等离子体处理装置和控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括：容器；设置在所述容器内并具有电极的载置台；在所述容器内生成等离子体的等离子体源；周期性地对所述电极供给脉冲状负直流电压的偏置电源；周边环，其以包围载置于所述载置台的基片的方式配置；和对所述周边环供给直流电压的直流电源，所述直流电源被配置成，当所述脉冲状负直流电压没有被供给到所述电极时在第一期间供给第一直流电压，并当所述脉冲状负直流电压被供给到所述电极时在第二期间供给第二直流电压。本发明专利技术的目的在于提高被处理体的蚀刻形状的精度。于提高被处理体的蚀刻形状的精度。于提高被处理体的蚀刻形状的精度。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和控制方法
[0001]本案是申请日为2019年10月10日、申请号为201910958163.3的名为“等离子体处理装置和控制方法”这一申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及等离子体处理装置和控制方法。

技术介绍

[0003]已知一种等离子体处理装置，其利用载置于载置台的晶片的周缘的周边环，能够提高处理的面内均匀性(例如，参照专利文献1)。在等离子体处理装置中，利用通过高频功率从气体生成的等离子体进行蚀刻处理，在晶片形成微小的孔等。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2005
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277369号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]然而，在蚀刻正圆的孔时，存在在晶片的边缘部所蚀刻的孔的正圆度被破坏，成为在径向具有长边的椭圆的孔的情况。尤其在施加400kHz程度的低频率的偏置用的高频功率时，容易发生该现象。
[0009]对于上述技术问题，在一个方面，本专利技术的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：容器；设置在所述容器内并具有电极的载置台；在所述容器内生成等离子体的等离子体源；周期性地对所述电极供给脉冲状负直流电压的偏置电源；周边环，其以包围载置于所述载置台的基片的方式配置；和对所述周边环供给直流电压的直流电源，所述直流电源被配置成，当所述脉冲状负直流电压没有被供给到所述电极时在第一期间供给第一直流电压，并当所述脉冲状负直流电压被供给到所述电极时在第二期间供给第二直流电压。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述直流电源在与所述脉冲状负直流电压的周期无关的周期间歇地停止供给所述直流电压。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述偏置电源在与所述直流电压的周期无关的周期间歇地停止供给所述脉冲状负直流电压。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述直流电源在与所述脉冲状负直流电压的周期无关的周期间歇地停止供给所述直流电压，同步地，所述偏置电源在与所述直流电压的周期无关的周期间歇地停止供给所述脉冲状负直流电压。5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一直流电压取2个以上的电压值。6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第二直流电压取2个以上的电压值。7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第二直流电压的电压值是0。8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一直流电压与所述周边环的消耗程度相应地被修正。9.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第一直流电压反复所述2个以上的电压值。10.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：容器；设置在所述容器内并具有电极的载置台；在所述容器内生成等离子体的等离子体源；周期性地对所述电极供给脉冲状负直流电压的偏置电源；周边环，其以包围载置于所述载置台的基片的方式配置；和对所述周边环供给高频电压的高频电源，所述高频电源被配置成，当所述脉冲状负直流电压没有被供给到所述电极时在第一期间供给正高频电压，并当所述脉冲状负直流电压被供给到所述电极时在第二期间供给负高
频电压。11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述高频电源在与所述脉冲状负直流电压的周期无关的周期间歇地停止供给所述高频电压。12.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，广津信，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：