异物降落防止部件和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供异物降落防止部件和基片处理装置，其能够防止设置于真空泵或压力控制阀的上游侧的保护网被异物堵塞。异物降落防止部件配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：第一板；第二板，其以相对于上述第一板具有第一间隙的方式配置在上述排气口侧；和将上述第一板与上述第二板连结的第一连结杆，上述第一板具有沿着上述第一板的端部向上述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。的相反侧延伸地设置的第一壁。的相反侧延伸地设置的第一壁。

【技术实现步骤摘要】
异物降落防止部件和基片处理装置


[0001]本专利技术涉及异物降落防止部件和基片处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体制造装置所使用的真空泵中，为了防止异物侵入泵而设置有保护网(例如，专利文献1)。此外，在真空泵的上游侧设置有压力控制阀的情况下，在压力控制阀的上游侧设置有保护网。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平11
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247790号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]在本专利技术中，提供一种防止设置于真空泵的上游侧的保护网被异物堵塞的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]依照本专利技术的一个方式，提供一种异物降落防止部件，其配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：第一板；第二板，其以相对于上述第一板具有第一间隙的方式配置在上述排气口侧；和将上述第一板与上述第二板连结的第一连结杆，上述第一板具有沿着上述第一板的端部向上述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。
[0010]专利技术效果
[0011]在本专利技术中，提供一种防止设置于真空泵的上游侧的保护网被异物堵塞的技术。
附图说明
[0012]图1是一个实施方式的基片处理装置的整体结构图。
[0013]图2是将一个实施方式的基片处理装置的排气口附近放大的图。
[0014]图3是第一实施方式的异物降落防止部件的立体图。
[0015]图4是第一实施方式的异物降落防止部件的俯视图。
[0016]图5是将设置有第二实施方式的异物降落防止部件的排气口附近放大的图。
[0017]图6是第二实施方式的异物降落防止部件的立体图。
[0018]图7是第二实施方式的异物降落防止部件的俯视图。
[0019]图8是第三实施方式的异物降落防止部件的立体图。
[0020]图9是将设置有第四实施方式的异物降落防止部件的排气口附近放大的图。
[0021]图10是第四实施方式的异物降落防止部件的立体图。
[0022]图11是第四实施方式的异物降落防止部件的俯视图。
[0023]图12是设置有第四实施方式的异物降落防止部件的区域的俯视图。
[0024]图13是对第四实施方式的异物降落防止部件的安装方法进行说明的图。
[0025]图14是对第四实施方式的异物降落防止部件的安装方法进行说明的图。
[0026]图15是对第四实施方式的异物降落防止部件的安装方法进行说明的图。
[0027]附图标记说明
[0028]1 基片处理装置
[0029]20A 排气口
[0030]26 凸缘部
[0031]27 压力调节阀
[0032]28 排气装置
[0033]29 开口部
[0034]33 壁
[0035]200、200a、200b、200c、200d 异物降落防止部件
[0036]201、211、217 第一板
[0037]201w、211w、217w 壁
[0038]202、212、218 第二板
[0039]212w1、212w2、218w 壁
[0040]203、213、219 第一连结杆
[0041]204 保护网
[0042]210、216 上层部件
[0043]220 中层部件
[0044]221 第三板
[0045]222 第四板
[0046]223 第二连结杆
[0047]230 下层部件
[0048]231 第五板
[0049]232 第六板
[0050]233 第三连结杆
[0051]240 第一下层部件
[0052]241 第七板
[0053]242 第八板
[0054]243 第四连结杆
[0055]246 第二下层部件
[0056]247 第九板
[0057]248 第十板
[0058]249 第五连结杆
[0059]250、255 支承部件。
具体实施方式
[0060]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的构成要素标注相同的附图标记表示，从而省略对这些构成要素的
重复说明。
[0061][基片处理装置1的整体结构][0062]首先，参照图1和图2，对本专利技术的一个实施方式的配置有异物降落防止部件200的基片处理装置1的整体结构进行说明。
[0063]图1表示一个实施方式的基片处理装置1的整体结构。图2表示将一个实施方式的基片处理装置1的排气口20A附近放大的部分。另外，在关于图2的说明中，将图中上方称为“上侧”，将图中下方称为“下侧”。
[0064]图1所示的基片处理装置1构成为反应性离子蚀刻(RIE：Reactive Ion Etching)型的基片处理装置1。基片处理装置1例如具有铝或不锈钢等金属制的圆筒型腔体(处理容器10)，处理容器10接地。在处理容器10内，对被处理体实施蚀刻处理等等离子体处理。处理容器10在外侧具有划定外形的圆筒状的壁13。壁13以下侧扩展的方式形成。
[0065]在处理容器10内设置有载置作为基片的半导体晶片(以下，称为晶片W)的载置台12。载置台12例如由铝构成，经由绝缘性的筒状保持部14被从处理容器10的底部向垂直上方延伸的筒状支承部16支承。在筒状保持部14的上表面配置有环状地包围载置台12的上表面的、例如由硅或石英构成的聚焦环18。
[0066]在处理容器10的壁13的内侧面与筒状支承部16的外侧面之间形成有排气通路20。在排气通路20安装有环状的挡板22。设置于排气通路20的底部的排气口20A与排气装置28连接。
[0067]如图2所示，在排气口20A连接有凸缘部26。此外，凸缘部26具有内径A的开口部29。在该凸缘部26与排气装置28之间例如设置有自动压力控制(APC：Auto Pressure Controller)阀等压力调节阀27。压力调节阀27与开口部29连通地设置，控制排气装置28的执行排气速度。此外，在图2中，省略压力调节阀27的详细结构。
[0068]另外，以覆盖凸缘部26的开口部29的方式在凸缘部26的上表面配置有保护网204。保护网204也可以配置于凸缘部26的下表面。保护网204防止用于维护等的螺纹件等异物进入(降落到)排气装置28内。保护网204的直径被设定成比凸缘部26的开口部29的内径A大。
[0069]在排气口20A配置有后述的本实施方式的异物降落防止部件200。异物降落防止部件200例如配置于保护网204上或凸缘部26上。
[0070]排气装置28例如能够使用涡轮分子泵(TMP：Turbo
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异物降落防止部件，其特征在于：所述异物降落防止部件配置在设置有保护网的处理容器的排气口，包括：第一板；第二板，其以相对于所述第一板具有第一间隙的方式配置在所述排气口侧；和将所述第一板与所述第二板连结的第一连结杆，所述第一板具有沿着所述第一板的端部向所述排气口的相反侧延伸地设置的第一壁。2.如权利要求1所述的异物降落防止部件，其特征在于：所述第一板与所述第二板平行地设置，所述第一连结杆与所述第一板垂直地从所述第一板的与所述第二板相对的面向所述第二板的与所述第一板相对的面延伸。3.如权利要求1或2所述的异物降落防止部件，其特征在于：所述第一连结杆设置有多个。4.如权利要求1～3中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于：所述异物降落防止部件具有从所述第二板向所述排气口侧延伸并支承所述第二板的支承部件。5.如权利要求1～4中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于：所述第一板是圆板，所述第二板是具有俯视时呈圆形的开口部的圆环。6.如权利要求1～5中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于：所述第二板具有沿着所述第二板的端部向所述排气口的相反侧延伸地设置的第二壁。7.如权利要求1～6中任一项所述的异物降落防止部件，其特征在于，包括：支承所述第二板的第一圆环部件；第二圆环部件；将所述第一圆环部件与所述第二圆环部件连结的第二连结杆；支承所述第二圆环部件的第一圆弧部件；第二圆弧部件；将所述第一圆弧部件与所述第二圆弧部件连结的第三连结杆；支承所述第二圆环部件的第三圆弧部件；第四圆弧部件；和将所述第三圆弧部件与所述第四圆弧部件连结的第四连结杆。8.如权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：川铃木良大，塚原利也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：