本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法，使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀。基板处理装置(1)具有：光源(42)，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源(42)向该基板照射包括真空紫外光的光；以及作为光量抑制构件的有孔板(52)，其设置于来自所述光源的光的光路上，用于将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，包括真空紫外光的光包括10nm～200nm波长中所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。续的光谱成分。续的光谱成分。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了一种辅助曝光装置，该辅助曝光装置针对形成于基板上的抗蚀剂膜与曝光处理分开地照射紫外线，由此实现抗蚀剂图案的膜压或者线宽的精度或面内均匀性的提高。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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186191号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]基于本公开的一个方式的基板处理装置具有：光源，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源向该基板照射真空紫外光；以及光量抑制构件，其设置于来自所述光源的光的光路上，用于将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，所述真空紫外光包括10nm～200nm波长中所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，提供一种能够使利用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板中的曝光时的感光度在面内均匀的技术。
附图说明
[0012]图1是表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的图。
[0013]图2是表示基板处理装置中的有孔板的一例的图。<br/>[0014]图3是表示基板处理装置的变更例的一例的图。
[0015]图4是表示基板处理装置中的遮光板的一例的图。
[0016]图5是例示控制器的硬件结构的框图。
[0017]图6是说明基板处理方法的一例的流程图。
[0018]图7是表示基板处理装置中的基板处理时的压力变化的一例的图。
[0019]图8a、图8b、图8c是表示来自光源的光的分布的评价结果的一例的图。
[0020]图9a、图9b、图9c是表示遮光板的结构的变更例的图。
具体实施方式
[0021]下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
[0022]在一个例示性的实施方式中，基板处理装置具有：光源，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源向该基板照射包括真空紫外光的光；以及光量抑制构件，其设置于来自所述光源的光的光路上，用于将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，所述包括真空紫外光的光包括10nm～200nm波长所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。
[0023]根据上述的基板处理装置，被光量抑制构件调整为微弱光的包括真空紫外光的光照射于基板表面的照射区域。因此，能够适当地进行通过对基板表面照射微弱光的包括真空紫外光的光进行的抗蚀剂膜曝光时的感光度调整。其结果，能够使基板中的曝光时的感光度在面内均匀。
[0024]能够设为以下方式：所述光量抑制构件包括形成有多个沿厚度方向的开口的有孔板。
[0025]通过使用上述那样的有孔板作为光量抑制构件，对于来自光源的包括真空紫外光的光，能够不使其光谱成分变化地以微弱光对基板进行照射。因此，能够适当地进行通过包括真空紫外光的光进行的抗蚀剂膜的感光度的调整。
[0026]能够设为以下方式：所述光量抑制构件包括使来自所述光源的光的光量以被抑制为所述微弱光的方式透过的构件。
[0027]通过使用上述那样的使来自光源的光的光量以被抑制为所述微弱光的方式透过的构件，能够以维持来自光源的光的分布的状态以微弱光对基板进行照射。因此，能够适当地进行通过包括真空紫外光的光进行的抗蚀剂膜的感光度的调整。
[0028]能够设为以下方式：还具有：基板支承部，在从所述光源照射光时，所述基板支承部一边使所述基板旋转一边支承所述基板；以及遮光构件，其设置于所述光源与所述基板之间的位置，以使所述照射区域的面积相对于所述基板的表面面积小且去向所述基板的外周侧变大的方式在所述基板表面形成所述照射区域。
[0029]通过如上述那样设为以使用在基板表面形成照射区域的遮光构件的方式对旋转的基板照射来自光源的光的结构，能够对基板表面的整个面以使光量更均匀的方式照射来自光源的光。因此，能够在基板表面适当地进行通过包括真空紫外光的光进行的抗蚀剂膜的感光度的调整。
[0030]能够设为以下方式：所述光量抑制构件以使所述照射区域的外周部的每单位面积的光的照射强度比中心部的每单位面积的光的照射强度大的方式形成光量的梯度。
[0031]在对旋转的基板照射来自光源的光的情况下，通过由光量抑制构件以使照射区域的外周部的每单位面积的光的照射强度比中央部的每单位面积的光的照射强度大的方式形成光量的梯度，能够调整源于基板的中央部与外周部的周速度之差的光量差，因此能够以使光量更均匀的方式照射来自光源的光。
[0032]能够设为以下方式：所述光量抑制构件包括形成有多个沿厚度方向的开口的有孔板，通过使所述外周部的开口率比所述中央部的开口率大来形成光量的梯度。
[0033]在如上述那样通过使有孔板的外周部的开口率比中央部的开口率大来形成光量的梯度的情况下，能够以更简单的结构来调整基板的中央部与外周部的光量差。
[0034]能够设为以下方式：所述遮光构件在当俯视观察时与所述基板的中心重叠的位置未形成有开口。
[0035]来自光源的光在比遮光构件靠下方的位置还会扩散。因此，通过设为在俯视观察时在与基板的中心重叠的位置未形成有遮光构件的开口，能够防止在基板的中心处来自光源的光集中。
[0036]能够设为以下方式：所述光源的光轴相对于所述基板表面倾斜。
[0037]在光源的光轴相对于基板表面倾斜的情况下，能够在减小光源与基板的距离的同时对基板表面照射微弱光的包括真空紫外光的光。因此，能够适当地进行抗蚀剂膜曝光时的感光度调整。
[0038]在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括以下步骤：在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前从光源向该基板照射包括真空紫外光的光；以及在所述照射中，通过设置于来自所述光源的光的光路上的光量抑制构件，将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，所述包括真空紫外光的光包括10nm～200nm波长所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。
[0039]根据上述的基板处理方法，通过光量抑制构件在照射区域中被调整为微弱光的包括真空紫外光的光照射于基板表面。因此，能够适当地进行通过对基板表面照射微弱光的包括真空紫外光的光进行的抗蚀剂膜曝光时的感光度调整。其结果，能够使基板中的曝光时的感光度在面内均匀。
[0040]能够设为以下方式：还包括以下步骤：在所述照射中，一边使所述基板旋转一边支承基板，在所述照射中，通过设置于所述光源与所述基板之间的位置的遮光构件，在所述基板表面形成面积相本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：光源，在对利用EUV光刻用抗蚀剂材料形成了抗蚀剂膜的基板进行曝光处理前该光源向该基板照射包括真空紫外光的光；以及光量抑制构件，其设置于来自所述光源的光的光路上，用于将到达所述基板表面的光的光量在照射区域中整体性地抑制为微弱光，其中，所述包括真空紫外光的光包括10nm～200nm波长中所包含的至少一部分波长带的连续的光谱成分。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述光量抑制构件包括形成有多个沿厚度方向的开口的有孔板。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述光量抑制构件包括使来自所述光源的光的光量以被抑制为所述微弱光的方式透过的构件。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：基板支承部，在从所述光源照射光时，所述基板支承部一边使所述基板旋转一边支承所述基板；以及遮光构件，其设置于所述光源与所述基板之间的位置，以使所述照射区域的面积相对于所述基板的表面面积小且去向所述基板的外周侧变大的方式在所述基板表面形成所述照射区域。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述光量抑制构件以使所述照射区域的外周部的每单位面积的光的照射强度比中央部的每单位面积的光的照射强度大的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩田和也，古闲法久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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