本发明专利技术提供一种基板处理系统和环状构件的高度的估计方法。基板处理系统具备：基板处理装置，其具有用于载置基板和环状构件的载置台，对基板实施规定的处理；基板搬送机构，其具有基板保持部，通过基板保持部来保持基板并相对于基板处理装置搬入和搬出基板；距离传感器，其测定从基板保持部起的距离；以及控制装置，其中，基板搬送机构在载置有环状构件的载置台上载置具有成为环状构件的高度的基准的基准面的治具基板，距离传感器测定从位于载置台的上方的基板保持部起到治具基板的基准面为止的距离、以及从基板保持部起到环状构件为止的距离，控制装置基于到基准面为止的距离和到环状构件为止的距离的测定结果，来估计环状构件的高度。构件的高度。构件的高度。
【技术实现步骤摘要】
基板处理系统和环状构件的高度的估计方法
[0001]本专利技术涉及一种基板处理系统和环状构件的高度的估计方法。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开了一种与半导体制造设备内的消耗部件的磨损检测有关的技术。专利文献1中公开的腔室是用于对基板进行处理的腔室，所述腔室包括基准部件、消耗部件、相位臂、传感器以及控制器。基准部件在腔室的工作期间不发生磨损，消耗部件在腔室的工作期间发生磨损。输送臂用于将基板输送到腔室内。传感器构成为：在所述输送臂在所述消耗部件的上方移动时，测定从所述传感器起到消耗部件的表面为止的第一距离，在输送臂在所述基准部件的上方移动时，测定从所述传感器起到所述基准部件的表面为止的第二距离。控制器构成为：基于第一距离和第二距离来决定消耗部件的磨损量。在专利文献1中，基准部件是保持基板的卡盘。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
50535号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开所涉及的技术准确地估计载置于载置台的环状构件的高度。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方式是基板处理系统，具备：基板处理装置，其具有载置台，所述载置台用于载置基板和以包围基板的方式配置的环状构件，所述基板处理装置对载置于所述载置台的基板实施规定的处理；基板搬送机构，其具有基板保持部，所述基板搬送机构通过所述基板保持部来保持基板并相对于所述基板处理装置搬入和搬出所述基板；距离传感器，其设置于所述基板保持部，所述距离传感器用于测定从该基板保持部起的距离；以及控制装置，其中，所述基板搬送机构在载置有所述环状构件的所述载置台上载置治具基板，该治具基板具有成为该环状构件的高度的基准的基准面，所述距离传感器测定从位于所述载置台的上方的所述基板保持部起到所述治具基板的所述基准面为止的距离、以及从所述基板保持部起到所述环状构件为止的距离，所述控制装置基于到所述基准面为止的距离和到所述环状构件为止的距离的测定结果，来估计所述环状构件的高度。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，能够准确地估计载置于载置台的环状构件的高度。
附图说明
[0012]图1是表示本实施方式所涉及的作为基板处理系统的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
[0013]图2是表示处理装置的结构的概要的纵剖截面图。
[0014]图3是静电吸盘的局部放大截面图。
[0015]图4是示意性地表示晶圆搬送机构的结构的侧视图。
[0016]图5是表示叉部的结构的概要的仰视图。
[0017]图6是在聚焦环的高度的估计中使用的作为治具基板的治具晶圆的一例的俯视图。
[0018]图7是表示估计聚焦环的高度时的、叉部及距离传感器相对于载置台的位置的图。
[0019]图8是用于说明估计聚焦环的高度的其它方式的图。
[0020]图9是表示叉部在移动过程中振动了的情况下的、聚焦环的高度的估计结果的一例的图。
[0021]图10是用于说明通过例3那样来制作聚焦环的高度曲线所产生的其它效果的图。
[0022]图11是用于说明通过例3那样来制作聚焦环的高度曲线所产生的其它效果的图。
[0023]图12是示意性地表示治具晶圆的其它例的俯视图。
[0024]图13是示意性地表示治具晶圆的其它例的截面图。
[0025]图14是表示晶圆搬送机构的其它例的图。
[0026]图15是表示距离传感器的测定结果与该距离传感器的温度之间的相关性的一例的图。
[0027]图16是表示环状构件的其它例的图。
具体实施方式
[0028]例如在半导体器件等的制造工艺中，通过基板处理装置，使用等离子体对半导体晶圆(下面称作“晶圆”)等基板实施蚀刻处理等规定的处理。该使用等离子体进行的处理即等离子体处理是在将基板载置于减压后的处理容器内的载置台的状态下进行的。
[0029]在上述的载置台上，除了基板之外，还载置聚焦环、罩环之类的环状构件。聚焦环是以与载置台上的基板相邻的方式配置的环状构件，罩环是以覆盖聚焦环的外侧面的方式配置的环状构件。这些聚焦环、罩环由于暴露于等离子体中而被蚀刻从而产生消耗。当聚焦环、罩环产生消耗时，有时无法得到适当的等离子体处理结果。具体地说，例如当聚焦环产生消耗时，等离子体的鞘层的形状发生变化，其结果是，有时无法得到适当的等离子体处理结果。
[0030]因此，以往进行如下操作：使用传感器来测定或估计被载置于载置台的聚焦环等环状构件的高度，根据该测定结果或估计结果来估计环状构件的高度(换言之，环状构件的消耗程度)。例如，基于从传感器起到聚焦环的表面为止的测量距离和从所述传感器起到载置台的表面为止的测定距离，来决定聚焦环的消耗量，其中，所述传感器设置于相对于处理容器搬送基板的基板搬送装置的搬送臂(参照专利文献1)。
[0031]但是，当以从传感器起到载置台的表面(具体地说，用于载置基板的基板载置面)为止的距离为基准来估计聚焦环等环状构件的高度时，有时无法准确地估计聚焦环的高度。例如，有时在载置台的表面特意设置有凹凸，在该情况下，根据传感器对到载置台表面的形成上述凹凸的凹凸面的哪个部分为止的距离进行测定，环状部件的高度的估计结果不同。但是，在上述凹凸小时等，难以通过传感器来选择对到载置台表面的上述凹凸面的哪个
部分为止的距离进行测定。
[0032]因此，本公开所涉及的技术准确地估计载置于载置台的环状构件的高度。
[0033]下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的基板处理系统和环状构件的高度的估计方法。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。
[0034]<晶圆处理系统>
[0035]图1是表示本实施方式所涉及的作为基板处理系统的晶圆处理系统1的结构的俯视图。
[0036]图1的晶圆处理系统1使用等离子体在减压下对作为基板的晶圆W进行例如蚀刻处理等规定的处理。
[0037]该晶圆处理系统1具有将承载件站10与处理站11连接成一体的结构，针对所述承载件站10搬入和搬出能够收容多个晶圆W的承载件C，所述处理站11具备在减压环境下对晶圆W实施上述规定的处理的多个种类的处理装置。承载件站10与处理站11通过两个加载互锁装置12、13连结。
[0038]加载互锁装置12、13具有加载互锁室12a、13a，所述加载互锁室12a、13a构成为能够将室内在大气压状态与真空状态之间进行切换。加载互锁装置12、13以将后述的大气压搬送装置20与真空搬送装置30连结的方式设置。
[0039]承载件站10具有大气压搬送装置20和承载件载置台21。此外，还可以在承载件站10设置有用于调节晶圆W的朝向的对准器(未图示)。
[0040]大气压搬本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理系统，具备：基板处理装置，其具有载置台，所述载置台用于载置基板和以包围基板的方式配置的环状构件，所述基板处理装置对载置于所述载置台的基板实施规定的处理；基板搬送机构，其具有基板保持部，所述基板搬送机构通过所述基板保持部来保持基板并相对于所述基板处理装置搬入和搬出所述基板；距离传感器，其设置于所述基板保持部，所述距离传感器用于测定从所述基板保持部起的距离；以及控制装置，其中，所述基板搬送机构在载置有所述环状构件的所述载置台上载置治具基板，该治具基板具有成为该环状构件的高度的基准的基准面，所述距离传感器测定从位于所述载置台的上方的所述基板保持部起到所述治具基板的所述基准面为止的距离、以及从所述基板保持部起到所述环状构件为止的距离，所述控制装置基于到所述基准面为止的距离和到所述环状构件为止的距离的测定结果，来估计所述环状构件的高度。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，在所述基板保持部在所述载置台的上方移动以使所述距离传感器沿俯视观察时横穿所述环状构件的方向移动的期间，所述距离传感器连续地测定从所述基板保持部起到所述环状构件为止的距离，所述控制装置基于到所述基准面为止的距离的测定结果和到所述环状构件为止的距离的连续的测定结果，来估计所述横穿的方向上的所述环状构件的高度分布。3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，在所述基板保持部设置有至少两个所述距离传感器，在所述基板保持部在所述载置台的上方移动以使一个所述距离传感器沿所述俯视观察时横穿所述环状构件的方向移动的期间，所述一个所述距离传感器连续地测定从所述基板保持部起到所述环状构件为止的距离，并且其它的所述距离传感器连续地测定从所述基板保持部起到所述治具基板的所述基准面为止的距离，所述控制装置基于通过所述一个所述距离传感器和所述其它的所述距离传感器进行测定的期间的各时间点的、到所述基准面为止的距离的测定结果和到所述环状构件为止的距离的测定结果，来估计所述横穿的方向上的所述环状构件的高度分布。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述治具基板具有与所述基准面相距互不相同的规定距离的多个校正用面，多个校正用面在高度方向上与所述基准面相距的距离互不相同，所述距离传感器测定从所述基板保持部起到所述治具基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：兒玉俊昭，若林真士，新藤健弘，冈村树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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