本发明专利技术提供一种基片处理方法、存储介质和基片处理装置，容易调整基片表面上的线宽分布。基片处理方法包括对基片实施显影处理的步骤。显影处理包括：对基片的表面供给显影液，在基片的表面形成显影液的液膜的步骤；将显影液的液膜维持于基片的表面上，推进基片的表面上的显影的步骤；和在将显影液的液膜维持于基片的表面上的期间执行第一处理和第二处理的步骤，在第一处理中，对基片的表面上位于比周缘区域靠内侧的内部区域供给气体，在第二处理中，对周缘区域供给用于抑制显影的推进的调整液，来在周缘区域与内部区域之间调整显影的程度。基片处理方法在第一处理的开始时刻之后开始第二处理，并在第一处理的结束时刻之后结束第二处理。第二处理。第二处理。
【技术实现步骤摘要】
基片处理方法、存储介质和基片处理装置
[0001]本公开涉及基片处理方法、存储介质和基片处理装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种包括基片保持单元、显影液供给单元和清洗液供给单元的基片的显影处理装置。该显影处理装置的清洗液供给单元一边在水平方向上移动一边从隙缝状喷出口向基片上喷出清洗液，来使显影液的显影反应停止。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2003
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257849号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本公开提供一种能够容易地调整基片表面上的线宽分布的基片处理方法、存储介质和基片处理装置。
[0008]解决问题的技术手段
[0009]本公开的一个方面的基片处理方法包括对基片实施显影处理的步骤。该显影处理包括：对基片的表面供给显影液，以在基片的表面形成显影液的液膜的步骤；将显影液的液膜维持于基片的表面上，以推进基片的表面上的显影的步骤；和在将显影液的液膜维持于基片的表面上的期间执行第一处理和第二处理的步骤，其中，在第一处理中，对基片的表面上位于比周缘区域靠内侧的内部区域供给气体，在第二处理中，对周缘区域供给用于抑制显影的推进的调整液，来在周缘区域与内部区域之间调整显影的程度。基片处理方法在第一处理的开始时刻之后开始第二处理，并且在第一处理的结束时刻之后结束第二处理。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，可提供一种能够容易地调整基片表面上的线宽分布的基片处理方法、存储介质和基片处理装置。
附图说明
[0012]图1是表示基片处理系统之一例的示意图。
[0013]图2是表示涂布显影装置之一例的示意图。
[0014]图3是表示显影单元之一例的示意图。
[0015]图4中(a)和(b)是表示用于喷出显影液的喷嘴之一例的示意图。
[0016]图5是表示控制装置的功能结构之一例的框图。
[0017]图6是表示控制装置的硬件结构之一例的框图。
[0018]图7是表示显影处理的处理方案之一例的图。
[0019]图8是表示参数的设定方法之一例的流程图。
[0020]图9是表示显影处理之一例的流程图。
[0021]图10中(a)是表示形成显影液的液膜时的动作之一例的示意图。图10中(b)是表示显影液的液膜形成后的状态之一例的示意图。
[0022]图11中(a)和(b)是表示供给气体时的动作之一例的示意图。
[0023]图12中(a)和(b)是表示供给调整液时的动作之一例的示意图。
[0024]图13中(a)和(b)是表示清洗处理的动作之一例的示意图。
[0025]图14是表示为了生成回归方程式而测量的实测数据之一例的表。
[0026]图15中(a)是表示工件表面上设定的测量位置之一例的示意图。图15(b)是用于说明回归方程式之一例的坐标图。
[0027]图16(a)是表示基于多项式回归的回归方程式之一例的坐标图。图16(b)是表示基于岭回归的回归方程式之一例的坐标图。
[0028]图17是表示使用了回归方程式的参数计算方法之一例的流程图。
[0029]图18中(a)是表示预测线宽分布时的设定图像之一例的示意图。图18中(b)是给出表示预测结果的图像之一例的示意图。
[0030]图19是表示条件设定后的基片处理方法之一例的流程图。
[0031]图20中(a)是表示第一实施例的线宽分布的测量结果之一例的坐标图。图20中(b)是表示第二实施例的线宽分布的之一例的坐标图。
具体实施方式
[0032]首先对实施方式的概要进行说明。
[0033]本公开的一个方面的基片处理方法包括对基片实施显影处理的步骤。该显影处理包括：对基片的表面供给显影液，以在基片的表面形成显影液的液膜的步骤；将显影液的液膜维持于基片的表面上，以推进基片的表面上的显影的步骤；和在将显影液的液膜维持于基片的表面上的期间执行第一处理和第二处理的步骤，其中，在第一处理中，对基片的表面上位于比周缘区域靠内侧的内部区域供给气体，在第二处理中，对周缘区域供给用于抑制显影的推进的调整液，来在周缘区域与内部区域之间调整显影的程度。基片处理方法在第一处理的开始时刻之后开始第二处理，并且在第一处理的结束时刻之后结束第二处理。
[0034]通过供给气体能够降低显影液的液膜的温度来促进显影，而通过在供给气体后供给调整液能够抑制显影的推进。因此，在上述基片处理方法中，通过供给气体和调整液，能够在内部区域与周缘区域之间调整显影的程度。由于显影后的线宽随显影的程度而变化，因此采用上述基片处理方法，能够容易地调整基片面内的线宽分布。
[0035]上述基片处理方法中，也可以在第一处理的结束时刻之后开始第二处理。将显影液的液膜维持于基片的表面上的步骤也可以包括：在从第一处理的结束时刻到第二处理的开始时刻的期间，持续地维持基片的表面上的显影液的液膜。该情况下，对内部区域供给气体的期间和对周缘区域供给调整液的期间彼此不重叠。因此，能够抑制第一处理和第二处理中的一方对另一方的影响，能够更加容易地调整线宽分布。
[0036]上述基片处理方法中，在对基片实施显影处理的步骤之前，可以还包括分别调节与第一处理的条件相关的第一参数和与第二处理的条件相关的第二参数的步骤。在显影处理中，执行第一处理和第二处理的步骤可以包括按照调节后的第一参数执行第一处理的步
骤，和按照调整后的第二参数执行第二处理的步骤。第一处理中的气体的供给影响内部区域的线宽，第二处理中的调整液的供给影响周缘区域的线宽。因此，通过调节与第一处理和第二处理各自的条件相关的参数，显影后的线宽分布会发生变化。从而，采用上述方法，能够通过参数的调节来容易地使线宽分布接近目标分布。
[0037]上述基片处理方法中，在分别调节第一参数和第二参数的步骤之前，可以还包括生成估计信息的步骤，其中该估计信息用于预测显影后的基片的表面上的线宽分布。生成估计信息的步骤可以包括：取得表示第一参数和第二参数中的至少一个不同的多个测试条件的信息的步骤；按照多个测试条件中所含的每个测试条件，对测试用基片实施与显影处理对应的测试显影处理的步骤；按照每个测试条件，取得显影后的测试用基片的表面上的线宽分布的实测数据的步骤；和基于实测数据，针对测试用基片的表面上的多个位置，分别生成表示第一参数和第二参数与线宽的关系的回归方程式的步骤。分别调节第一参数和第二参数的步骤可以包括：基于上述回归方程式计算执行显影处理时的第一参数的设定值和第二参数的设定值，以使得显影后的基片的表面上的线宽分布满足规定的条件的步骤。该情况下，使用估计信息能够定量地评价第一处理和第二处理各自的条件的变化对线宽分布的影响。从而，无需基于操作员等的试错或经验等，就能够调节处理条件以使得线宽分布满足规定的条件。
[0038]基于回归方程式本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基片处理方法，其中，包括对基片实施显影处理的步骤，所述显影处理包括：对所述基片的表面供给显影液，以在所述基片的表面形成所述显影液的液膜的步骤；将所述显影液的液膜维持于所述基片的表面上，以推进所述基片的表面上的显影的步骤；和在将所述显影液的液膜维持于所述基片的表面上的期间执行第一处理和第二处理的步骤，其中，在第一处理中，对所述基片的表面上位于比周缘区域靠内侧的内部区域供给气体，在第二处理中，对所述周缘区域供给用于抑制显影的推进的调整液，来在所述周缘区域与所述内部区域之间调整显影的程度，其中，在所述第一处理的开始时刻之后开始所述第二处理，并且在所述第一处理的结束时刻之后结束所述第二处理。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其中，在所述第一处理的结束时刻之后开始所述第二处理，将显影液的液膜维持于所述基片的表面上的步骤：在从所述第一处理的结束时刻到所述第二处理的开始时刻的期间，持续地维持所述基片的表面上的所述显影液的液膜。3.如权利要求1所述的基片处理方法，其中，在对所述基片实施所述显影处理的步骤之前，还包括分别调节与所述第一处理的条件相关的第一参数和与所述第二处理的条件相关的第二参数的步骤，在所述显影处理中执行所述第一处理和所述第二处理的步骤包括：按照调节后的所述第一参数执行所述第一处理的步骤，和按照调整后的所述第二参数执行所述第二处理的步骤。4.如权利要求3所述的基片处理方法，其中，在分别调节所述第一参数和所述第二参数的步骤之前，还包括生成估计信息的步骤，其中该估计信息用于预测显影后的所述基片的表面上的线宽分布，生成所述估计信息的步骤包括：取得表示所述第一参数和所述第二参数中的至少一个不同的多个测试条件的信息的步骤；按照所述多个测试条件中所含的每个测试条件，对测试用基片实施与所述显影处理对应的测试显影处理的步骤；按照每个所述测试条件，取得显影后的所述测试用基片的表面上的线宽分布的实测数据的步骤；和基于所述实测数据，针对所述测试用基片的表面上的多个位置，分别生成表示所述第一参数和所述第二参数与线宽的关系的回归方程式的步骤，分别调节所述第一参数和所述第二参数的步骤包括：基于所述回归方程式计算执行所述显影处理时的所述第一参数的设定值和所述第二参数的设定值，以使得显影后的所述基片的表面上的线宽分布满足规定的条件的步骤。5.如权利要求4所述的基片处理方法，其中，基于所述回归方程式计算所述第一参数的设定值和所述第二参数的设定值的步骤包
括：针对使所述第一参数和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫窪祐允，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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