的温度发生变化，从而基板的温度由于温度调整介质的温度变化的影响而发生变化。
[0029]当基板发生温度变化时，有时对基板处理带来影响。因此，本公开提供一种能够抑制由温度调整介质的温度变化的影响引起的基板的温度变化的技术。
[0030][实施方式][0031][基板处理装置1的结构][0032]对本公开的基板处理装置的一例进行说明。首先，对实施方式所涉及的基板处理装置1进行说明。基板处理装置1对基板W实施基板处理。在实施方式中，以将基板处理装置1设为等离子体处理装置、将对基板W进行作为基板处理的等离子体蚀刻等等离子体处理的情况为例进行说明。图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置1的一例的概要截面图。在本实施方式中，基板处理装置1例如是具备平行板电极的等离子体蚀刻装置。基板处理装置1具备装置主体10和控制装置70。装置主体10具有处理容器12，该处理容器12例如由铝等材料构成，例如具有大致圆筒形状的形状。处理容器12的内壁面被实施了阳极氧化处理。另外，处理容器12被安全接地。
[0033]在处理容器12的底部上设置有例如由石英等绝缘材料构成的大致圆筒状的支承部14。支承部14在处理容器12内从处理容器12的底部沿铅垂方向(例如朝向上部电极30的方向)延伸。
[0034]在处理容器12内设置有载置台11。载置台11被支承部14支承。在载置台11的上表面的中央形成有用于载置半导体晶圆等基板W的载置面11a。基板W载置于载置台11的载置面11a。载置台11保持被载置于载置面11a的基板W。载置台11具有静电吸盘ESC和下部电极LE。下部电极LE例如由铝等金属材料构成，具有大致圆盘形状的形状。静电吸盘ESC配置在下部电极LE上。静电吸盘ESC的上表面为载置面11a。
[0035]静电吸盘ESC具有在一对绝缘层之间或者一对绝缘板之间配置有作为导电膜的电极EL的构造。电极EL经由开关SW而与直流电源17电连接。静电吸盘ESC利用通过从直流电源17供给的直流电压产生的库仑力等静电力将基板W吸附于静电吸盘ESC的上表面。由此，静电吸盘ESC能够保持基板W。
[0036]在载置台11的载置面11a形成有用于喷出传热气体的喷出口11b。经由配管19向喷出口11b供给例如He气等传热气体。配管19与气体供给部18连接。气体供给部18向配管19供给传热气体。经由配管19供给来的传热气体从喷出口11b喷出并被供给到静电吸盘ESC与基板W之间。能够通过调整向静电吸盘ESC与基板W之间供给的传热气体的压力，来调整静电吸盘ESC与基板W之间的热导率。
[0037]在静电吸盘ESC的周围以包围基板W的边缘和静电吸盘ESC的方式配置有边缘环ER。边缘环ER也有时被称作聚焦环。通过边缘环ER，能够提高针对基板W的处理的面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具有：载置台，其形成有用于载置基板的载置面，在所述载置台的内部形成有用于流通温度调整介质的流路，在所述载置面形成有用于喷出传热气体的喷出口；气体供给部，其供给从所述喷出口喷出的所述传热气体；测量部，其测量在所述流路中流通的温度调整介质的温度；以及控制部，在由所述测量部测量的温度调整介质的温度变化了规定温度以上的情况下，在从发生了该变化的定时起经过规定时间后，所述控制部控制从所述气体供给部供给的所述传热气体的压力，以消除由所述温度调整介质的温度变化引起的所述基板的温度变化，所述规定时间是载置于所述载置面的所述基板由于所述温度调整介质的温度变化而发生温度变化的时间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部进行控制，以在所述温度调整介质的温度变高了规定温度以上的情况下使从所述气体供给部供给的所述传热气体的压力增大，在所述温度调整介质的温度变低了规定温度以上的情况下使从所述气体供给部供给的所述传热气体的压力减小。3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部使用表示从所述气体供给部供给的所述传热气体的压力与所述基板的温度的关系的关系式，来求用于进行所述基板的温度变化的校正的传热气体的压力的校正量，并在从发生了所述变化的定时起经过所述规定时间后进行使从所述气体供给部供给的所述传热气体的压力变化所述校正量的控制。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述关系式包含参数，所述基板处理装置还具有存储参数数据的存储部，所述参数数据针对等离子体处理的各热输入量或者等离子体处理的各处理条件存储了所述关系式的所述参数的值，在由所述测量部测量的温度调整介质的温度变化了规定温度以上时，所述控制部根据所述参数数据确定出与正实施的等离子体处理的热输入量或者等离子体处理的处理条件对应的参数的值，并使用应用了确定出的参数的值的所述关系式，来求用于进行所述基板的温度变化的校正的传热气体的压力的校正量。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部根据由所述测量部测量的温度调整介质的温度变化了规定温度以上时的温度变化的波形的形状，来控制从所述气体供给部供给的所述传热气体的压力。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有温度调整介质供给部，所述温度调整介质供给部使所述温度调整介质在所述流路和所述温度调整介质供给部中循环，向所述流路切换地供给第一温度的温度调整介质或者比所述第一温度高的第二温度的温度调整介质，当在从所述温度调整介质供给部向所述流路供给所述第一温度的所述温度调整介质时由所述测量部测量的温度调整介质的温度从所述第一温度变化了规定温度以上的情况下、以及在从所述温度调整介质供给部向所述流路供给所述第二温度的所述温度调整介质时由所述测量部测量的温度调整介质的温度从所述第二温度变化了规定温度以上的情况下，在从发生了该变化的定时起经过所述规定时间后，所述控制部控制从所述气体供给部
供给的所述传热气体的压力。7.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有温度调整介质供给部，所述温度调整介质供给部使所述温度调整介质在所述流路和所述温度调整介质供给部中循环，将第一温度的温度调整介质和比所述第一温度高的第二温度的温度调整介质以会成为设定温度的方式进行混合并向所述流路供给，当在从所述温度调整介质供给部向所述流路供给以会成为所述设定温度的方式进行混合后的所述温度调整介质时由所述测量部测量的温度调整介质的温度从所述设定温度变化了规定温度以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊深怜，五十岚大，加藤裕贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：