加工方法以及加工装置制造方法及图纸

一种加工方法，是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次磨削处理，所述基板在所述第二再次磨削处理中被精磨削为最终精磨削厚度。最终精磨削厚度。最终精磨削厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加工方法以及加工装置


[0001]本公开涉及一种加工方法以及加工装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种晶圆的磨削加工装置，该磨削加工装置具备晶圆的磨削单元、用于调整该磨削单元的旋转轴的倾斜度的倾斜调整单元、以及存储晶圆的磨削条件的磨削条件存储单元。根据专利文献1所记载的磨削加工装置，基于存储于磨削条件存储单元的信息来调整磨削单元的旋转轴的倾斜度，由此实现将晶圆的厚度的偏差抑制到最小限度。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
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090389号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术适当地提高磨削处理后的基板的平坦度。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次磨削处理，所述基板在所述第二再次磨削处理中被精磨削为最终精磨削厚度。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本专利技术，能够适当地提高磨削处理后的基板的平坦度。
附图说明
[0012]图1是示出重合晶圆的结构的一例的说明图。
[0013]图2是示意性地示出加工装置的结构的一例的俯视图。/>[0014]图3是示出各磨削单元的结构的一例的侧视图。
[0015]图4是示出加工处理的主要工序的一例的说明图。
[0016]图5是示出加工处理的主要工序的一例的流程图。
[0017]图6是示意性地示出第一晶圆的TTV变差的情形的说明图。
[0018]图7是示出第二个重合晶圆以后的重合晶圆的加工处理的工序的流程图。
[0019]图8是示出第一晶圆的磨削量与精磨削后的TTV之间的关系的表。
具体实施方式
[0020]近年，在半导体器件的制造工序中，对将在表面形成有多个电子电路等的器件的半导体基板(以下称为”第一基板”。)与第二基板接合而得到的重合基板，进行对第一基板的背面进行磨削来将其薄化的处理。
[0021]该第一基板的薄化通过在由基板保持部保持第二基板的背面的状态下使磨削具与第一基板的背面抵接并进行磨削来进行。然而，在像这样进行第一基板的磨削的情况下，磨削后的第一基板的平坦度(TTV：Total Thickness Variation：总厚度变化)有可能由于同第一基板的背面抵接的磨削具与保持第二基板的基板保持面的相对的倾斜度而变差。具体而言，例如在加工装置由于进行第一基板的磨削的磨削具的更换而暂时处于待机状态时、或者在变更了加工装置中的磨削条件时，磨削具与基板保持面的平行度因所述的加工装置的待机前后、磨削条件变更前后的装置特性、环境特性的变化(例如装置温度、气氛温度的变化、磨削具的表面状态的变化等)而发生变化。由此，在以与待机前的磨削处理相同条件进行紧接在从待机状态恢复后的磨削处理的情况下，由于磨削具与基板保持面的平行度发生变化，因此第一基板的TTV有可能变差。
[0022]上述的专利文献1所记载的加工方法是用于通过对磨削具(磨削单元)的旋转轴的倾斜度进行调整来以均匀的厚度对第一基板(晶圆)进行磨削的磨削加工装置。然而，在专利文献1中，完全没有对上述那样的加工装置的待机状态前后的装置特性、环境特性进行考虑的记载。另外，在专利文献1所记载的方法中，需要用于调整磨削具(磨削单元)的旋转轴的倾斜度的基板(例如虚设晶圆(dummy wafer))的磨削，除了旋转轴的倾斜度调整需要时间以外，还需要废弃在倾斜度调整中使用过的基板。像这样，以往的基板的磨削处理存在改善的余地。
[0023]因此，本公开所涉及的技术适当地提高磨削处理后的基板的平坦度。具体而言，特别是适当地提高在加工装置从待机状态恢复后或磨削条件变更后保持于基板保持部的第一个基板的平坦度。以下，参照附图来对本实施方式所涉及的加工装置以及加工方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
[0024]在本实施方式所涉及的后述的加工装置1中，对作为重合基板的重合晶圆T进行处理，如图1所示，该重合晶圆T是将作为第一基板的第一晶圆W与作为第二基板的第二晶圆S接合而得到的。而且，在加工装置1中，将该第一晶圆W进行薄化。以下，在第一晶圆W中，将与第二晶圆S接合的一侧的面称为表面Wa，将与表面Wa相反的一侧的面称为背面Wb。同样，在第二晶圆S中，将与第一晶圆W接合的一侧的面称为表面Sa，将与表面Sa相反的一侧的面称为背面Sb。
[0025]第一晶圆W例如是硅基板等半导体晶圆，在表面Wa形成有包括多个器件的器件层D。在器件层D还形成有表面膜Fw，经由该表面膜Fw来与第二晶圆S接合。作为表面膜Fw，例如能够举出氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或者粘接剂等。
[0026]第二晶圆S例如是支承第一晶圆W的晶圆。在第二晶圆S的表面Sa形成有表面膜Fs，周缘部被进行了倒角加工。作为表面膜Fs，例如能够举出氧化膜(SiO2膜、TEOS膜)、SiC膜、SiCN膜或者粘接剂等。另外，第二晶圆S作为保护第一晶圆W的器件层D的保护材料(支承晶圆)发挥功能。此外，第二晶圆S无需是支承晶圆，也可以与第一晶圆W同样，是形成有器件层
的器件晶圆。在所述的情况下，在第二晶圆S的表面Sa经由器件层形成表面膜Fs。
[0027]此外，在以后的说明中使用的附图中，有时省略器件层D和表面膜Fw、Fs的图示，以避免图示的繁杂度。
[0028]如图2所示，加工装置1具有将搬入搬出站2与处理站3连接为一体的结构。在搬入搬出站2中，例如与外部之间搬入搬出能够收容多个重合晶圆T的盒Ct。处理站3具备对重合晶圆T实施期望的处理的各种处理装置。
[0029]在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例子中，在盒载置台10，将多个、例如4个盒Ct沿X轴方向自由载置成一列。此外，载置于盒载置台10的盒Ct的个数不限定于本实施方式，能够任意地决定。
[0030]在搬入搬出站2中，在盒载置台10的Y轴正方向侧与该盒载置台10相邻地设置有晶圆搬送区域20。在晶圆搬送区域20设置有晶圆搬送装置22，该晶圆搬送装置22构成为在沿X轴方向延伸的搬送路21上移动自如。
[0031]晶圆搬送装置22具有保持并搬送磨削处理前后的重合晶圆T的搬送叉23。搬送叉23的前端分支为2个，对重合晶圆T进行吸附保持。另外，搬送叉23构成为沿水平方向、铅垂方向移动自如，且绕水平轴及绕铅垂轴移动自如。此外，晶圆搬送装置22的结构不限定于本实施方式，能够采用任意的结构。而且，晶圆搬送装置22构成为能够对盒载置台10的盒Ct、对准单元50及第一清洗单元60搬送重合晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种加工方法，是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二磨削部中对所述基板实施第二再次磨削处理，所述基板在所述第二再次磨削处理中被精磨削为最终精磨削厚度。2.根据权利要求1所述的加工方法，其中，还包括：测定被实施所述第二磨削处理后的所述基板的厚度分布；以及基于测定出的所述厚度分布来决定用于保持所述基板的基板保持部与所述第二磨削部之间的相对的倾斜度，所述第一磨削部不改变所述基板保持部与所述第一磨削部之间的相对的倾斜度地进行所述第一磨削处理和所述第一再次磨削处理，所述第二磨削部在所述基板被以基于所述厚度分布决定的所述基板保持部与所述第二磨削部之间的相对的倾斜度保持的状态下进行所述第二再次磨削处理。3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其中，所述第一磨削处理中的所述基板的磨削量与所述第一再次磨削处理中的所述基板的磨削量相同，所述第二磨削处理中的所述基板的磨削量与所述第二再次磨削处理中的所述基板的磨削量相同。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的加工方法，其中，还包括：在所述第一磨削处理之前，实施用于使所述基板的厚度减少的粗磨削。5.根据权利要求4所述的加工方法，其中，所述粗磨削中的所述基板的磨削量比所述第一磨削处理及所述第二磨削处理中的所述基板的磨削量多。6.一种加工方法，所述加工方法包括：在所述加工装置中连续地处理多个基板；以及测定基板的最终精磨削厚度分布，其中，对保持于基板保持部的第一个基板，通过根据权利要求1～5中的任一项所述的加工方法进行再次磨削处理，对保持于基板保持部的第n个基板不进行所述再次磨削处理，而基于在第m个基板中测定出的所述最终精磨削厚度分布实施所述第一磨削部中的精磨削前磨削处理和所述第二磨削部中的精磨削处理，来将该第n个基板精磨削为最终精磨削厚度，其中，n为2以上的自然数，m为1以上且n
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1以下的自然数。7.根据权利要求6所述的加工方法，其中，所述第一再次磨削处理中的所述基板的磨削量与所述精磨削前磨削处理中的所述基板的磨削量相同，所述第二再次磨削处理中的所述基板的磨削量与所述精磨削处理中的所述基板的磨削量相同。8.一种加工装置，用于进行基板的磨削处理，所述加工装置具备：
第一磨削部，其用于对所述基板实施第一磨削处理；第二磨削部，其用于对所述基板实施第二磨削处理；以及控制部，其用于控制所述基板的磨削处理，其中，所述控制部对所述第一磨削部和所述第二磨削部的动作...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂上贵志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：